JPS648676B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS648676B2 JPS648676B2 JP8626982A JP8626982A JPS648676B2 JP S648676 B2 JPS648676 B2 JP S648676B2 JP 8626982 A JP8626982 A JP 8626982A JP 8626982 A JP8626982 A JP 8626982A JP S648676 B2 JPS648676 B2 JP S648676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillation
- detector
- scintillation detector
- present
- detectors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線CT（コンピユータトモグラフイ）
用やガンマカメラ用等の検出器に使用される高い
分解能を有するシンチレーシヨン検出器に関す
る。 （従来の技術） 従来よりＸ線CT等に用いられる放射線検出器
として、キセノンガスを使用したイオン化検出器
が知られているが、このイオン化検出器は、イオ
ン電流の残留効果が大きいため、運動する被写体
については検出が困難であり、また分解能が悪い
ため、細部の検出ができないという欠点があつ
た。このため無機化合物の螢光物質を粉状あるい
は単結晶状態で使用したシンチレーシヨン検出器
の使用が検討されている。 このシンチレーシヨン検出器は適切なシンチレ
ータ材料を選ぶとイオン化検出器に比べてシンチ
レーシヨンの残留効果が小さく、また充填密度が
大きいため検出器の容積を小さくできて分解能の
向上が期待でき、しかも振動や雑音に対して感応
しにくいという利点を有しているが、螢光物質を
粉状で使用する場合は散乱や乱反射により発光出
力が低下し、また単結晶状態で使用する場合は製
造が困難でコスト高になる欠点があつた。 また、螢光物質のうち汎用されている
Bi4Ge3O12、CdWO4では発光効率が低いため、Ｘ
線の照射量を多くする必要があるという欠点があ
つた。また多くの螢光物質では残光が多いという
難点もある。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明者らはこのような欠点を解消するため鋭
意研究を進めたところ、特定の螢光物質を特定の
温度および圧力のもとにホツトプレスまたはホツ
トアイソスタテイクプレスすることにより、発光
効率が大きくかつ残光の小さいシンチレーシヨン
検出器を簡単に製造することができることを見出
した。 本発明はこのような知見に基づいてなされたも
ので、発光効率が大きく、残光（シンチレーシヨ
ンの残留効果）の小さいシンチレーシヨン検出器
を提供することを目的とする。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のシンチレーシヨン検出器は、
Gd2O2S：Pr、（Ｙ，Gd）O2S：Prおよび（Ｙ，
Gd）O2S：（Tb，Pr）からなる化合物群から選
ばれた１種または２種以上の螢光物質を、1000〜
2000℃の温度で10〜10000Kg／cm2の圧力下でホツ
トプレスまたはホツトアイソスタテイクプレスに
より成形してなることを特徴とする。 本発明に使用する螢光物質としては、特にPr
でドープされたGd2O2S（Gd2O2S：Pr）およびこ
れとPrおよび／またはTbでドープされたY2O2S
との固溶体［（Ｙ，Gd）O2S：Pr、（Ｙ，Gd）
O2S：（Tb，Pr）］が適している。これらの物質
から得られるシンチレーシヨン検出器は発光効率
が大きく、かつ残光が小さく、これを放射線検出
器に使用した場合高い分解能を有し、高速スキヤ
ンが可能な放射線検出器を得ることができる。な
お、これらの螢光物質はできるだけ高純度のもの
を使用することが望ましい。なお、これらの螢光
物質のうち特に好ましいものは、Gd2O2S：Pr、
（Ｙ，Gd）O2S：Prなどである。 （作用） 本発明においては、上述の螢光物質をヘリウ
ム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で1000〜
2000℃の温度で10〜10000Kg／cm2の圧力下でホツ
トプレスまたはホツトアイソスタテイクプレスに
よりブロツク状に成形する。好ましいプレス条件
は、温度1600℃〜1800℃であり、圧力300〜3000
Kgｆ／cm2である。 このようにして製造されたシンチレーターを所
定の大きさおよび形状に機械加工することにより
性能の均一な多数個のシンチレーシヨン検出器を
得ることができる。 （実施例） 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 第１表に示す螢光物質をヘリウム雰囲気下で温
度800〜1800℃、圧力300〜1000Kg／cm2の条件でホ
ツトアイソスタテイクプレスを行なつて、厚さ30
mmの焼結体を得た。これを適当な大きさに加工
し、それぞれホトダイオードにマウントしてシン
チレーシヨン検出器を製造した。 このようにして得られたシンチレーシヨン検出
器の発光出力（フオトダイオードの出力）および
残光は次表の通りであつた。
用やガンマカメラ用等の検出器に使用される高い
分解能を有するシンチレーシヨン検出器に関す
る。 （従来の技術） 従来よりＸ線CT等に用いられる放射線検出器
として、キセノンガスを使用したイオン化検出器
