JPH07120143B2 - 表示パネルの情報読出し法及び表示パネルの情報読出し装置 - Google Patents
表示パネルの情報読出し法及び表示パネルの情報読出し装置Info
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- JPH07120143B2 JPH07120143B2 JP61129803A JP12980386A JPH07120143B2 JP H07120143 B2 JPH07120143 B2 JP H07120143B2 JP 61129803 A JP61129803 A JP 61129803A JP 12980386 A JP12980386 A JP 12980386A JP H07120143 B2 JPH07120143 B2 JP H07120143B2
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、表示パネル、特に強誘電性液晶素子を用いた
表示パネルの情報読出し法に関する。
表示パネルの情報読出し法に関する。
従来、この種の液晶デイスプレイに於いては、スメクチ
ツクＡ相液晶の熱電気光学効果を応用したものが知られ
ている。この熱電気光学効果を応用した表示パネルでは
液晶の一軸性配向状態と散乱状態との静電容量差を電気
的に検知することによって、書込み情報を読出す方法が
採用されていた。
ツクＡ相液晶の熱電気光学効果を応用したものが知られ
ている。この熱電気光学効果を応用した表示パネルでは
液晶の一軸性配向状態と散乱状態との静電容量差を電気
的に検知することによって、書込み情報を読出す方法が
採用されていた。
前述した熱電気光学効果を応用した表示パネルは、書込
み速度が遅い上、装置が大型であるためワードプロセッ
サーや電子タイプライターで使用している表示部への適
用が困難となっている問題点がある。
み速度が遅い上、装置が大型であるためワードプロセッ
サーや電子タイプライターで使用している表示部への適
用が困難となっている問題点がある。
ところで、クラークらは、米国特許第4367924号公報
で、書込み情報が表示パネルにそのままメモリーされる
強誘電性液晶素子を提案している。
で、書込み情報が表示パネルにそのままメモリーされる
強誘電性液晶素子を提案している。
しかし、この強誘電性液晶素子は、後述する様に第１と
第２の安定配向状態間の遷移に応じて、その双極子モー
メントの向きが逆転するだけであるため、静電容量には
何等変化を生じない。従って、前述した配向状態の相違
によって生じる静電容量差を検知することによって書込
み情報の読出しを行なうことが不可能であり、現在まで
のところ、強誘電性液晶素子を用いた表示パネルにおけ
る情報読出し法については全く見い出されていないのが
現状である。
第２の安定配向状態間の遷移に応じて、その双極子モー
メントの向きが逆転するだけであるため、静電容量には
何等変化を生じない。従って、前述した配向状態の相違
によって生じる静電容量差を検知することによって書込
み情報の読出しを行なうことが不可能であり、現在まで
のところ、強誘電性液晶素子を用いた表示パネルにおけ
る情報読出し法については全く見い出されていないのが
現状である。
〔問題点を解決する為の手段〕及び〔作用〕 本発明の目的は、新規な情報読出し法、特に強誘電性液
晶素子を用いた表示パネルの情報読出し法を提供するこ
とにある。
晶素子を用いた表示パネルの情報読出し法を提供するこ
とにある。
本発明は、相対する電極と該電極間に配置した強誘電性
液晶とを有する画素を配列した液晶素子と、光学検知手
段とを備えた表示パネルに書込まれた情報を読み出すに
当たって、前記画素に検出用信号電圧を印加し、その時
に生じる強誘電性液晶の分極反転電流を検出することに
よって、該画素の書込み状態を読出す表示パネルの情報
読出し法に特徴を有している。
液晶とを有する画素を配列した液晶素子と、光学検知手
段とを備えた表示パネルに書込まれた情報を読み出すに
当たって、前記画素に検出用信号電圧を印加し、その時
に生じる強誘電性液晶の分極反転電流を検出することに
よって、該画素の書込み状態を読出す表示パネルの情報
読出し法に特徴を有している。
以下、本発明を図面に従って説明する。
第１図は、本発明の読出し方法を用いた強誘電性液晶デ
イスプレイパネルの読出し回路であり、11は基板（ガラ
ス）19上に形成されたデータ線（信号電極）、12は基板
（ガラス）10上に形成された走査線（走査電極）、13は
各走査電極に対して検出用信号電圧Vinと接地電位の何
れか一方を選択する垂直スイツチ、14は各々信号電極に
流れる検出電流Ioutを選択する水平スイツチ、15は
「白」状態の１画素に対する等価回路、16I/Vコンバー
ター、17は差動アンプ、18はコンパレーターである。
イスプレイパネルの読出し回路であり、11は基板（ガラ
ス）19上に形成されたデータ線（信号電極）、12は基板
（ガラス）10上に形成された走査線（走査電極）、13は
各走査電極に対して検出用信号電圧Vinと接地電位の何
れか一方を選択する垂直スイツチ、14は各々信号電極に
流れる検出電流Ioutを選択する水平スイツチ、15は
「白」状態の１画素に対する等価回路、16I/Vコンバー
ター、17は差動アンプ、18はコンパレーターである。
前述の走査電極と信号電極は、ITO（インジウム−テイ
ン−オキサイド）などの透明な電極によって形成され
る。
ン−オキサイド）などの透明な電極によって形成され
る。
