JPS649614B2 - - Google Patents
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- JPS649614B2 JPS649614B2 JP12051180A JP12051180A JPS649614B2 JP S649614 B2 JPS649614 B2 JP S649614B2 JP 12051180 A JP12051180 A JP 12051180A JP 12051180 A JP12051180 A JP 12051180A JP S649614 B2 JPS649614 B2 JP S649614B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- copolymer
- butyl
- sensitivity
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
本発明は高性能化された高感度放射線感応性ポ
ジ型レジスト組成物及びその溶液に関するもので
ある。 従来から、適宜の基板上に塗布した塗膜に所定
量の放射線を照射すると、照射をうけた部分の高
分子結合主鎖が切断され、その分子量が小さくな
り、可溶性となるいわゆる放射線感応性ポジ型レ
ジスト用高分子材料が知られている。例えば解像
度の良いことで知られているポリメチルメタクリ
レートはこれに対し５×10-5クーロン／cm2程度以
上の照射線量をもつた電子線を照射してやると、
照射部分だけがメチルイソブチルケトンや酢酸イ
ソアミル等の溶剤に著しく可溶性となる。 この種の材料は、例えば半導体素子の製造工程
において非常に微細な部分だけをエツチングする
ためのマスクを形成せしめるレジスト材、あるい
は他の放射線による情報を記録するための材料と
して用いることができる。 しかし、上記ポリメチルメタクリレート等の従
来から知られている放射線感応性ポジ型レジスト
材料の大部分は、いずれもそれに可溶性を与える
に至るまでのいわゆる放射線照射線量が比較的多
い、即ち感度が低いために、所望のポジ型照射像
を得るためは比較的長時間放射線照射を行わねば
ならないなどの欠点を有する。一方比較的短い照
射時間で済む２、３の高感度ポジ型電子線レジス
ト材料では耐エツチング性や耐溶剤性、解像度等
の特性が低い等の問題点を有しており、半導体製
造プロセスに実用可能なレジストとして両者共充
分満足するものはなかつた。 本発明は上述の如き従来の放射線感応性ポジ型
レジスト用高分子材料のうち、特定の原材料（単
量体）を組合せて共重合を行うことにより、著し
く高感度化されかつコントラストや耐熱性等の特
性も改善された高感度放射線感応性ポジ型レジス
ト組成物及びその溶液を得る事を目的として行わ
れた。 本発明の高感度放射線感応性ポジ型レジスト組
成物はｉ−プロピルメタクリレート単量体を主成
分とし、これに次の一般式〔〕で表わされるα
−位置換分岐ブチルアクレート単量体１種及びメ
チルメタクリレート単量体を一定組成割合で加え
て共重合して成ることを特徴とする。 （式中R1は−CH3、−C2H5、−C3H7、−CH2CN、
−CH2F、−H2Cl、−CN、−Ｆ、−Cl基を示し、R2
はｓ−ブチル、ｉ−ブチル及びｔ−ブチル基を示
す。） 上述の如き共重合体からなる本発明の放射線感
応性ポジ型レジスト組成物によれば、従来の放射
線感応性ポジ型レジスト用高分子材料に比してそ
の1/10〜1/100程度の放射線照射線量で充分鮮明
なポジ像を得ることができ、またその解像度及び
耐熱性や耐エツチング性はPMMA・レジスト材
料のそれに比して殆んど遜色のないものである。 本発明になる高感度放射線感応性ポジ型レジス
ト組成物はｉ−プロピルメタクリレート（以下
“Ａ”と称する）単量体を主成分とし、これと一
般式〔〕で表わされるα−位置換分岐ブチルア
クリレート（以下“Ｂ”と称する）単量体及びメ
チルメタクリレート（以下“Ｃ”と称する）単量
体とを特定の割合で共重合することが必要で、Ｂ
単量体の共重合体中に含まれる組成量は10〜40モ
ル％、またＣ単量体の組成量は５〜20モル％であ
る。 Ｂの組成量がこの範囲以下の場合にはこの共重
合体の溶剤に対する溶解性が非常に大きくなりす
ぎ、適正な現像条件が得られにくくなり高感度で
の使用が困難となる。またこの範囲以上では感度
の著しい向上が妨げられる。一方Ｃの組成量がこ
の範囲以下であると高感度現像により放射線未照
射部分の膨潤が著るしく、かつガラス転移点の低