が知られているが、このイオン化検出器は、イオ
ン電流の残留効果が大きいため、運動する被写体
については検出が困難であり、また分解能が悪い
ため、細部の検出ができないという欠点があつ
た。このため無機化合物の螢光物質を粉状あるい
は単結晶状態で使用したシンチレーシヨン検出器
の使用が検討されている。 このシンチレーシヨン検出器は適切なシンチレ
ータ材料を選ぶとイオン化検出器に比べてシンチ
レーシヨンの残留効果が小さく、また充填密度が
大きいため検出器の容積を小さくできて分解能の
向上が期待でき、しかも振動や雑音に対して感応
しにくいという利点を有しているが、螢光物質を
粉状で使用する場合は散乱や乱反射により発光出
力が低下し、また単結晶状態で使用する場合は製
造が困難でコスト高になる欠点があつた。 また、螢光物質のうち汎用されている
Bi4Ge3O12、CdWO4では発光効率が低いため、Ｘ
線の照射量を多くする必要があるという欠点があ
つた。また多くの螢光物質では残光が多いという
難点もある。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明者らはこのような欠点を解消するため鋭
意研究を進めたところ、特定の螢光物質を特定の
温度および圧力のもとにホツトプレスまたはホツ
トアイソスタテイクプレスすることにより、発光
効率が大きくかつ残光の小さいシンチレーシヨン
検出器を簡単に製造することができることを見出
した。 本発明はこのような知見に基づいてなされたも
ので、発光効率が大きく、残光（シンチレーシヨ
ンの残留効果）の小さいシンチレーシヨン検出器
を提供することを目的とする。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のシンチレーシヨン検出器は、
Gd2O2S：Pr、（Ｙ，Gd）O2S：Prおよび（Ｙ，
Gd）O2S：（Tb，Pr）からなる化合物群から選
ばれた１種または２種以上の螢光物質を、1000〜
2000℃の温度で10〜10000Kg／cm2の圧力下でホツ
トプレスまたはホツトアイソスタテイクプレスに
より成形してなることを特徴とする。 本発明に使用する螢光物質としては、特にPr
でドープされたGd2O2S（Gd2O2S：Pr）およびこ
れとPrおよび／またはTbでドープされたY2O2S
との固溶体［（Ｙ，Gd）O2S：Pr、（Ｙ，Gd）
O2S：（Tb，Pr）］が適している。これらの物質
から得られるシンチレーシヨン検出器は発光効率
が大きく、かつ残光が小さく、これを放射線検出
器に使用した場合高い分解能を有し、高速スキヤ
ンが可能な放射線検出器を得ることができる。な
お、これらの螢光物質はできるだけ高純度のもの
を使用することが望ましい。なお、これらの螢光
物質のうち特に好ましいものは、Gd2O2S：Pr、
（Ｙ，Gd）O2S：Prなどである。 （作用） 本発明においては、上述の螢光物質をヘリウ
ム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で1000〜
2000℃の温度で10〜10000Kg／cm2の圧力下でホツ
トプレスまたはホツトアイソスタテイクプレスに
よりブロツク状に成形する。好ましいプレス条件
は、温度1600℃〜1800℃であり、圧力300〜3000
Kgｆ／cm2である。 このようにして製造されたシンチレーターを所
定の大きさおよび形状に機械加工することにより
性能の均一な多数個のシンチレーシヨン検出器を
得ることができる。 （実施例） 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 第１表に示す螢光物質をヘリウム雰囲気下で温
度800〜1800℃、圧力300〜1000Kg／cm2の条件でホ
ツトアイソスタテイクプレスを行なつて、厚さ30
mmの焼結体を得た。これを適当な大きさに加工
し、それぞれホトダイオードにマウントしてシン
チレーシヨン検出器を製造した。 このようにして得られたシンチレーシヨン検出
器の発光出力（フオトダイオードの出力）および
残光は次表の通りであつた。
【表】
次に本発明のシンチレーシヨン検出器をＸ線
CTに使用した例について説明する。 図において回転Ｘ線源１は、ほぼ平担な扇形放
射線ビーム２を射出し、これが検体３を通過す
る。射出放射線ビーム２は検体３を通過した後シ
ンチレーシヨン検出器４に衝突する。なお、シン
チレーシヨン検出器４は通常モリブデン板等の遮
蔽体により分離されているが、本発明においては
検出器でのＸ線の吸収が大であるため特に必要で
はないという利点がある。 次にシンチレーシヨン検出器４により発光した
光をフオトダイオード（図示せず）により電気信
号に変換する。このようにして検体３の外周をス
キヤンして得られる多数の透通Ｘ線強度を示す電
気信号を高速コンピユータによつて合成すること
により、検体３の断面が得られる。 ［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように本発明のシ
ンチレーシヨン検出器は、発光効率が大きいので
検出器を小さくすることができまた、残光が小さ
いので高い分解能が得られ、これを放射線検出器
に用いた場合、運動する被写体についての検出や
高速スキヤンが可能になる。
CTに使用した例について説明する。 図において回転Ｘ線源１は、ほぼ平担な扇形放
射線ビーム２を射出し、これが検体３を通過す
る。射出放射線ビーム２は検体３を通過した後シ
ンチレーシヨン検出器４に衝突する。なお、シン
チレーシヨン検出器４は通常モリブデン板等の遮
蔽体により分離されているが、本発明においては
検出器でのＸ線の吸収が大であるため特に必要で
はないという利点がある。 次にシンチレーシヨン検出器４により発光した
光をフオトダイオード（図示せず）により電気信
号に変換する。このようにして検体３の外周をス
キヤンして得られる多数の透通Ｘ線強度を示す電
気信号を高速コンピユータによつて合成すること
により、検体３の断面が得られる。 ［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように本発明のシ
ンチレーシヨン検出器は、発光効率が大きいので
検出器を小さくすることができまた、残光が小さ
いので高い分解能が得られ、これを放射線検出器
に用いた場合、運動する被写体についての検出や
高速スキヤンが可能になる。
図はＸ線CT装置に本発明のシンチレーシヨン
検出器を使用した例を示す概略断面図である。 １……回転Ｘ線源、２……放射線ビーム、３…
…検体、４……シンチレーシヨン検出器。
検出器を使用した例を示す概略断面図である。 １……回転Ｘ線源、２……放射線ビーム、３…
…検体、４……シンチレーシヨン検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Gd2O2S：Pr、（Ｙ，Gd）O2S：Prおよび
（Ｙ，Gd）O2S：（Tb，Pr）からなる化合物群か
ら選ばれた１種または２種以上の螢光物質をプレ
ス成形してなることを特徴とするシンチレーシヨ
ン検出器。 ２ プレス成形は、温度1000〜2000℃、圧力10〜
10000Kg／cm2で行うホツトプレスまたはホツトア
イソスタテイツクプレスによる特許請求の範囲第
１項に記載のシンチレーシヨン検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8626982A JPS58204088A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | シンチレ−シヨン検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8626982A JPS58204088A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | シンチレ−シヨン検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204088A JPS58204088A (ja) | 1983-11-28 |
| JPS648676B2 true JPS648676B2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=13882095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8626982A Granted JPS58204088A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | シンチレ−シヨン検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204088A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117082A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| JPS61127670A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | 日立金属株式会社 | 焼結体の製造方法 |
| US4752424A (en) * | 1986-01-30 | 1988-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a rare earth oxysulfide ceramic |
| JPS63113387A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| JP2696860B2 (ja) * | 1987-11-11 | 1998-01-14 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出素子 |
| JP2720159B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1998-02-25 | 株式会社日立メディコ | 多素子放射線検出器及びその製造方法 |
| JP3194828B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2001-08-06 | 株式会社東芝 | 焼結蛍光体およびその製造方法とこの焼結蛍光体を用いた放射線検出器およびｘ線断層写真撮影装置 |
| JP3454904B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2003-10-06 | 株式会社東芝 | セラミックシンチレ―タおよびｘ線検出器 |
| US6504156B1 (en) | 1999-07-16 | 2003-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic scintillator material and manufacturing method thereof, and radiation detector therewith and radiation inspection apparatus therewith |