基板19と10との間には、強誘電性液晶が封入されて居
り、セル構造を成している。ここで用いる液晶材料とし
て、特に適したものは、カイラルスメクチツク液晶であ
って、強誘電性を有するものである。具体的にはカイラ
ルスメクチツクＣ相（SmC＊）、カイラルスメクチツク
Ｇ相（SmG＊）、カイラルスメクチツクＦ相（SmF＊）、
カイラルスメクチツクＩ相（SmI＊）又はカイラルスメ
クチツクＨ相（SmH＊）の液晶を用いることができる。
り、セル構造を成している。ここで用いる液晶材料とし
て、特に適したものは、カイラルスメクチツク液晶であ
って、強誘電性を有するものである。具体的にはカイラ
ルスメクチツクＣ相（SmC＊）、カイラルスメクチツク
Ｇ相（SmG＊）、カイラルスメクチツクＦ相（SmF＊）、
カイラルスメクチツクＩ相（SmI＊）又はカイラルスメ
クチツクＨ相（SmH＊）の液晶を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえば“ル・ジユル
ナール・ド・フイジーク・レツトル”（“LEJOURNAL DE
PHYSIQUEP LETTER"）第36巻（Ｌ−69）,1975年発行の
「フエロエレクトリツク・リキツド・クリスタルス」
（「Ferroelectric Liquid Crystals」）：“アプライ
ド・フイジイツクス・レターズ”（“Applied Physics
Letters"）第36巻，第11号,1980年発行の「サブミクロ
・セカンド・バイステイブル・エレクトロオプテイツク
・スイツチング・イン・リキツド・クリスタルス（「Su
bmicro Second Bistable Electrooptic Switching in L
iquid Crystals」）：“固体物理"16（141）1981「液
晶」等に記載されており、本発明ではこれらに開示され
た強誘電性液晶を用いることができる。
ナール・ド・フイジーク・レツトル”（“LEJOURNAL DE
PHYSIQUEP LETTER"）第36巻（Ｌ−69）,1975年発行の
「フエロエレクトリツク・リキツド・クリスタルス」
（「Ferroelectric Liquid Crystals」）：“アプライ
ド・フイジイツクス・レターズ”（“Applied Physics
Letters"）第36巻，第11号,1980年発行の「サブミクロ
・セカンド・バイステイブル・エレクトロオプテイツク
・スイツチング・イン・リキツド・クリスタルス（「Su
bmicro Second Bistable Electrooptic Switching in L
iquid Crystals」）：“固体物理"16（141）1981「液
晶」等に記載されており、本発明ではこれらに開示され
た強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（DOBAMBC）、ヘキシルオキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン
−４′−オクチルアニリン（MBRA8）が挙げられる。特
に、好ましい強誘電性液晶としては、これより高温側
で、コレステリツク相を示すものを用いることができ、
例えばビフエニルエステル系液晶を用いることができ
る。
ジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（DOBAMBC）、ヘキシルオキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン
−４′−オクチルアニリン（MBRA8）が挙げられる。特
に、好ましい強誘電性液晶としては、これより高温側
で、コレステリツク相を示すものを用いることができ、
例えばビフエニルエステル系液晶を用いることができ
る。
第３図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。以下、所望の相としてSm
C＊を例にとって説明する。
を模式的に描いたものである。以下、所望の相としてSm
C＊を例にとって説明する。
31aと31bは、In2O3、SnO2あるいはITO（Indium−Tin Ox
ide）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガ
ラス板）であり、その間に液晶分子層32がガラス面に垂
直になるように配向したSmC＊相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線33が液晶分子を表わしており、この
液晶分子33は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成
している。このらせん構造の中心軸36と液晶分子33の軸
方向とのなす角度として表わす。この液晶分子33は、
その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）34
を有している。基板31aと31b上の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子33のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）34がすべて電界方向に向
くよう、液晶分子33は配向方向を変えることができる。
液晶分子33は、細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面の上下に互いにクロスニコル偏光子を置けば、電圧印
