JPS648768B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、流通過程の環境温度測定を行なう装
置に関する。 従来より多く用いられている装置には、測温体
にバイメタルを用い、ゼンマイ式の時計装置を駆
動源にして、記録用紙を移動させながらペンで記
録していく方式のものがある。 この場合、測温精度は2゜〜８℃程度で重量は２
Kg以上もあるものが多い。また、記録時間は長く
ともせいぜい10日前後である。従つて、高い測温
精度と長期にわたる記録が要求されるものに対し
ては不都合である。 さらに、重量や大きさについてもより軽量で小
型化されゝば、取り扱いが容易になると共に、設
置場所も今まで以上に自由に選べる。また、記録
ペンも不要になればさらに管理がし易くなる。 ここにおいて本発明は、電気的な手法により温
度測定を行ない、温度と時間（日数）の関係を液
晶表示パネルにグラフ状に表示し、時計装置に対
応する部分は水晶振動子を用いた発振器を基に時
間的な基準を設定し、温度と１対１に対応するア
ナログ量の電気量はＡ／Ｄコンバータによりデイ
ジタル量に変換され、デコードされた後、ドライ
ブ回路を介して記憶型液晶表示パネル上に書き込
まれるようにした装置を提供することを、その目
的とする。 では、本発明を図面によつて説明する。 第１図は、本発明の一実施例の構成を示すプロ
ツクダイアグラムである。 １は温度センサ、２は増幅器、８はオフセツト
調整回路、４はＡ／Ｄ（アナログからデイジタル
へ）コンバータ、５はデコーダ、６はＹ（軸）ド
ライバー回路、７はシフトレジスタ、８はＸ（軸）
ドライバー回路、９は記憶型液晶表示パネル、１
０はクロツクパルス発生回路、１１はカウンタ
ー、１２はタイミングパルス発生回路、１３はリ
セツト／スタートパルス発生回路、１４は書き込
み／消去制御回路である。 以下に、それらの構成要素について詳述する。 温度センサ１には次のものがある。 ○ア 白金測温体、金測温体、銅測温体などの金属
の比抵抗値の温度に対する値が単調増加関数で
あることを利用したもの。 ○イ 熱電対など異種金属の接合によつて生じるゼ
ーベツク効果を利用するもの。 ○ウ サーミスタ、ダイオード、トランジスタなど
半導体の特性変化を利用したものなど。 温測精度は白金測温体が最良で、通常の工業用
として市販されているものでも、0.3℃程度の絶
対誤差を有しており、校正を行なうことにより、
１／１００〜1/1000の測温も可能である。 下表に簡単に各センサの特徴をまとめる。

【表】 増幅器２では、温度センサ１からの出力信号
を、あるレベルまで増幅し感度の選定を行なう。 オフセツト調整回路３は、温度の変化範囲が表
示器（記憶型液晶表示パネル９）内におさまるよ
うに、増幅器２からの信号に直流成分を重畳させ
ることにより表示範囲の調整を行なうものであ
る。 そして、タイミングパルス発生回路１２は、ク
ロツクパルス発生回路１０において発生するクロ
ツクパルスはカウンタ１１を用いてカウントダウ
ンされたパスル信号を基に、Ａ／Ｄコンバータ４
のサンプリングおよびＡ／Ｄコンバータ４からデ
コーダ５へのデータの転送タイミングを行なう。 したがつて、カウンター１１の分周比の選択の
仕方により、測温時期を選択できる。 Ａ／Ｄコンバータ４より転送されて来た信号
は、デコーダ５で記憶型液晶表示パネル９のＹ軸
の選択点、つまりは対応するＹドライバーのアド
レスを決める信号にデコードされる。したがつ
て、デコードの仕方により表示状態を折線グラフ
あるいはバーグラフの選択ができ、Ｙドライバー
回路６から記憶型液晶表示パネル９へＹ軸のデー
タが与えられる。 また、時間軸のＸ軸方向のドライブは、カウン