下が著しい。またこの範囲以上では感度が著しく
低くなつてしまう。 共重合の方法としては特に限定されるものでは
なく、通常の重合方法、例えば乳化重合、懸濁重
合、バルク重合や溶液中におけるラジカルまたは
アニオン重合、さらにはグラフト重合やリビング
重合等の方法が単量体の物性や目的とする分子
量、分散度等に応じて適宜に選択される。 本発明によるポジ型レジスト用共重合体高分子
材料は、現在一般に用いられている他のポジ型レ
ジスト用材料と同程度の分子量の範囲で実行する
ことができる。即ち10万ないし数100万の広範囲
の分子量を有する形態にあり、実用的にも30万な
いし300万の範囲を用いており、種々の目的に応
じて選択される。分子量の上限はレジスト材料の
溶液粘度が高くなりすぎると共に作業余裕度が著
しく低下すること、下限は良好な像の現像が困難
になることや耐エツチング性等が低下することな
どにより決定される。 本発明による共重合体高分子材料をレジストと
して使用するための展開溶剤としては、本共重合
体高分子材料を均一に良く溶解し、適当な沸点を
有し、高分子材料の延展性に富んだ低粘度揮発性
有機溶剤であることが必要である。 上記溶剤として適したものは多数あるが、それ
らのうちから２、３の例を挙げると、トルエン、
キシレン、ベンゼン等の芳香族系列、トリクロル
エチレン、クロルベンゼン等の含塩素系溶剤、ｎ
−プロピルアセテート、イソアミルアセテート、
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブ
アセテート、ｔ−ブチルプロピオネート等のエス
テル系溶剤、さらにメチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、４−メトキシ−４−メチルペ
ンタノン−２、ジプロピルケトン等のケトン系溶
剤等があるが、もとより上記の例にのみ限定され
るものではなく、また２種またはそれ以上の溶剤
と混合して使用することも可能である。 以下実施例を挙げて詳細に説明する。 実施例 １ 適宜の反応容器中にイオン交換水を取り、これ
に窒素ガスを通じて溶存酸素を追い出した後、例
えばアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム等か
ら成る乳化剤を添加し、これに所望の配合比で混
合したｉ−プロピルメタクリレート(A)とｔ−ブチ
ルメタクリレート(B)及びメチルメタクリレート(C)
との混合液を添加し、さらに微量のレドツクス系
重合開始剤例えば過硫酸ナトリウムと亜硫酸水素
ナトリウムを溶解した水溶液を加え、反応温度を
60〜80℃に保持して激しく撹拌しながら約６時間
反応させた後、重合生成物を分離してさらに溶
解、再沈させて精製を行う。 このようにしてガラス転移温度が80℃以上で、
Ｂの配合割合が各々５、15、20、30、40、60モル
％の共重合組成物を得た。 次に上記の共重合体組成物を各々キシレンに溶
解し、これをスピンナーを用いて３インチのシリ
コンウエハー上に塗布し、所定の条件で乾燥して
約0.5μｍ厚の上記共重合体塗膜面を形成せしめ
た。 第１表は上記本発明の各実施例になる共重合体
塗膜面に加速電圧20KVの電子線を照射した時に
鮮明なポジ像を得るのに要した電子線照射線量
（以下“ドース”と称する）と現像液の例とを示
したものである。
ジ型レジスト組成物及びその溶液に関するもので
ある。 従来から、適宜の基板上に塗布した塗膜に所定
量の放射線を照射すると、照射をうけた部分の高
分子結合主鎖が切断され、その分子量が小さくな
り、可溶性となるいわゆる放射線感応性ポジ型レ
ジスト用高分子材料が知られている。例えば解像
度の良いことで知られているポリメチルメタクリ
レートはこれに対し５×10-5クーロン／cm2程度以
上の照射線量をもつた電子線を照射してやると、
照射部分だけがメチルイソブチルケトンや酢酸イ
ソアミル等の溶剤に著しく可溶性となる。 この種の材料は、例えば半導体素子の製造工程
において非常に微細な部分だけをエツチングする
ためのマスクを形成せしめるレジスト材、あるい
は他の放射線による情報を記録するための材料と
して用いることができる。 しかし、上記ポリメチルメタクリレート等の従
来から知られている放射線感応性ポジ型レジスト
材料の大部分は、いずれもそれに可溶性を与える
に至るまでのいわゆる放射線照射線量が比較的多
い、即ち感度が低いために、所望のポジ型照射像
を得るためは比較的長時間放射線照射を行わねば
ならないなどの欠点を有する。一方比較的短い照
射時間で済む２、３の高感度ポジ型電子線レジス
ト材料では耐エツチング性や耐溶剤性、解像度等
の特性が低い等の問題点を有しており、半導体製
造プロセスに実用可能なレジストとして両者共充
分満足するものはなかつた。 本発明は上述の如き従来の放射線感応性ポジ型
レジスト用高分子材料のうち、特定の原材料（単
量体）を組合せて共重合を行うことにより、著し
く高感度化されかつコントラストや耐熱性等の特
性も改善された高感度放射線感応性ポジ型レジス
ト組成物及びその溶液を得る事を目的として行わ
れた。 本発明の高感度放射線感応性ポジ型レジスト組
成物はｉ−プロピルメタクリレート単量体を主成
分とし、これに次の一般式〔〕で表わされるα
−位置換分岐ブチルアクレート単量体１種及びメ
チルメタクリレート単量体を一定組成割合で加え
て共重合して成ることを特徴とする。 （式中R1は−CH3、−C2H5、−C3H7、−CH2CN、
−CH2F、−H2Cl、−CN、−Ｆ、−Cl基を示し、R2
はｓ−ブチル、ｉ−ブチル及びｔ−ブチル基を示
す。） 上述の如き共重合体からなる本発明の放射線感
応性ポジ型レジスト組成物によれば、従来の放射
線感応性ポジ型レジスト用高分子材料に比してそ
の1/10〜1/100程度の放射線照射線量で充分鮮明
なポジ像を得ることができ、またその解像度及び
耐熱性や耐エツチング性はPMMA・レジスト材
料のそれに比して殆んど遜色のないものである。 本発明になる高感度放射線感応性ポジ型レジス
ト組成物はｉ−プロピルメタクリレート（以下
“Ａ”と称する）単量体を主成分とし、これと一
般式〔〕で表わされるα−位置換分岐ブチルア
クリレート（以下“Ｂ”と称する）単量体及びメ
チルメタクリレート（以下“Ｃ”と称する）単量
体とを特定の割合で共重合することが必要で、Ｂ
単量体の共重合体中に含まれる組成量は10〜40モ
ル％、またＣ単量体の組成量は５〜20モル％であ
る。 Ｂの組成量がこの範囲以下の場合にはこの共重
合体の溶剤に対する溶解性が非常に大きくなりす
ぎ、適正な現像条件が得られにくくなり高感度で
の使用が困難となる。またこの範囲以上では感度
の著しい向上が妨げられる。一方Ｃの組成量がこ
の範囲以下であると高感度現像により放射線未照
射部分の膨潤が著るしく、かつガラス転移点の低
下が著しい。またこの範囲以上では感度が著しく
低くなつてしまう。 共重合の方法としては特に限定されるものでは
なく、通常の重合方法、例えば乳化重合、懸濁重
合、バルク重合や溶液中におけるラジカルまたは
アニオン重合、さらにはグラフト重合やリビング
重合等の方法が単量体の物性や目的とする分子
量、分散度等に応じて適宜に選択される。 本発明によるポジ型レジスト用共重合体高分子
材料は、現在一般に用いられている他のポジ型レ
ジスト用材料と同程度の分子量の範囲で実行する
ことができる。即ち10万ないし数100万の広範囲
の分子量を有する形態にあり、実用的にも30万な
いし300万の範囲を用いており、種々の目的に応
じて選択される。分子量の上限はレジスト材料の
溶液粘度が高くなりすぎると共に作業余裕度が著
しく低下すること、下限は良好な像の現像が困難
になることや耐エツチング性等が低下することな
どにより決定される。 本発明による共重合体高分子材料をレジストと
して使用するための展開溶剤としては、本共重合
体高分子材料を均一に良く溶解し、適当な沸点を
有し、高分子材料の延展性に富んだ低粘度揮発性
有機溶剤であることが必要である。 上記溶剤として適したものは多数あるが、それ
らのうちから２、３の例を挙げると、トルエン、
キシレン、ベンゼン等の芳香族系列、トリクロル
エチレン、クロルベンゼン等の含塩素系溶剤、ｎ
−プロピルアセテート、イソアミルアセテート、
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブ
アセテート、ｔ−ブチルプロピオネート等のエス
テル系溶剤、さらにメチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、４−メトキシ−４−メチルペ
ンタノン−２、ジプロピルケトン等のケトン系溶
剤等があるが、もとより上記の例にのみ限定され
るものではなく、また２種またはそれ以上の溶剤
と混合して使用することも可能である。 以下実施例を挙げて詳細に説明する。 実施例 １ 適宜の反応容器中にイオン交換水を取り、これ
に窒素ガスを通じて溶存酸素を追い出した後、例
えばアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム等か
ら成る乳化剤を添加し、これに所望の配合比で混
合したｉ−プロピルメタクリレート(A)とｔ−ブチ
ルメタクリレート(B)及びメチルメタクリレート(C)
との混合液を添加し、さらに微量のレドツクス系
重合開始剤例えば過硫酸ナトリウムと亜硫酸水素
ナトリウムを溶解した水溶液を加え、反応温度を
60〜80℃に保持して激しく撹拌しながら約６時間
反応させた後、重合生成物を分離してさらに溶
解、再沈させて精製を行う。 このようにしてガラス転移温度が80℃以上で、
Ｂの配合割合が各々５、15、20、30、40、60モル
％の共重合組成物を得た。 次に上記の共重合体組成物を各々キシレンに溶
解し、これをスピンナーを用いて３インチのシリ
コンウエハー上に塗布し、所定の条件で乾燥して
約0.5μｍ厚の上記共重合体塗膜面を形成せしめ
た。 第１表は上記本発明の各実施例になる共重合体
塗膜面に加速電圧20KVの電子線を照射した時に
鮮明なポジ像を得るのに要した電子線照射線量
（以下“ドース”と称する）と現像液の例とを示
したものである。
【表】
第１表に示した結果のように、本発明の実施例
になる共重合体高分子組成物はＢの共重合組成比
が45モル％以下でかつＣの共重合組成比が20モル
％以下の場合には従来のPMMAレジストの場合
の約1/10〜1/50のドースで鮮明なポジ像を得るこ
とができ、微細パターンの解像性も優れたもので
あつた。一方Ｂの組成量が10モル％以下でかつＣ
の組成量が５％以下の場合（参考例１）では感度
は非常に良いが、膨潤が生じるなど適正な現像を
行うことが非常に困難となり、さらにパターンの
形成性が悪化してしまい微細加工用のレジスト材
料としては不適切となる。 実施例 ２ 充分乾燥した適宜の反応容器内に乾燥窒素ガス
を導入し、容器内の雰囲気を充分窒素置換した
後、脱水精製したトルエンを入れ、更に第２表に
示した配合比の精製単量体混合物を入れ、更にラ
ジカル重合開始剤、例えばベンゾイルパーオキサ
イド等の過酸化物もしくはアソビスイソブチロニ
トリル等のラジカル発生剤を微量添加し、反応温
度を60〜70℃に保つて48時間反応させる。重合終
了後実施例１と同様にして精製を行つた結果、第
２表に示したような共重合組成を有し、ガラス転
移点が70℃以上である共重合体を得た。
になる共重合体高分子組成物はＢの共重合組成比
が45モル％以下でかつＣの共重合組成比が20モル
％以下の場合には従来のPMMAレジストの場合
の約1/10〜1/50のドースで鮮明なポジ像を得るこ
とができ、微細パターンの解像性も優れたもので
あつた。一方Ｂの組成量が10モル％以下でかつＣ
の組成量が５％以下の場合（参考例１）では感度
は非常に良いが、膨潤が生じるなど適正な現像を
行うことが非常に困難となり、さらにパターンの
形成性が悪化してしまい微細加工用のレジスト材
料としては不適切となる。 実施例 ２ 充分乾燥した適宜の反応容器内に乾燥窒素ガス
を導入し、容器内の雰囲気を充分窒素置換した
後、脱水精製したトルエンを入れ、更に第２表に
示した配合比の精製単量体混合物を入れ、更にラ
ジカル重合開始剤、例えばベンゾイルパーオキサ
イド等の過酸化物もしくはアソビスイソブチロニ
トリル等のラジカル発生剤を微量添加し、反応温
度を60〜70℃に保つて48時間反応させる。重合終
了後実施例１と同様にして精製を行つた結果、第
２表に示したような共重合組成を有し、ガラス転
移点が70℃以上である共重合体を得た。
【表】
これらの共重合体組成物をメチルセロソルブア
セテート等の各々の展開溶剤に溶解し、実施例１
と同様にして電子線照射を行つた。それぞれの共
重合体組成物について鮮明なポジ像を得るのに必
要なドースとそのときの現像液を第２表にまとめ
て示した。また図に参考例３と実施例２−２につ
いて得られた感電子特性曲線を示した。図に於
て、縦軸は現像後のレジストの規格化膜厚、横軸
は電子線照射線量（ドース）である。なお縦軸の
ブロツトは未照射部の現像後膜厚を示す。曲線イ
は参考例３、ロは実施例２−２の特性を示す。 以上の結果から明らかなようにｉ−プロピルメ
タクリレート−ｉ−ブチルメタクリレート共重合
体（参考例３）は0.07μC／cm2と著しく高感度とな
るが図に示したように現像によりかなりの膨潤が
現われる。一方適当量のメチルメタクリレート(C)
を加えて共重合して得られたもの（実施例２−
２）はガラス転移点：Ｔｇは90℃から98℃に上昇