加極性によって光学特性が変わる液晶光学素子及びデイ
スプレイとなることは、容易に理解される。
ide）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガ
ラス板）であり、その間に液晶分子層32がガラス面に垂
直になるように配向したSmC＊相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線33が液晶分子を表わしており、この
液晶分子33は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成
している。このらせん構造の中心軸36と液晶分子33の軸
方向とのなす角度として表わす。この液晶分子33は、
その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）34
を有している。基板31aと31b上の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子33のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）34がすべて電界方向に向
くよう、液晶分子33は配向方向を変えることができる。
液晶分子33は、細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面の上下に互いにクロスニコル偏光子を置けば、電圧印
加極性によって光学特性が変わる液晶光学素子及びデイ
スプレイとなることは、容易に理解される。
本発明の液晶デイスプレイで好ましく用いられる液晶セ
ルは、その厚さを充分に薄く（例えば10μｍ以下）する
ことができる。このように液晶層が薄くなるにしたが
い、第４図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、
その双極子モーメントPaまたはPbは上向（44a）又は下
向き（44b）のどちらかの状態をとる。この液晶分子軸4
3aの分子軸と43bのなす角度の1/2の角度をチルト角
（θ）と称し、このチルト角（θ）はらせん構造をとる
時のコーンのなす頂角の1/2に等しい。このようなセル
に、一定の閾値以上の極性の異る電界Ea又はEbを電圧印
加手段41aと41bにより付与すると、双極子モーメント
は、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向き44a
又は下向き44bと向きを変え、それに応じて液晶分子
は、第１の安定状態43aかあるいは第２の安定状態43bの
何れか一方に配向する。
ルは、その厚さを充分に薄く（例えば10μｍ以下）する
ことができる。このように液晶層が薄くなるにしたが
い、第４図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、
その双極子モーメントPaまたはPbは上向（44a）又は下
向き（44b）のどちらかの状態をとる。この液晶分子軸4
3aの分子軸と43bのなす角度の1/2の角度をチルト角
（θ）と称し、このチルト角（θ）はらせん構造をとる
時のコーンのなす頂角の1/2に等しい。このようなセル
に、一定の閾値以上の極性の異る電界Ea又はEbを電圧印
加手段41aと41bにより付与すると、双極子モーメント
は、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向き44a
又は下向き44bと向きを変え、それに応じて液晶分子
は、第１の安定状態43aかあるいは第２の安定状態43bの
何れか一方に配向する。
このような強誘電性を液晶デイスプレイとして用いるこ
との利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応
答速度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向
が双安定性を有することである。第２の点を、例えば第
４図によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶
分子は第１の安定状態43に配向するが、この状態は電界
を切っても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は第２の安定状態43bに配向してその分子
の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留
っている。つまり、メモリー性を有している。
との利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応
答速度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向
が双安定性を有することである。第２の点を、例えば第
４図によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶
分子は第１の安定状態43に配向するが、この状態は電界
を切っても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は第２の安定状態43bに配向してその分子
の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留
っている。つまり、メモリー性を有している。