ター１１で作られたパルス信号をシフトレジスタ
７に入力することで、Ｘ（軸）ドライバー回路８
の選択されるアドレスを順次切り換えて行なわれ
る。 なお、リセツト／スタートパルス発生回路１３
は、スタート信号をカウンタ１１へ与え、リセツ
ト信号をシフトレジスタ７と書き込み／消去制御
回路１４へ加える。 書き込み／消去制御回路１４は、タイミングパ
ルス発生回路１２からのタイミングパルスとリセ
ツト／スタートパルス発生回路１３からのリセツ
ト信号を受けて、Ｙドライバー回路６とＸドライ
バー回路８へ書き込み／消去を制御する信号を送
る。 このように、記憶型液晶表示パネル９の情報を
書き込みすべきドツトマトリツクス上の位置の選
択は、上述のような方法で行なうことができる
が、記憶型液晶表示パネル（セル）９の特性上の
問題から、セルの各電極は以下に示すような電位
関係が満足されるようにＹドライバー回路６、Ｘ
ドライバー回路８を制御する。 それでは、これから記憶型液晶表示パネル９に
適用する記憶型液晶セル並びに各電極に印加され
る電位関係について説明する。 液晶表示パネルは、低電圧、低消費電力という
利点を有する受光型の表示装置として近年広く実
用化され、また更に改良ならびに応用のための開
発研究が活発に進められている。特にコレステリ
ツク型液晶は、記憶作用、すなわち電界を取除い
たのちにも長時間表示を保持する能力を有する。
このため、この型の液晶を使用すれば、表示電力
の一層の低下が期待されるほか、マトリツクス型
の液晶表示パネルに使用するときに画像のちらつ
きを防止するために画面をリフレツシユする必要
がなくなり、また同時に表示できる走査線の数の
制約が飛躍的に緩和されるなどの特徴を有してい
る。なかでもｐ型すなわち正の誘電異方性を有す
るネマチツク液晶とコレステリツク液晶あるいは
カイラルネマチツク物質等の旋光性物質との混合
物であるいわゆるｐ型コレステリツク液晶は、ｎ
型すなわち負の誘電異方性を有するネマチツク液
晶とコレステリツク液晶との混合物であるいわゆ
るｎ型コレステリツク液晶に比べて、コントラス
ト比が高く、書き込み時間が短いなどの特長を有
するため、マトリツクス型液晶表示セルを中心と
しその利用が広く期待されている。 ところで、従来のCNT（コレステリツク−ネマ
テイツク相転移）型液晶セルでの行列表示におけ
る駆動方法の場合、デコーダより転送された温度
情報を順次任意の時間間隔で記録型液晶パネルに
書き込み、グラフ状の表示を行なうためには、不
都合を生ずる。すなわち、電極構造がＸ−Ｙマト
リツクス状であるため、ある特定の画素に電圧を
印加した場合、必然的に他の画素にも電圧変化が
生じて不具合であつた。 ここにおいて、本発明ではその欠点を回避する
ための手段が構じられている。 以下に、これを詳細に説明する。 ｐ型コレステリツク液晶を用いる記憶Ｘ−Ｙマ
トリツクス型液晶パネルにおいて、異なる状態に
ある液晶の印加電圧に対する応答特性の差異を適
切に利用すれば、このようなマトリツクス型液晶
表示パネルの部分的書換が可能であることが見出
された。 より詳しくは、本発明の記憶型液晶表示パネル
９の部分的書換方法は、複数の離間した帯状電極
からなるＸ−電極列とＹ−電極列とをそれぞれ表
面に有する一対の垂直配向処理した電極基板を、
Ｘ−電極列とＹ−電極列とが交叉するように対向
させ、この一対の電極基板間に正の誘電異方性を
有するネマチツク液晶と旋光性物質を含む混合液
晶を挾持させてなり、そのＹ−およびＹ−電極列
の電極交叉部を単位表示部とする記憶Ｘ−Ｙマト
リツクス型液晶表示パネル９を、まず基底状態の
液晶からなる透明表示部とフオーカルコニツク状