し耐熱性が向上しており、更に図から明らかなよ
うに現像による膨潤は認めらず、また感度も
0.08μC／cm2でほぼ同程度であつた。実施例２−４
から２−６ではやや感度が低いものの、同様の傾
向が認められかつ現像特性が良好でありまた微細
パターンの形成性に優れていた。 実施例 ３ 充分乾燥した適宜の反応容器内に乾燥窒素ガス
を導入し、容器内の雰囲気を充分窒素置換した
後、脱水精製したトルエンを入れ、更に第３表に
示した配合比の精製単量体混合物を加え、さらに
ｎ−ブチルリチウム等のアニオン重合開始剤溶液
を微量添加し、反応温度を−70℃付近に保つて約
48時間反応させる。重合終了後実施例１と同様に
して精製を行つた結果、第３表に示したような
セテート等の各々の展開溶剤に溶解し、実施例１
と同様にして電子線照射を行つた。それぞれの共
重合体組成物について鮮明なポジ像を得るのに必
要なドースとそのときの現像液を第２表にまとめ
て示した。また図に参考例３と実施例２−２につ
いて得られた感電子特性曲線を示した。図に於
て、縦軸は現像後のレジストの規格化膜厚、横軸
は電子線照射線量（ドース）である。なお縦軸の
ブロツトは未照射部の現像後膜厚を示す。曲線イ
は参考例３、ロは実施例２−２の特性を示す。 以上の結果から明らかなようにｉ−プロピルメ
タクリレート−ｉ−ブチルメタクリレート共重合
体（参考例３）は0.07μC／cm2と著しく高感度とな
るが図に示したように現像によりかなりの膨潤が
現われる。一方適当量のメチルメタクリレート(C)
を加えて共重合して得られたもの（実施例２−
２）はガラス転移点：Ｔｇは90℃から98℃に上昇
し耐熱性が向上しており、更に図から明らかなよ
うに現像による膨潤は認めらず、また感度も
0.08μC／cm2でほぼ同程度であつた。実施例２−４
から２−６ではやや感度が低いものの、同様の傾
向が認められかつ現像特性が良好でありまた微細
パターンの形成性に優れていた。 実施例 ３ 充分乾燥した適宜の反応容器内に乾燥窒素ガス
を導入し、容器内の雰囲気を充分窒素置換した
後、脱水精製したトルエンを入れ、更に第３表に
示した配合比の精製単量体混合物を加え、さらに
ｎ−ブチルリチウム等のアニオン重合開始剤溶液
を微量添加し、反応温度を−70℃付近に保つて約
48時間反応させる。重合終了後実施例１と同様に
して精製を行つた結果、第３表に示したような
【表】
共重合組成を有し、分子量が数十万から150万で
分散度1.6〜2.5、ガラス転移温度が70℃以上であ
る共重合体を得た。 これらの共重合体組成物を各々の展開溶媒に溶
解し、実施例１と同様にして75mm角のクロムブラ
ンクス基板上に塗布し、乾燥した後、電子線照射
を行つた。第４表は上記本発明の各実施例になる
共重合体塗膜面に加速電圧20KVの電子線を照射
した時に鮮明なポジ像を得るのに要したドースと
現像液さらに感電子曲線の傾きより得られたγ値
を示したものである。
分散度1.6〜2.5、ガラス転移温度が70℃以上であ
る共重合体を得た。 これらの共重合体組成物を各々の展開溶媒に溶
解し、実施例１と同様にして75mm角のクロムブラ
ンクス基板上に塗布し、乾燥した後、電子線照射
を行つた。第４表は上記本発明の各実施例になる
共重合体塗膜面に加速電圧20KVの電子線を照射
した時に鮮明なポジ像を得るのに要したドースと
現像液さらに感電子曲線の傾きより得られたγ値
を示したものである。
【表】
以上の結果から明らかなように本発明により得
られた放射線感応性ポジ型レジスト材料は高感度
であるにもかかわらず現像時の膨潤は殆んど認め
られず、またパタン形成性も良好であつた。更に
クロムマスクのエツチングを試みたところ、クロ
ムのウエツトエツチングに耐える密着性及びクロ
ムのドライエツチングに耐える耐熱性を有してい
ることが確認された。 以上のように本発明を実施することにより、従
来知られているPMMAレジストに比してはるか
に高感度、高コントラストでかつ現像時の膨潤の
少ない放射線感応性ポジ型電子線レジスト用高分
子材料を得ることができる。一般に放射線によつ
て1μｍ以下の微細パターンを有し、またサブミ
クロン以下の精度を要求されるパターンを描画
し、あるいは転写、記録する場合、後重合効果や
解像度の点で難点のあるネガ型レジストを用いる
よりも解像度に優れたポジ型レジストを用いるこ
とが望ましいとされており、本発明は上述の如き
精密かつ微細な加工もしくは図型の記録等に用い
て極めて大きな効果を発揮するものである。
られた放射線感応性ポジ型レジスト材料は高感度