従って各々の信号電極11と各々の走査電極12との間に電
界Ea又はEbを印加することによって、第１又は第２の安
定状態に配向された強誘電性液晶の分子を有している各
画素は、電界が切られた後でも、その配向状態を維持
し、この第１及び第２の安定状態に基づいて、パネル上
に画像が表示され、その表示はそのまま保持される。
界Ea又はEbを印加することによって、第１又は第２の安
定状態に配向された強誘電性液晶の分子を有している各
画素は、電界が切られた後でも、その配向状態を維持
し、この第１及び第２の安定状態に基づいて、パネル上
に画像が表示され、その表示はそのまま保持される。
ここで、第４図中の電圧印加手段41aは、それぞれ信号
電極11に、電圧印加手段41bは走査電極12に対応して居
り、電界Eaにより生じる第１の安定状態が「黒」、電界
Ebにより生じる第２の安定状態が「白」の視覚を与える
ように偏光子（図示せず）等が設定されている。そこで
以後第１の安定状態は「黒」状態、第２の安定状態は
「白」状態と呼び、「黒」から「白」へ（又は「白」か
ら「黒」へ）の配向状態の変化を反転と呼ぶ。
電極11に、電圧印加手段41bは走査電極12に対応して居
り、電界Eaにより生じる第１の安定状態が「黒」、電界
Ebにより生じる第２の安定状態が「白」の視覚を与える
ように偏光子（図示せず）等が設定されている。そこで
以後第１の安定状態は「黒」状態、第２の安定状態は
「白」状態と呼び、「黒」から「白」へ（又は「白」か
ら「黒」へ）の配向状態の変化を反転と呼ぶ。
第２図に、本発明の読出し方法の原理を示す。例えば、
１−１番目の画素の状態を読出すとき、第２図（ａ）で
示される様な一定の電圧上昇パルスを有する反転の閾値
以下の検出用信号電圧Vinを１番目の走査電極に印加
し、１番目の信号電極に反転の閾値以下のバイアス電圧
−VBを印加して、該電極に流れ出す電流Ioutを検出す
る。但し、−VBはI/Vコンバータ16を通して印加されて
いる。このとき１−１番目の画素内の液晶には、Vinと
−VBとの作用によりEb方向の上昇電界が印加される為、
該電界が閾値以上になると、該画素が「黒」状態の場合
には「白」状態に液晶の配向を反転する。但し、ここで
Vin＋Vbは該閾値を越えるように設定している。ところ
で、このように強誘電性液晶が反転する場合には、該液
晶の自発分極に起因する分極反転電流Ipが流れる為、
「黒」状態の１−１番目画素から流れ出す該電流Ioutは
第２図（ｂ）で示されるような分極反転電流Ipの瘤を有
する電流波形になる。一方、該画素が「白」状態の場合
には、液晶の配向は変わらず、分極反転電流Ipは流れな
い為、第２図中Irefで示されるようなIpの瘤の無い波形
の電流Ioutが検出される。従って、このような検出電流
Ioutにおける分極反転電流Ipの瘤の有無を判別すること
によって、各画素の状態つまりデイスプレイパネル上に
表示されている画像情報を読み出すことが可能となる。
また、ここで閾値以下のVinと−VBとの組合わせにより
注目画素の反転を行なったが、これは他画素の反転を防
止している。
１−１番目の画素の状態を読出すとき、第２図（ａ）で
示される様な一定の電圧上昇パルスを有する反転の閾値
以下の検出用信号電圧Vinを１番目の走査電極に印加
し、１番目の信号電極に反転の閾値以下のバイアス電圧
−VBを印加して、該電極に流れ出す電流Ioutを検出す
る。但し、−VBはI/Vコンバータ16を通して印加されて
いる。このとき１−１番目の画素内の液晶には、Vinと
−VBとの作用によりEb方向の上昇電界が印加される為、
該電界が閾値以上になると、該画素が「黒」状態の場合
には「白」状態に液晶の配向を反転する。但し、ここで
Vin＋Vbは該閾値を越えるように設定している。ところ
で、このように強誘電性液晶が反転する場合には、該液
晶の自発分極に起因する分極反転電流Ipが流れる為、
「黒」状態の１−１番目画素から流れ出す該電流Ioutは
第２図（ｂ）で示されるような分極反転電流Ipの瘤を有
する電流波形になる。一方、該画素が「白」状態の場合
には、液晶の配向は変わらず、分極反転電流Ipは流れな
い為、第２図中Irefで示されるようなIpの瘤の無い波形
の電流Ioutが検出される。従って、このような検出電流
Ioutにおける分極反転電流Ipの瘤の有無を判別すること
によって、各画素の状態つまりデイスプレイパネル上に
表示されている画像情報を読み出すことが可能となる。
また、ここで閾値以下のVinと−VBとの組合わせにより
注目画素の反転を行なったが、これは他画素の反転を防
止している。
分極反転電流Ipの有無の判別については、まず「白」状
態の一画素に相当し、本マトリクスに於ける該画素から
の標準的検出電流を与える等価回路15を設け、該等価回
路に検出用信号電圧Vinとバイアス電圧−VBを印加して
得られるリフアレンス電流Irefと、前記検出電流Ioutと
をI/Vコンバーター16にて、それぞれ電圧信号に変換し
て、差動アンプ17に入力する。これにて得られる出力電
圧Voutは、前記リフアレンス電流Irefと検出電流Ioutと
の差分を電圧にて表わした電圧波形となり、第２図
（ｃ）に示されるように、検出画素が「黒」状態であれ
ば分極反転電流Ipに対応した瘤状電圧波形Vpのみが現れ
る。一方、該検出画素が「白」状態であれば、リフアレ
ンス電流Irefと検出電流Ioutとの差分が無い為該電圧波
形Vpは現れない。そこで、この出力電圧Voutをコンパレ
ーター18にて、基準電圧Vretと比較することにより、該