態の液晶からなる光散乱部とで形成される低電圧
表示状態におき、次いで下記の段階を含む操作を
行なうことによりＸ−電極列に含まれる帯状電極
群の一部の帯状電極に対応する表示を書き換える
ものである。 (イ) 前記フオーカルコニツク状態の液晶をホメオ
トロピツク状態に移行させるに充分な電圧をＸ
−電極列中の書換電極とＹ−電極列中の対向電
極との間に印加し、Ｘ−電極列中の非書換電極
には対向電極とほぼ同電位を印加して、前記書
換電極に接する表示部の液晶を選択的にホメオ
トロピツク状態にして消去する段階、 (ロ) 前記Ｘ−電極列中の書換電極の少くとも一部
を書込電極と定め、Ｙ−電極列中の少くとも−
電極を走査電極と定めて、各電極を以下の電圧
関係に保持する段階、 ａ Ｘ−電極列中の非書換電極とＹ−電極列中
の非走査電極とをほぼ同電位とする、 ｂ 走査電極には、フオーカルコニツク状態の
液晶とホメオトロピツク状態の液晶とがとも
に安定ないしは準安定に存在し得る電圧Ｖに
相当する電位を設定する、 ｃ 書換電極中の、書込電極には走査電極とほ
ぼ同電位を、非書込電極には走査電極と同じ
大きさの逆電位をそれぞれ設定する。 上記ａ、ｂ、ｃの関係は、前記書込電極と走
査電極とで挾持される被書込表示部に液晶のグ
ランジエン状態が形成されるに充分な時間で且
つ液晶が電圧Ｖの印加のもとに基底状態からフ
オーカルコニツク状態に相転移する時間内だけ
保持する。 (ハ) 前記作動電極を零電位とし、前記被書込表示
部の液晶に電圧Ｖを印加してグランジエン状態
の液晶がフオーカルコニツク状態へ転移するに
充分な時間保持する段階。 本発明に使用される記憶型液晶表示パネル９な
らびにその基本的動作原理は既知である（たとえ
ば、電子材料、1975年11月号第28〜33頁）が、本
発明の記憶型液晶パネル９の理解のために簡単に
繰り返す。 第２図は、本発明に使用される記憶型液晶表示
パネル９の一例の概念的断面図であり、これは帯
状のＸ−電極列２１ＸおよびＹ−電極列２１Ｙを
それぞれ一面を設けた少くとも一方が透明な一対
の電極基板２１の電極面に垂直配向処理をしてか
ら、その間にｐ型コレテリツク液晶２２を挾持さ
せ更に両電極を交流ないし直流電源２３に結合し
て、液晶２２に電界を印加可能に構成したもので
ある。なお電極配置ならびにその結線の詳細の図
示は省略する。 第３図は、ｐ型コレステリツク液晶の光透過率
−電圧特性を示すものである。ｐ型コレステリツ
ク液晶を垂直配向処理した一対の電極基板に最初
に挾持した状態においては、液晶は図のＳで示す
基底状態にある。このＳ状態は顕微鏡観察の結果
から渦状状態ともいわれ、垂直配向処理の結果と
して、電極基板の表面近傍では液晶分子が基板表
面に垂直に配向し、一方表面から離れるに従いｐ
型コレステリツク液晶固有のらせん状態（グラン
ジエン状態）、すなわち液晶分子が基板表面とほ
ぼ平行に配向し、基板表面から離れるに従いその
分子軸の方向が徐々に変わつている状態を形成し
た複合状態と考えられている。このような分子配
向の結果として、Ｓ状態においては液晶は実質的
に透明である。 このＳ状態にある液晶に、電圧を印加し、それ
を上昇して行くと、液晶は第３図の実線に沿つて
矢印の方向に進み、あるしきい値電圧V_Lを越え
て、図のＦで示すフオーカルコニツク状態に変化
する。このＦ状態では液晶は光を散乱して白濁し
ている。更に印加電圧を上げると液晶はしきい値
電圧V_Hを過ぎて、図のＨで示すホメオトロピツ
ク状態に移る。このＨ状態では、液晶分子は加え
られた電界により強制的に電極基板に垂直に配向
され、その透明度は最大となる。ただし、肉眼で
はこのＨ状態の透明度とＳ状態のそれとは殆んど