であるにもかかわらず現像時の膨潤は殆んど認め
られず、またパタン形成性も良好であつた。更に
クロムマスクのエツチングを試みたところ、クロ
ムのウエツトエツチングに耐える密着性及びクロ
ムのドライエツチングに耐える耐熱性を有してい
ることが確認された。 以上のように本発明を実施することにより、従
来知られているPMMAレジストに比してはるか
に高感度、高コントラストでかつ現像時の膨潤の
少ない放射線感応性ポジ型電子線レジスト用高分
子材料を得ることができる。一般に放射線によつ
て1μｍ以下の微細パターンを有し、またサブミ
クロン以下の精度を要求されるパターンを描画
し、あるいは転写、記録する場合、後重合効果や
解像度の点で難点のあるネガ型レジストを用いる
よりも解像度に優れたポジ型レジストを用いるこ
とが望ましいとされており、本発明は上述の如き
精密かつ微細な加工もしくは図型の記録等に用い
て極めて大きな効果を発揮するものである。
図は参考例３及び本発明実施例２−２の感電子
特性を示す図である。
特性を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｉ−プロピルメタクリレート単量体(A)を主成
分とし、一般式 （式中R1は−CH3、−C2H5、−C3H7、−CH2CN、
−CH2F、−H2Cl、−CN、−Ｆ、−Cl基を示し、R2
はｓ−ブチル、ｉ−ブチル及びｔ−ブチル基を示
す。） で表される単量体のうちの１種類(B)及びメチルメ
タクリレート単量体(C)とを共重合してなり、上記
共重合体中、上記単量体(B)を10〜40モル％含み、
上記メチルメタクリレート単量体(C)を５〜20モル
％含有することを特徴とする放射線感応性ポジ型
レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12051180A JPS5744145A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Radiaton sensitive positive type resist composition and its solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12051180A JPS5744145A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Radiaton sensitive positive type resist composition and its solution |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5744145A JPS5744145A (en) | 1982-03-12 |
| JPS649614B2 true JPS649614B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=14788017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12051180A Granted JPS5744145A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Radiaton sensitive positive type resist composition and its solution |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5744145A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5968264U (ja) * | 1982-10-30 | 1984-05-09 | 大崎電気工業株式会社 | アナログ−電流変換回路 |
| JPS60117244A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1980
- 1980-08-29 JP JP12051180A patent/JPS5744145A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5744145A (en) | 1982-03-12 |
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