検出画素の状態が最終的に該コンパレーター18からの出
力パルスの有無として検出され、この比較結果は所定の
タイミングでデータバスに取り込まれる。
態の一画素に相当し、本マトリクスに於ける該画素から
の標準的検出電流を与える等価回路15を設け、該等価回
路に検出用信号電圧Vinとバイアス電圧−VBを印加して
得られるリフアレンス電流Irefと、前記検出電流Ioutと
をI/Vコンバーター16にて、それぞれ電圧信号に変換し
て、差動アンプ17に入力する。これにて得られる出力電
圧Voutは、前記リフアレンス電流Irefと検出電流Ioutと
の差分を電圧にて表わした電圧波形となり、第２図
（ｃ）に示されるように、検出画素が「黒」状態であれ
ば分極反転電流Ipに対応した瘤状電圧波形Vpのみが現れ
る。一方、該検出画素が「白」状態であれば、リフアレ
ンス電流Irefと検出電流Ioutとの差分が無い為該電圧波
形Vpは現れない。そこで、この出力電圧Voutをコンパレ
ーター18にて、基準電圧Vretと比較することにより、該
検出画素の状態が最終的に該コンパレーター18からの出
力パルスの有無として検出され、この比較結果は所定の
タイミングでデータバスに取り込まれる。
読出しのシーケンスについては、まず１番目の走査電極
に検出用信号電圧Vinを連続して印加し、このVinに同期
させて水平スイツチ14の１〜ｍ番を順次開閉していく。
この結果、画素１−１〜ｍ−１に対応した検出電流Iout
がリフアレンス電流Irefと共にI/Vコンバーター16に順
次入力される。そして、以上の動作をｎ番目の走査電極
まで繰り返すことで、全画素の状態を検出することがで
きる。すなわち、点順次走査による読出しを行なう。こ
のとき、他の走査電極と信号電極は、クロストークを防
止する為に接地する。
に検出用信号電圧Vinを連続して印加し、このVinに同期
させて水平スイツチ14の１〜ｍ番を順次開閉していく。
この結果、画素１−１〜ｍ−１に対応した検出電流Iout
がリフアレンス電流Irefと共にI/Vコンバーター16に順
次入力される。そして、以上の動作をｎ番目の走査電極
まで繰り返すことで、全画素の状態を検出することがで
きる。すなわち、点順次走査による読出しを行なう。こ
のとき、他の走査電極と信号電極は、クロストークを防
止する為に接地する。
又、前記分極反転電流Ipは強誘電性液晶の自発分極Ｐと
以下の相関を有している。
以下の相関を有している。
∫Ipdt＝2P・Ａ（A:一画素当りの電極面積） 前記デイスプレイパネルに於いて、信号電極及び走査電
極としてITO膜を用い、11×10ドツト（１ドツト/mm）、
セル厚１μ、液晶としてDOBAMBCを用いた画面サイズ110
×100mm2のものを試作し、前記読出し回路にて読み出し
を行なったところ、分極反転電流Ipとしてピーク値で〜
10μＡの値が得られ、一画素を10ms以内で読出すことが
できた。また、一画面については〜１秒で全て良好に読
出しを行なうことができたが、実際にはノイズ除去を必
要とした。
極としてITO膜を用い、11×10ドツト（１ドツト/mm）、
セル厚１μ、液晶としてDOBAMBCを用いた画面サイズ110
×100mm2のものを試作し、前記読出し回路にて読み出し
を行なったところ、分極反転電流Ipとしてピーク値で〜
10μＡの値が得られ、一画素を10ms以内で読出すことが
できた。また、一画面については〜１秒で全て良好に読
出しを行なうことができたが、実際にはノイズ除去を必
要とした。
ところで前述した読出し回路は、一例であり、これに限
られず、前記分極反転電流Ipの有無を判別できるもので
あれば如何なる構成の回路であっても良い。
られず、前記分極反転電流Ipの有無を判別できるもので
あれば如何なる構成の回路であっても良い。
以上説明したように、強誘電性液晶の分極反転電流を検
出することにより、これを用いた液晶デイスプレイに於
ける表示情報を読出すことが可能になる。
出することにより、これを用いた液晶デイスプレイに於
ける表示情報を読出すことが可能になる。
第１図は、本発明で用いた情報読出し回路図である。第
２図（ａ）は本発明の方法で用いた情報検出用信号電圧
のパルス図、第２図（ｂ）は分極反転電流の瘤を有する
電流波形図、第２図（ｃ）はその時の電圧波形図であ
る。第３図及び第４図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に示した斜視図である。
２図（ａ）は本発明の方法で用いた情報検出用信号電圧
のパルス図、第２図（ｂ）は分極反転電流の瘤を有する
電流波形図、第２図（ｃ）はその時の電圧波形図であ
る。第３図及び第４図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に示した斜視図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−132380（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−179890（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−193426（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】相対する電極と該電極間に配置した強誘電
性液晶とを有する画素を配列した液晶素子と、光学検知
手段とを備えた表示パネルに書込まれた情報を読み出す
に当って、前記画素に検出用信号電圧を印加し、その時