区別がつかない程度である。 次いでＨ状態にある液晶について印加電圧を
徐々に低下して行くと、ヒステリシスを示し、し
きい値電圧V_Hを過ぎてもホメオトロピツク状態
が継続し（図のH′状態）、ある電圧値V_H′を過ぎ
てＦ状態へと移行する。Ｆ状態から更に電圧を低
下すると、今度はV_Lを過ぎてもＳ状態には戻ら
ず、電圧Ｏにおいてフオーカルコニツク状態のま
ま準安定化する。図にF′で示すこの準安定フオー
カルコニツク状態の液晶は、非常に長期間おけれ
ば徐々にＳ状態へ移行するが、数日ないし数カ月
の程度では安定であると見なされる。 一方ＨまたはH′状態にある液晶に対し、印加
電圧を急激にＯボルト近傍まで低下し、ここで一
定の緩和時間H_HG以上保持すると、今度はＦ状態
にはならず、コレステリツク液晶固有のグランジ
エン状態に似たらせん構造を持つG′状態（本明
細書ではこれをグランジエン状態と称する）にな
る。このG′状態の液晶を緩和時間τGS以上印加電
圧０の状態に保持すると基底のＳ状態に戻るが、
ここでV_H′＜Ｖ＜V_Hの条件にある電圧Ｖを印加し
て、緩和時間τGF以上保持すると液晶は、再びフ
オーカルコニツク状態になる。ここで各種の状態
変化に伴う緩和時間には、以下の関係が成立する
ことが実験的に確認されている。 τ_SF＝200〜300ｍｓ τ_HG＝１〜２ｍＳ τ_GF＝５〜50ｍＳ τ_HF＝τ_HG＋τ_GF≒30ｍＳ≪τ_SF なお、τ_SFは基底のＳ状態からフオーカルコニ
ツク状態Ｆへ至る緩和時間である。 第３図を用いて説明したｐ型コレステリツク液
晶の光透過率−電圧特性を利用して記憶表示が行
われる。すなわち、一旦全体の液晶をＨまたは
H′状態まで移行したのち、表示部については電
圧を徐々に低下してＦ状態を経てOV近傍で光散
乱状態のF′状態とし、非表示部についてはＨまた
はH′状態から電圧を急激に低下して透明なＳ状
態に移行させると、この両状態は比較的長期間そ
のまま安定表示を続ける。 記憶表示は別の方法により行うこともできる。
これは電圧V_H′とV_Hの間でＦ状態とH′状態がと
もに安定して得ることならびにH′状態にある液
晶をある相転移に充分な時間すなわち緩和時間
τ_HG以上0Vに落し再びV_H′とV_Hの間の電圧に戻す
とＦ状態で安定化するという事実を利用するもの
である。すなわち、一旦全液晶要素をH′状態と
し、次いで表示部の要素のみを時間τ_HG以上0Vに
落してからV_H′とV_Hの間の電圧に戻すことによ
り、Ｆ状態とH′状態で表示を行うことができる。
このＦ状態とH′状態は電圧を急激に低下すれば
それぞれF′およびＳ状態に移行する。この方法に
よれば前記方法に比べて記憶表示が迅速化する利
点がある。 さて、本発明に従う、マトリツクス型液晶表示
パネル９の部分的書換え方法は、前述した各種状
態変化に伴う緩和時間の差異、特に τ_HF＜τ_SF の関係を利用して行われる。以下、その方法の実
施例をＸ−Ｙマトリツクス型液晶表示パネル９の
一例について説明する。 X₁〜X₅の５つの帯状電極からなるＸ−電極列
と、Y₁〜Y₃の３つの帯状電極からなるＹ−電極
列が対向基板上に設けられ、各電極の交叉部に１
５の表示部が形成された第４図に示すような平面
マトリツクス配置の液晶表示装置を用いすものと
する。以下の説明では、たとえば、電極X₄と電
極Y₃との交叉部に形成される表示部をD₄₃と表示
する。 今、第５図ａに示すような表示状態（斜線で示
した表示部が光散乱状態、その他の表示部は透明
状態）にある表示装置中のX₃〜X₅の電極を書換
電極と定めて書換操作を行い、最終的に第５図ｂ
の表示状態にするものとする。第５図ａの状態で
は、全ての電極列中の電位が同等（典型的には０