| US7060982B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-06-13 | Hokushin Corporation | Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation |
| JP5498908B2 (ja) | 2010-09-29 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置 |
| JP6105833B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2017-03-29 | 株式会社東芝 | Ｘ線検出器及びｘ線検査装置 |
| EP2826835B1 (en) | 2012-03-15 | 2018-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid scintillator, radiation detector and radiographic examination device |
| JPWO2024203234A1 (ja) | 2023-03-31 | 2024-10-03 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53129087A (en) * | 1977-04-18 | 1978-11-10 | Jeol Ltd | Scintillation detector |
| US4242221A (en) * | 1977-11-21 | 1980-12-30 | General Electric Company | Ceramic-like scintillators |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8626982A patent/JPS58204088A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58204088A (ja) | 1983-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS648676B2 (ja) | ||
| Lempicki et al. | A new lutetia-based ceramic scintillator for X-ray imaging | |
| US4242221A (en) | Ceramic-like scintillators | |
| CN1020584C (zh) | 多晶结构x射线激发的闪烁体及其制备方法 | |
| JP2002514772A (ja) | 多用途用多密度多原子番号検出器媒体 | |
| EP1666566B1 (en) | Ceramic scintillator, and radiation detector and radiographic examination apparatus using same | |
| US3889113A (en) | Radioisotope-excited, energy-dispersive x-ray fluorescence apparatus | |
| JP2002082171A (ja) | 放射線検出器およびこれを用いたｘ線診断装置 | |
| US2953702A (en) | Ionisation chamber for radiation measurements | |
| WO2010140585A1 (ja) | シンチレーター | |
| JP2685867B2 (ja) | 蛍光性セラミックスの製造方法 | |
| JP7302706B2 (ja) | セラミックシンチレータおよび放射線検出器 | |
| JP2989184B1 (ja) | セラミックスシンチレータ | |
| JPH0516756B2 (ja) | ||
| JP2989089B2 (ja) | セラミックスシンチレータ材料 | |
| US4216124A (en) | Material for the construction of exoelectron detectors | |
| JPH04290985A (ja) | 中性子検出器 | |
| US20210139773A1 (en) | Large area scintillator panels with doping | |
| Durak et al. | Measurement of K-shell fluorescence yields for Ba, Ce, Nd, Gd, Dy, Er and Yb using radioisotope XRF | |
| JPH05279663A (ja) | シンチレータ材料 | |
| US3735134A (en) | Thermoluminescent radiation detector | |
| US11300693B2 (en) | Radiation detection material and radiation detection device | |
| JPS593714B2 (ja) | 熱螢光線量計素子 | |
| Sauli | Applications of gaseous particle detectors in physics and medicine | |
| JP2872536B2 (ja) | セラミックスシンチレータ材料の製造方法 |