に生じる強誘電性液晶の分極反転電流を検出することに
よって、該画素の書込み状態を読出すことを特徴とする
表示パネルの情報読出し法。 - 【請求項２】前記画素が複数行及び列に沿って配列し、
行上の各画素が走査線に接続され、列上の各画素がデー
タ線に接続されたマトリクス構造を有し、前記検出用信
号電圧を行毎に順次行上の画素に印加する方法である特
許請求の範囲第１項記載の表示パネルの情報読出し法。 - 【請求項３】前記検出用信号電圧が印加されていない行
上の画素における走査線又はデータ線が接地されている
特許請求の範囲第２項記載の表示パネルの情報読出し
法。 - 【請求項４】情報読出し時に、読出しに関与していない
走査線とデータ線をともに接地する特許請求の範囲第２
項記載の表示パネルの情報読出し法。 - 【請求項５】前記検出用信号電圧が強誘電性液晶の閾値
電圧以上の電圧である特許請求の範囲第１項記載の表示
パネルの情報読出し法。 - 【請求項６】前記検出用信号電圧を形成する走査線とデ
ータ線に印加する信号がともに強誘電性液晶の閾値電圧
を越えない電圧である特許請求の範囲第２項記載の表示
パネルの情報読出し法。 - 【請求項７】前記検出用信号電圧が電圧上昇パルス又は
電圧降下パルスを有する信号電圧である特許請求の範囲
第１項記載の表示パネルの情報読出し法。 - 【請求項８】前記強誘電性液晶がカイラルスメクチック
液晶である特許請求の範囲第１項記載の表示パネルの情
報読出し法。 - 【請求項９】前記カイラルスメクチック液晶の膜厚が、
らせん構造を解除するのに十分な薄い膜厚に設定されて
いる特許請求の範囲第８項記載の表示パネルの情報読出
し法。 - 【請求項１０】相対する電極と該電極間に配置した強誘
電性液晶とを有する画素を配列した液晶素子と、光学検
知手段とを備えた表示パネルに対し、前記画素に検出用
信号電圧を印加し、その時に生じる強誘電性液晶の分極
反転電流を検出することによって、該画素の書込み状態
を読出す手段を有する表示パネルの情報読出し装置。 - 【請求項１１】前記画素が複数行及び列に沿って配列
し、行上の各画素が走査線に接続され、列上の各画素が
データ線に接続されたマトリクス構造を有し、前記検出
用信号電圧を印加し画素の書込み状態を読出す手段が、
該マトリクス構造の行毎に順次行上の画素に検出用信号
電圧を印加し、且つ前記データ線にバイアス電圧を印加
し、この時データ線に流れ出す電流を検出する機能を備
えた特許請求の範囲第10項記載の表示パネルの情報読出
し装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61129803A JPH07120143B2 (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 表示パネルの情報読出し法及び表示パネルの情報読出し装置 |
| US07/376,941 US4981340A (en) | 1986-06-04 | 1989-07-07 | Method and apparatus for readout of information from display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61129803A JPH07120143B2 (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 表示パネルの情報読出し法及び表示パネルの情報読出し装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286094A JPS62286094A (ja) | 1987-12-11 |
| JPH07120143B2 true JPH07120143B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15018612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61129803A Expired - Fee Related JPH07120143B2 (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 表示パネルの情報読出し法及び表示パネルの情報読出し装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US4981340A (ja) |
| JP (1) | JPH07120143B2 (ja) |
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| US7864151B1 (en) | 1986-07-07 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
| JPH02100168A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄型携帯書籍 |
| JPH02176717A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-09 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0344621A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Alps Electric Co Ltd | 表示方法及び装置並びにこれに用いる表示媒体 |