電位）で、各表示部の液晶にかかる電圧は０であ
る。 本発明に従い、まず各電極に第６図ａのような
電位を与える。ここで欄外に示した値が各電極に
与えられる電位であり、各表示部に示した値はそ
の表示部の液晶に印加される電圧（Ｙ電極の電位
−Ｘ電極の電位）である。ここで電圧Ｖは、フオ
ーカルコニツク状態の液晶とホメオトロピツク状
態の液晶がともに安定ないしは準安定に存在し得
る電圧（V_H′＜Ｖ＜V_H）であり、2Vは準安定フ
オーカルコニツク状態の液晶をホメオトロピツク
状態に移行させるに充分な電圧（2V＞V_H）とな
る。この状態で時間τ_SH以上保持すると第６図ｂ
の表示状態、すなわち書換電極X₃〜X₅の構成す
る表示部D₃₁〜D₅₃の消去が得られ、その時の各
表示部の状態は第６図ｃに示す通りである。 次いで電極X₃を走査電極と定め、電極Y₃を書
込電極と定めて、各電極に第７図ａに示す電位を
与え、時間t₁（τ_HG＜t₁≪τ_SF保持する。この結果、
第７図ｃに示すように表示部D₃₃にはG′状態（グ
ランジエン状態）が形成されるが、表示部D₁₁，
D₁₂，D₂₁，D₂₂は電圧Ｖの印加時間t₁がt₁≪τ_SFと
短いためＳ状態に止まり、第７図ｂの表示状態
（表示部D₃₃の点斜線はG′状態に相当して透明度
の幾分低下した状態を示す）が得られる。なお液
晶にかかる電圧はその絶対値のみが問題であり、
方向性は問題でない。したがつて、表示部D₁₃等
にかかる−Ｖの電圧は電圧Ｖと全く同じ作用を
し、第７図ａに示す各電極の電位の符号を全て逆
にしたときにも、全く同様に第７図ｂ，ｃの表示
状態が得られる。 ここで第８図ａに示すように走査電極Y₃を０
電位に落し、時間t₁′（＞τ_GF）保持すると、第８図
ｂ，ｃに示すように表示部D₃₃はＦ状態に変化
し、書込が行われる。ここで操作時間t₁，t₁′はt₁
＋t₁′＜τ_SFの条件が満されるように設定する。 上記一連の操作は、本発明での表示方法の最も
基本的な実施態様であり、第５図ａから第８図ｂ
の表示状態へと部分的な書換が行われたことを意
味する。そして、従来は、上記操作の過程で、第
７図ａならびに第８図ａの状態で非書換表示部中
のＳ状態にあるD₁₁等の光透過性表示部が電圧Ｖ
の印加により光散乱状態へと変化するため、この
ようなＸ−Ｙマトリツクス型液晶表示装置の部分
的書換は不可と考えられていたのに対し、本発明
では、非書換表示部への印加電圧Ｖをτ_SFより短
い時間だけ保持することにより非書換表示部の変
化を伴うことなく選択的な書換え（この場合、表
示部D₃₁〜D₅₃を消去して、表示部D₃₃への書込）
が行えるようになつたのである。なお、このよう
に部分的に書換えの行われた画像の記憶画像への
変換については後述する。 既に述べたように上記一連の操作により、本発
明における表示部の実施は一応完結する。しか
し、第５図ｂの表示状態へと書換を行うためには
更に以下の操作を行う。すなわち、第７図の状態
から、第８図の状態を経ずに、今度は電極X₄を
走査電極と定め、電極Y₂を書込電極と定めて、
各電極に第９図ａの電位を与え、時間t₂（τ_HG＜t₂
≪τ_SF）保持する。これにより第９図ｂ，ｃで表
わす表示状態が得られる。すなわち、電極X₃は
電位０となり表示部D₃₃についてG′状態からＦ状
態への変化、すなわち書込が行われ、一方、走査
電極X₄に対応して表示部D₄₂ではG′状態への変
換、すなわち書込予備操作が行われていることに
なる。 更に電極X₅を走査電極と定め、電極Y₁，Y₂を
書込電極と定めて、各電極に第１０図ａの電位を
与える時間t₃（τ_HG＜t₃≪τ_SF）保持する。これによ
り第１０図ｂ，ｃの表示状態が得られる。ここに
おける変化は第９図において説明したと実質的に
同じである。 次いで第１１図ａに示すように走査電極X₅の
電位を０として時間t₃′（＞τ_GF）保持すれば、第８
図を用いて説明したように表示部D₅₁およびD₅₂
に書込が行われ第１１図ｂ，ｃ表示状態が得られ
る。なお第９図、第１０図において保持時間t₂，
t₃がτ_GEより大でないと表示部D₃₃（第９図ｂ，ｃ
や表示部D₄₂（第１０図ｂ，ｃ）はG′状態に止ま
り、図示の状態変化が起つていない可能性があ
る。しかし、いずれにしても、その後の操作でこ
れら表示部には電圧Ｖが印加されるので時点の差
はあれ、Ｆ状態への変化は確保される。 このようにして得られた書換画像を記憶画像と
して定着させるためには、Ｘ−電極列およびＹ−
電極列の表示に関与する電極間を第１２図ａに示
すように同電位（典型的には０電位）とすればよ
い。これにより第１２図ｂ，ｃのような表示状態
の記憶画像が得られる。なお第８図に図示の表示
状態を記憶画像として定着することも同様に行う
ことができる。 以上で第５図ａから第５図ｂ、すなわち第１１
図ｂ、の表示状態への一連の書換操作が行われた
ことになる。これら一連の操作において、第７図
〜第１１図により説明した過程では、非書込電極
に接するD₁₁の表示部にも絶えず電圧Ｖが印加さ
れている。したがつて、一連の操作時間の合計t₁
＋t₂＋t₃＋t₃′をτ_SFより短い時間としてこれら表示
部の変化を防止せねばならない。この際の走査の
最大数ＮはＮ×τ_HG＋τ_GF＜τ_SFよりτ_N＜τ_SF−τ_GF
／τ_HGで 与えられる。このため、多列表示部を有する表示
装置については、一連の操作時間がτ_SFに近づい
たら第１１図（あるいは第８図）と第１２図で説
明した定着操作を挿入し、その後、更に書換操作
を継続することが必要である。 上記においては、平行直線状の帯状Ｘ−、Ｙ−
電極の組合せからなる直交マトリツクス型液晶表
示パネルについて説明した。しかしながら、帯状
電極の形状は任意であり、斜交マトリツクスはも
ちろん曲線帯状Ｘ−、Ｙ−電極の組合せからなる
７セグメント・デイジタル表示マトリツクス等に
ついても適用できることは容易に理解できよう。 なお、電極間に印加する電圧は、交流電圧でも
直流電圧でもよい。但し、V_H、V_H′等のしきい値
電圧ならびに緩和時間は多少交流と直流とで異り
得る。一般的に云つて、実際には直流では容量成
分の影響を受けて応答緩和速度が遅くなる傾向に
ある。上述した数値は30Hz〜10KHz程度の交流の
値である。 上述したように、本発明で用いるｐ型コレステ
リツク液晶はｐ型ネマチツク液晶と旋光性物質と
の混合液晶であり、ここで旋光性物質とはコレス
テリツク液晶に加えてネマチツク液晶の分子鎖に
不斉炭素を有するカイラル・ネマチツク物質を含
むものであり、ネマチツク液晶にらせんを誘導す
る効果を持つ他の光学活性物質も使用できる。 本発明で用いる混合液晶は、一般には旋光性物
質を５〜35重量％含み残部が実質的にｐ型ネマチ
ツク液晶であつて、らせんピツチが約１〜約5μ
ｍのものが好ましく用いられる。らせんピツチが
上限を越えると、らせんピツチが大きすぎるた
め、電極間隙が10μ程度の表示装置では充分なコ
ントラストが得られず、また記憶時間も短くな
り、実用性に乏しい。電極間隙が15μを超える表
示装置ではピツチ5μ以上のものが用いうるが、
応答速度の低下、電圧の上昇が著しく実用性に乏
しい。また下限未満ではコントラストは高く、記
憶時間は長くなるが、ＨまたはH′からＳ状態へ
の移行に時間がかかりすぎ実用性に乏しい。電極
間隙が3μより薄い表示装置はコントラストが低
くまた製作技術の点からも均一な厚みのコントロ
ールが困難で実用性に乏しい。 適当な混合液晶の一例として以下の組成（重量
比）を有するものが挙げられる。 液晶組成物 本発明で用いる電極基板は、電極面においてこ
れと接する液晶分子を、少くとも表面近傍におい
て垂直に配向させるものである必要がある。電極
面にこのような性質を付与するためには直鎖アル
キル基を有するアミン類、または直鎖アルキル基
を有するシラン類、またポリジメチルシロキサン
あるいはそのメチル基の一部をフエニル基その他
に置換したシリコーン系垂直配向処理剤の塗布が
挙げられるが、これに限らず酸化硅素等の無機系
被膜等任意の垂直配向処理が可能である。 なお応用としてこのように形成された液晶表示
装置を一対の偏光板に挾むかあるいは位相差板を
間に併用し、または前面に偏光板を、裏面に位相
差板と反射板を併用することにより、散乱部と透
過部とで異なる複屈折状態を利用して色対比を行
うこともできる。 このようにして、本発明の表示手段によれば、
表示に利用される各種液晶状態の印加電圧に対す
る応答特性の差異、特に状態変化に伴う緩和時間
の差異を利用することにより、記憶Ｘ−Ｙマトリ
ツクス型液晶表示パネルの部分的書換を行なうこ
とができる。 以上により、Ｙドライバー回路６、Ｘドライバ
ー回路８は選択された画素に対応するＸ，Ｙ各々
の電極以外はすべて同電位を維持するような機能
を有するものであればよい。これはロジツク回路
の合成により容易に実現可能である。 なお、この実施例でのクロツクパルス発生回路
１０は、水晶発振器により周波数基準信号を発生
させている。 また、センサ部を湿度センサ、ガスセンサ、圧
力センサその他目的に応じたセンサに変えること
により、温度以外の情報、データの記憶も可能で
あり、記憶型液晶表示パネル９における表示とし
ては、折れ線表示、バーグラフ表示等任意になさ
れうる。 かくして、本発明によれば、 ○カ 記憶型液晶表示パネル自身にメモリ機能があ
るため、その駆動回路側に特別な記憶装置を必
要とせず、通常の液晶表示パネルを用いた温度
記録装置にあるようなメモリおよびその制御部
を除くことができ、回路の簡略化がなされう
る。 ○キ 測温精度が高い。センサに何を用いるかで精
度が決まつてしまうが、少なくとも1/10℃程度
の精度での測温は容易に実現できる。 ○ク 比較的短時間の記録から長期間の記録まで、
１つの装置で、しかも精度良く行なえる。 測温する間隔が広い範囲で設定可能である。 すなわち、第１図におけるカウンター１１
（分周器）のカウント数（分周比）の設定によ
り可変できる。例えば１日おき、１時間おき等
も可能である。さらにこのとき、タイミング設
定状態に合わせ表示装置の時間軸の目盛または
単位が変更される。 また、時間の基準は水晶振動子を用いること
により、広い温度範囲で使用しても、この装置
の使用目的が十分達成される程度の精度が保障
される。 ○ケ 表示状態の自由度が高い。 記憶型液晶表示パネル９はドツトマトリツク
ス状のものを用いるため、折れ線グラフかバー
グラフのいずれかの表示が選べる。 ○コ 装温可能な範囲が広い。 目的に応じて温度センサ１を交換することに
より、測温範囲を広くすることができる。 しかも、増幅器２の増幅度およびオフセツト
調整回路３のオフセツト量を選定することによ
り、測温感度および表示範囲を選ぶことができ
る。 したがつて、本発明は、長期間にわたる流通過
程の環境温度の記録、輸送機関中における各部の
温度測定、海上コンテナが保冷コンテナ中の温度
記録、長期保存品の環境温度記録などの用に供さ
れうる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロツ
ク図、第２図はその記憶型液晶表示パネルの例を
概念的に示す断面図、第３図はｐ型コレステリツ
ク液晶の光透過率−電圧曲線、第４図〜第１２図
は表示装置の表示マトリツクスの一例の概念的平
面図であり、第４図は電極および単位表示部の配
置図、第５図ａ，ｂはそれぞれ本発明法による部
分的書換の前後の表示状態図である。第６図ａ〜
第１２図ａはいずれも、各電極への電位分布なら
びに各表示部への電圧分布を示す図であり、第６
図ｂ〜第１２図ｂは対応する表示状態図、第６図
ｃ〜第１２図ｃは対応する各表示部での液晶の存
在状態を示す図である。 １……温度センサ、２……増幅器、３……オフ
セツト調整回路、４……Ａ／Ｄコンバータ、５…
…デコーダ、６……Ｙドライバー回路、７……シ
フトレジスタ、８……Ｘドライバー回路、９……
記憶型液晶表示パネル、１０……クロツクパルス
発生回路、１１……カウンタ、１２……タイミン
グパルス発生回路、１３……リセツト／スタート
パルス発生回路、１４……書き込み／消去制御回
路、２１……電極基板、２２……ｐ型コレステリ
ツク液晶、２１ｘ，２１ｙ……それぞれＸ−電極
列およびＹ−電極列を形成する透明電極、２３…
…電源、Ｓ……基底状態、Ｆ……フオーカルコニ
ツク状態、Ｈ……ホメオトロピツク状態、H′…
…準ホメオトロピツク状態、F′……準フオーカル
コニツク状態、G′……グランジエン状態、V_L…
…Ｓ→Ｆ状態変化のしきい値電圧、V_H′……H′→
Ｆ状態変化のしきい値電圧、V_H……Ｆ→Ｈ状態
変化のしきい値電圧、Ｖ……ホメオトロピツク状
態とフオーカルコニツク状態が共に安定ないし準
安定に存在し得る電圧又はこれに相当する電位。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 被測温体に設けられた温度センサと、その温
   度センサからの出力信号を増幅し感度の選定を行
   なう増幅器と、表示範囲の調整をするオフセツト
   調整回路と、そのオフセツト調整回路の出力をア
   ナログ量からデイジタル量へ変換しタイミングパ
   ルス発生回路からのパルス信号を基にデータのサ
   ンプリングと次段のデコーダへの転送を行なう
   Ａ／Ｄコンバータと、その転送されて来たデータ
   のＹドライバー回路の対応するアドレスを決める
   信号にデコードされるデコーダと、このデコーダ
   出力で記憶型液晶表示パネルのＹ軸を働かすＹド
   ライバー回路と、クロツクパルスを発生するクロ
   ツクパルス発生回路と、このクロツクパルスを分
   周しその出力パルスを前記タイミングパルス発生
   回路とシフトレジスタへ与えるカウンターと、そ
   のカウンターからのパルスを入力し記憶型液晶表
   示パネルのＸドライバー回路の選択されるアドレ
   スを順次切り換えるシフトレジスタと、このシフ
   トレジスタ出力で記憶型液晶表示パネルのＸ軸を
   ドライブするＸドライバー回路と、前記タイミン
   グパルス発生回路からのパルス信号を基に書き込
   み制御しリセツト／スタートパルス制御回路から
   のリセツト信号を基に消去制御を行なうように前
   記Ｙドライバー回路と前記Ｘドライバー回路へ制
   御信号を出力する書き込み／消去制御回路と、前
   記カウンターへスタート信号を与え前記書き込
   み／消去制御回路と前記シフトレジスタへリセツ
   ト信号を加えるリセツト／スタートパルス発生器
   と、前記Ｙドライバー回路と前記Ｘドライバー回
   路のそれぞれの出力により前記データを表示する
   記憶型液晶表示パネルを具備したことを特徴とす
   る記憶型液晶表示パネルを用いた温度記録装置。