| US5486938A (en) * | 1991-02-19 | 1996-01-23 | Thomson-Csf | Anti-dazzle system for vehicles |
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| JP3173745B2 (ja) * | 1992-07-24 | 2001-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
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| JP3188411B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2001-07-16 | キヤノン株式会社 | 反射型液晶装置用画素電極基板、該画素電極基板を用いた液晶装置及び該液晶装置を用いた表示装置 |
| US6274516B1 (en) | 1997-10-27 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for manufacturing interlayer insulating film and display apparatus using this film and its manufacturing method |
| JP3199312B2 (ja) | 1997-11-06 | 2001-08-20 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3308880B2 (ja) | 1997-11-07 | 2002-07-29 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置と投写型液晶表示装置 |
| US6597329B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-07-22 | Intel Corporation | Readable matrix addressable display system |
| GB0118183D0 (en) * | 2001-07-26 | 2001-09-19 | Koninkl Philips Electronics Nv | Device comprising of an array of pixels |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5138997A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-03-31 | Hitachi Ltd | Ekishohyojisochi |
| US4070663A (en) * | 1975-07-07 | 1978-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Control system for driving a capacitive display unit such as an EL display panel |
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| JPS56132380A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | Display unit |
| JPH0629919B2 (ja) * | 1982-04-16 | 1994-04-20 | 株式会社日立製作所 | 液晶素子の駆動方法 |
| JPS5934587A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-24 | 株式会社日立製作所 | 液晶装置 |
| JPS59155880A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | 株式会社日立製作所 | 情報保持装置 |
| JPS59193426A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Canon Inc | 液晶装置 |
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| JPS60175077A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-09 | 株式会社日立製作所 | 情報保持装置 |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61129803A patent/JPH07120143B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-07 US US07/376,941 patent/US4981340A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62286094A (ja) | 1987-12-11 |
| US4981340A (en) | 1991-01-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |