JPH087443B2 - 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト - Google Patents
高解像度ポジ型放射線感応性レジストInfo
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- JPH087443B2 JPH087443B2 JP62305480A JP30548087A JPH087443B2 JP H087443 B2 JPH087443 B2 JP H087443B2 JP 62305480 A JP62305480 A JP 62305480A JP 30548087 A JP30548087 A JP 30548087A JP H087443 B2 JPH087443 B2 JP H087443B2
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- sensitive resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般式（Ｉ）で表わされるモノマーと、架橋
性α−シアノアクリル酸エステルとの単分散共重合体を
主剤としたポジ型高感度高解像度、放射線感応性レジス
トに関するものである。
性α−シアノアクリル酸エステルとの単分散共重合体を
主剤としたポジ型高感度高解像度、放射線感応性レジス
トに関するものである。
半導体集積回路の光学式露光の限界である0.5μｍ以
下のレベルのリソグラフィー技術として電子ビーム直接
描画,X線リソグラフィーさらには集束イオンビームによ
る露光技術が提案されており、既に実現化の段階を迎え
つつあるが、これに対応できるレジストの開発がおくれ
ている。これらレジスト材料には放射線を照射すること
により、架橋反応を起し、現像液に不溶化するネガ型と
放射線を照射することにより、レジストの主剤ポリマー
が主鎖分裂反応を起こし、低分子量化することにより現
像液に溶け易くなり照射領域のレジストが除かれるポジ
型がある。
下のレベルのリソグラフィー技術として電子ビーム直接
描画,X線リソグラフィーさらには集束イオンビームによ
る露光技術が提案されており、既に実現化の段階を迎え
つつあるが、これに対応できるレジストの開発がおくれ
ている。これらレジスト材料には放射線を照射すること
により、架橋反応を起し、現像液に不溶化するネガ型と
放射線を照射することにより、レジストの主剤ポリマー
が主鎖分裂反応を起こし、低分子量化することにより現
像液に溶け易くなり照射領域のレジストが除かれるポジ
型がある。
ネガ型レジストの特徴は高感度で、耐エッチング性に
優れているが、解像度が低いことである。
優れているが、解像度が低いことである。
これに対し、ポジ型レジストの特徴は解像度は高い
が、耐エッチング性と感度が劣ることである。
が、耐エッチング性と感度が劣ることである。
最近、半導体集積回路の高集積化への産業界の欲求は
ますますエスカレートして来ており、高感度で生産性の
優れたネガ型レジストも、その低解像度の故に、後退を
余儀なくされ、ポジ型レジストが主流となって来てい
る。
ますますエスカレートして来ており、高感度で生産性の
優れたネガ型レジストも、その低解像度の故に、後退を
余儀なくされ、ポジ型レジストが主流となって来てい
る。
ポジ型レジストの代表的主剤ポリマーにはポリメチル
メタクリレート（Ｐ−MMA）があり、その解像度は0.3〜
0.5μｍと云われているが、電子ビームに対する感度が
５×10-5C/cm2と極めて低く、その上、耐エッチング性
もネガ型レジストに比べて劣り、実用レジストには程遠
い。
メタクリレート（Ｐ−MMA）があり、その解像度は0.3〜
0.5μｍと云われているが、電子ビームに対する感度が
５×10-5C/cm2と極めて低く、その上、耐エッチング性
もネガ型レジストに比べて劣り、実用レジストには程遠
い。
ホジ型レジストはその解像度に比べ、従来開発されて
いるレジストの大半が感度と耐エッチング性が劣り、性
能的バランスを欠くため、集中的に検討されている。
いるレジストの大半が感度と耐エッチング性が劣り、性
能的バランスを欠くため、集中的に検討されている。
これらの感度の改善の為めに提案されている多くが、
Cl,Br,F,S,O,Nなどの電子吸引基の導入によるものであ
り、一例を挙げれば、ポリへキサフルオロブチルメタク
リレート，ポリトリクロロエチルメタクリレート，ポリ
ブテン−１スルホン，ポリトリフルオロエチルα−クロ
ロアクリレート，ノボラック−ポリ２−メチルペンテン
−１スルホン混合物などがあるが、耐ドライエッチング
性を低下させないで、感度を改善し得たケースは少な
い。一方、耐エッチング性の改善にはレジスト主剤ポリ
マーの側鎖に、 ベンゼン環の導入 架橋基の導入 分子量の大きなアルキル基の導入 ラジカル捕捉剤の添加 などが提案されているが、感度の低下を招くケースが多
い。
Cl,Br,F,S,O,Nなどの電子吸引基の導入によるものであ
り、一例を挙げれば、ポリへキサフルオロブチルメタク
リレート，ポリトリクロロエチルメタクリレート，ポリ
ブテン−１スルホン，ポリトリフルオロエチルα−クロ
ロアクリレート，ノボラック−ポリ２−メチルペンテン
−１スルホン混合物などがあるが、耐ドライエッチング
性を低下させないで、感度を改善し得たケースは少な
い。一方、耐エッチング性の改善にはレジスト主剤ポリ
マーの側鎖に、 ベンゼン環の導入 架橋基の導入 分子量の大きなアルキル基の導入 ラジカル捕捉剤の添加 などが提案されているが、感度の低下を招くケースが多
い。
解像度の改善にはネガ型レジストでは、スチレン,P−
ジメチルアミノメチルスチレン，イソプレンなどをアル
キルリチウムなどのアニオン重合開始剤を使用して、単
分散ポリマーを合成し、解像度が顕著に向上することが
報告されている。
ジメチルアミノメチルスチレン，イソプレンなどをアル
キルリチウムなどのアニオン重合開始剤を使用して、単
分散ポリマーを合成し、解像度が顕著に向上することが
報告されている。
本発明は、既に述べた一般式（Ｉ）で表されるモノマ
ー群のうちの一種以上と、架橋性α−シアノアクリル酸
エステルよりなる単分散共重合体を架橋させることによ
り、例えば耐エッチング性の優れた64メガビットＤ−RA
M以降の大規模集積回路用レジスト組成物を提供するこ
とを目的としている。
ー群のうちの一種以上と、架橋性α−シアノアクリル酸
エステルよりなる単分散共重合体を架橋させることによ
り、例えば耐エッチング性の優れた64メガビットＤ−RA
M以降の大規模集積回路用レジスト組成物を提供するこ
とを目的としている。
本発明は架橋基を分子内に保育するα−シアノアクリ
ル酸エステルと一般式（Ｉ） （ただし、式中のＸは、CN,NO2,COOR,Yは、CN,H,COOR,R
はアルキル基及びハロゲン化アルキル基）のモノマーの
単分散共重合体を主剤とする組成物を放射線照射前又は
後に架橋させ、耐ドライエッチング性を向上させること
を特徴としている。
ル酸エステルと一般式（Ｉ） （ただし、式中のＸは、CN,NO2,COOR,Yは、CN,H,COOR,R
はアルキル基及びハロゲン化アルキル基）のモノマーの
単分散共重合体を主剤とする組成物を放射線照射前又は
後に架橋させ、耐ドライエッチング性を向上させること
を特徴としている。
α−／シアノアクリル酸エステル及び一般式（Ｉ）の
ポリマーは、その分子内に電子吸引基CN,N,OおよびCl,
F,Brなどのハロゲン元素を保有し、放射線に対し、すぐ
れた感応性を持っており、これらによって構成される共
重合体は相乗効果により感度上昇が可能となり、その
上、これらの共重合体は極めて易分解性であるばかりで
なく、すぐれた単分散共重合体を形成するので、解像度
が大幅に向上できる。また、耐エッチング性は架橋性基
を側鎖にもつα−シアノアクリル酸エステルを採用する
ことにより改善できる。
ポリマーは、その分子内に電子吸引基CN,N,OおよびCl,
F,Brなどのハロゲン元素を保有し、放射線に対し、すぐ
れた感応性を持っており、これらによって構成される共
重合体は相乗効果により感度上昇が可能となり、その
上、これらの共重合体は極めて易分解性であるばかりで
なく、すぐれた単分散共重合体を形成するので、解像度
が大幅に向上できる。また、耐エッチング性は架橋性基
を側鎖にもつα−シアノアクリル酸エステルを採用する
ことにより改善できる。
本発明で用いられる側鎖に架橋性基を有するα−シア
ノアクリル酸エステルは次式で表わされる。
ノアクリル酸エステルは次式で表わされる。
ただし、式中のＲは、アルコキシアルキル基，ヒドロキ
シアルキル基，アリル基，アルキニル基などの架橋性基
であり、具体的には、α−シアノアクリル酸２−メトキ
シエチル，α−シアノアクリル酸２−ヒドロキシエチ
ル，α−シアノアクリル酸プロパギル，α−シアノアク
リル酸アリルなどである。
シアルキル基，アリル基，アルキニル基などの架橋性基
であり、具体的には、α−シアノアクリル酸２−メトキ
シエチル，α−シアノアクリル酸２−ヒドロキシエチ
ル，α−シアノアクリル酸プロパギル，α−シアノアク
リル酸アリルなどである。
これに対応する一般式（Ｉ）のモノマーは、例えば、
ビニリデンシアニド，ニトロエチレン，メチレンマロン
酸ジエチルなどである。
ビニリデンシアニド，ニトロエチレン，メチレンマロン
酸ジエチルなどである。
これらのモノマーは通常の合成法で得られたもので良
く，アニオン重合抑制剤を混入したままで良い。
く，アニオン重合抑制剤を混入したままで良い。
以上の共重合体は通常、分子量が２万〜200万である
が、好ましくは20万〜100万のものが使用される。
が、好ましくは20万〜100万のものが使用される。
本発明によるポジ型レジスト材料は64メガビットＤ−
RAM以降の半導体大規模集積回路製造の際の電子ビー
ム、Ｘ線リソグラフィー工程におけるような超高密度彫
刻に適するものであり、加工精度の大幅な向上とラティ
チュードの広い回路設計を保証するとともにその放射線
に対する極めて高い感度はＸ線リソグラフィー工程にお
ける高い生産性とコスト低減に大きな効果をもたらすも
のである。以下、この発明の実施例を示すが、電子線も
Ｘ線リソグラフィーに使用される軟Ｘ線（波長４〜10
Å）も物質に及ぼす化学作用は同じであり、レジストの
電子線に対する感度とＸ線に対する感度とは比例関係
（例えば10-7C/cm2＝10mJ/cm2）にあることが、Proc In
ternational Conf.Microlithography,Paris,July,261
（1977）等で公知になっているので、煩雑を避けるた
め、電子線照射による結果を実施例とするとにした。こ
の発明はこれらの実施例に限定されるものでないことは
云うまでもない。
RAM以降の半導体大規模集積回路製造の際の電子ビー
ム、Ｘ線リソグラフィー工程におけるような超高密度彫
刻に適するものであり、加工精度の大幅な向上とラティ
チュードの広い回路設計を保証するとともにその放射線
に対する極めて高い感度はＸ線リソグラフィー工程にお
ける高い生産性とコスト低減に大きな効果をもたらすも
のである。以下、この発明の実施例を示すが、電子線も
Ｘ線リソグラフィーに使用される軟Ｘ線（波長４〜10
Å）も物質に及ぼす化学作用は同じであり、レジストの
電子線に対する感度とＸ線に対する感度とは比例関係
（例えば10-7C/cm2＝10mJ/cm2）にあることが、Proc In
ternational Conf.Microlithography,Paris,July,261
（1977）等で公知になっているので、煩雑を避けるた
め、電子線照射による結果を実施例とするとにした。こ
の発明はこれらの実施例に限定されるものでないことは
云うまでもない。
以下、実施例を挙げて本発明を更に説明する。
実施例１ アニオン重合開始剤チオセミカルバジド５×10-5モル
を含む700mlのアセトン溶液をフラスコ内に導入し、フ
ラスコ内を−60℃に冷却した。この系内を十分かきまぜ
ながら、アニオン重合抑制剤SO250ppmを含むα−シアノ
アクリル酸プロパギル0.01モルを含有する100mlのアセ
トン溶液を系内温度を−60℃以下に保ちつつ、徐々に加
えて反応させ、得られたリビングポリマーに、アニオン
重合抑制剤SO2を50ppm含むビニリデンシアニド0.09モル
を含有する100mlのアセトン溶液を系内温度−60℃以下
に保ち十分かきまぜながら加えて、共重合反応を進め、
アニオン重合停止剤を加えて反応を停止させた。
を含む700mlのアセトン溶液をフラスコ内に導入し、フ
ラスコ内を−60℃に冷却した。この系内を十分かきまぜ
ながら、アニオン重合抑制剤SO250ppmを含むα−シアノ
アクリル酸プロパギル0.01モルを含有する100mlのアセ
トン溶液を系内温度を−60℃以下に保ちつつ、徐々に加
えて反応させ、得られたリビングポリマーに、アニオン
重合抑制剤SO2を50ppm含むビニリデンシアニド0.09モル
を含有する100mlのアセトン溶液を系内温度−60℃以下
に保ち十分かきまぜながら加えて、共重合反応を進め、
アニオン重合停止剤を加えて反応を停止させた。
この共重合体を再沈澱法により精製し、ゲルパーミエ
ーシヨンクロマトグラフィー（GPC）−光散乱法で分子
量を測定したところ、分子量は20.7万で、その分散度
（w/ｎ）＝1.05であった。
ーシヨンクロマトグラフィー（GPC）−光散乱法で分子
量を測定したところ、分子量は20.7万で、その分散度
（w/ｎ）＝1.05であった。
この共重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液に熱架
橋剤を添加してレジストを調製した。このレジストを回
転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布
して、0.43μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを150
℃、30分、熱処理し熱架橋後、加速電圧10KV,4×10-7C/
cm2の電子線を所定パターンに従ってレジスト膜面に照
射した。続いて、これを大気中に取出して、25℃のシク
ロヘキサノンとメチルイソブチルケトンの1:2の現像液
に３分間浸漬することによって現像し、イソプロピルア
ルコールでリンスし乾燥させた。次いで、130℃30分間
加熱処理（ポストベーク）した。このレジスト膜をCF4
−反応性イオンエッチング装置で、CF4＋５％ O2 10SC
CM 60mtorr、印加パワー13.56MHz、150Wの条件でエッチ
ングしたところ、Ｐ−MMAのエッチングレートは750Å/m
inであったのに対し、このレジスト膜のエッチングレー
トは480Å/minで、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。な
お、この系の反応性イオンエッチング装置（R1E）によ
るエッチング結果の走査型電子顕微鏡（SEM）観察結
果、0.3μｍの直線状パターンの形成を確認した。
橋剤を添加してレジストを調製した。このレジストを回
転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布
して、0.43μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを150
℃、30分、熱処理し熱架橋後、加速電圧10KV,4×10-7C/
cm2の電子線を所定パターンに従ってレジスト膜面に照
射した。続いて、これを大気中に取出して、25℃のシク
ロヘキサノンとメチルイソブチルケトンの1:2の現像液
に３分間浸漬することによって現像し、イソプロピルア
ルコールでリンスし乾燥させた。次いで、130℃30分間
加熱処理（ポストベーク）した。このレジスト膜をCF4
−反応性イオンエッチング装置で、CF4＋５％ O2 10SC
CM 60mtorr、印加パワー13.56MHz、150Wの条件でエッチ
ングしたところ、Ｐ−MMAのエッチングレートは750Å/m
inであったのに対し、このレジスト膜のエッチングレー
トは480Å/minで、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。な
お、この系の反応性イオンエッチング装置（R1E）によ
るエッチング結果の走査型電子顕微鏡（SEM）観察結
果、0.3μｍの直線状パターンの形成を確認した。
注：実施例、及び比較例中のポリマーの分子量測定はい
ずれもGPC−光散乱法によった。
ずれもGPC−光散乱法によった。
実施例２ α−シアノアクリル酸プロパギルとニトロエチレンの
モル比1:9の単分散共重合体を実施例１に準じて低温ア
ニオン重合法により得たが、その分子量は18.9万、その
分散度（w/ｎ）＝1.04であった。この５重量％シク
ロヘキサノン溶液を作り、これに熱架橋剤を添加してレ
ジストを調製した。このレジストを回転塗布法により0.
5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布し、0.4μｍの膜厚
の共重合体膜を得た。これを実施例１に準じて、熱架橋
・電子線照射・現像・リンス・乾燥・ポストベークを行
った。このレジスト膜を実施例１と同一条件でエッチン
グをしたところ、このレジスト膜のエッチングレートは
420Å/minで、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。この系
のRIEによる酸化シリコン層のパターニング結果をSEMに
より観察したところ、0.3μｍの直線状パターンがシャ
ープに形成されていることが確認された。
モル比1:9の単分散共重合体を実施例１に準じて低温ア
ニオン重合法により得たが、その分子量は18.9万、その
分散度（w/ｎ）＝1.04であった。この５重量％シク
ロヘキサノン溶液を作り、これに熱架橋剤を添加してレ
ジストを調製した。このレジストを回転塗布法により0.
5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布し、0.4μｍの膜厚
の共重合体膜を得た。これを実施例１に準じて、熱架橋
・電子線照射・現像・リンス・乾燥・ポストベークを行
った。このレジスト膜を実施例１と同一条件でエッチン
グをしたところ、このレジスト膜のエッチングレートは
420Å/minで、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。この系
のRIEによる酸化シリコン層のパターニング結果をSEMに
より観察したところ、0.3μｍの直線状パターンがシャ
ープに形成されていることが確認された。
実施例３ α−シアノアクリル酸アリルとメチレンマロン酸ジエ
チルのモル比1:9の単分散共重合体を実施例１に準じ低
温アニオン重合法により得たが、その分子量は34.4万、
分散度（w/ｎ）＝1.05であった。
チルのモル比1:9の単分散共重合体を実施例１に準じ低
温アニオン重合法により得たが、その分子量は34.4万、
分散度（w/ｎ）＝1.05であった。
このポリマーの５重量％シクロヘキサノン溶液を作
り、これに紫外線架橋剤を添加してレジストを調製し
た。このレジストを回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸
化シリコン層上に塗布して、膜厚0.54μｍの共重合体膜
を得た。これを実施例１に準じて、プリベーク・紫外線
架橋・電子線照射・現像・リンスし、乾燥後、ポストベ
ークした。
り、これに紫外線架橋剤を添加してレジストを調製し
た。このレジストを回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸
化シリコン層上に塗布して、膜厚0.54μｍの共重合体膜
を得た。これを実施例１に準じて、プリベーク・紫外線
架橋・電子線照射・現像・リンスし、乾燥後、ポストベ
ークした。
このレジスト膜を実施例１の条件でエッチングしたと
ころ、このレジスト膜のエッチングレートは440Å/min
で、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。
ころ、このレジスト膜のエッチングレートは440Å/min
で、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。
なお、この系のRIEによる酸化シリコン層のパターン
ニング結果は実施例１同様0.3μｍの直線状パターンが
良好な状態で形成されているのが、SEMにより観察され
た。
ニング結果は実施例１同様0.3μｍの直線状パターンが
良好な状態で形成されているのが、SEMにより観察され
た。
実施例４ α−シアノアクリル酸２−ヒドロキシエチルとメチレ
ンマロン酸ジメチルのモル比3:7の単分散共重合体を実
施例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は35.1万、分散度（w/ｎ）＝1.04であった。こ
の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、これに熱架橋
剤を添加してレジストを調製した。このレジストを回転
塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布
し、0.56μｍの膜厚の共重合体膜を得た。この膜を実施
例１に準じて熱架橋・電子線照射・現像・リンス・乾
燥、ポストベークを行なった。
ンマロン酸ジメチルのモル比3:7の単分散共重合体を実
施例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は35.1万、分散度（w/ｎ）＝1.04であった。こ
の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、これに熱架橋
剤を添加してレジストを調製した。このレジストを回転
塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布
し、0.56μｍの膜厚の共重合体膜を得た。この膜を実施
例１に準じて熱架橋・電子線照射・現像・リンス・乾
燥、ポストベークを行なった。
このレジスト膜を実施例１の条件でエッチングしたと
ころ、このレジスト膜のエッチングレートは470Å/min
で、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。なお、このレジ
ストの解像度は0.3μｍで、SEMによる観察によれば、シ
ャープなパターンエッジが確認された。
ころ、このレジスト膜のエッチングレートは470Å/min
で、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。なお、このレジ
ストの解像度は0.3μｍで、SEMによる観察によれば、シ
ャープなパターンエッジが確認された。
比較例１ α−シアノアクリル酸トリフルオロエチルとメチレン
マロン酸ジエチルのモル比6:4の単分散共重合体を実施
例１に準じて低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は36.1万、分散度（w/ｎ）＝1.04であった。こ
の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、回転塗布法に
より、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布し、0.54
μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを130℃、30分プ
リベークし、実施例１に準じて電子線照射・現像・リン
ス・ポストベークを行なった。このレジスト膜をエッチ
ングをしたところ、エッチングレートは885Å/minとＰ
−MMAより低い耐性を示した。
マロン酸ジエチルのモル比6:4の単分散共重合体を実施
例１に準じて低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は36.1万、分散度（w/ｎ）＝1.04であった。こ
の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、回転塗布法に
より、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布し、0.54
μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを130℃、30分プ
リベークし、実施例１に準じて電子線照射・現像・リン
ス・ポストベークを行なった。このレジスト膜をエッチ
ングをしたところ、エッチングレートは885Å/minとＰ
−MMAより低い耐性を示した。
この系のRIEによる酸化シリコン層のパターニング結
果をSEMで観察したところ、0.3μｍのシャープな直線状
パターンの形成が確認された。
果をSEMで観察したところ、0.3μｍのシャープな直線状
パターンの形成が確認された。
比較例２ ビニリデンシアニド５部、α−シアノアクリル酸エチ
ル10部、酢酸３部、アゾビスイソブチロニトリル0.1部
をガラス封管に仕込み、窒素中50℃15時間重合させた。
これをエチルエーテル中にあけて、重合物を沈澱させ、
40℃で真空乾燥して白色粉末状の非単分散共重合体12.5
部を得た。この共重合体の分子量は29.3万であった。
ル10部、酢酸３部、アゾビスイソブチロニトリル0.1部
をガラス封管に仕込み、窒素中50℃15時間重合させた。
これをエチルエーテル中にあけて、重合物を沈澱させ、
40℃で真空乾燥して白色粉末状の非単分散共重合体12.5
部を得た。この共重合体の分子量は29.3万であった。
この共重合体の５重量％のシクロヘキサン溶液を作
り、回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層
上に塗布して0.51μｍの厚さの共重合体膜を得た。これ
を130℃、30分加熱（プリベーク）後、実施例１に準じ
て、電子線照射・現像・リンス・乾燥・ポストベークを
行なった。このレジスト膜を実施例１に準じてエッチン
グしたところ、このレジストのエッチングレートは、85
0Å/minで実施例１と同様Ｐ−MMAより低い耐性を示し
た。また、RIEによりエッチングし、SEMにより観察した
ところ、0.5μｍのパターンの形成が確認された。
り、回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層
上に塗布して0.51μｍの厚さの共重合体膜を得た。これ
を130℃、30分加熱（プリベーク）後、実施例１に準じ
て、電子線照射・現像・リンス・乾燥・ポストベークを
行なった。このレジスト膜を実施例１に準じてエッチン
グしたところ、このレジストのエッチングレートは、85
0Å/minで実施例１と同様Ｐ−MMAより低い耐性を示し
た。また、RIEによりエッチングし、SEMにより観察した
ところ、0.5μｍのパターンの形成が確認された。
以上、実施例１〜４と比較例１、２から、単分散ポリ
マーと架橋性α−シアノアクリル酸エステル及び増感モ
ノマー（一般式（Ｉ））の導入は、解像度と耐ドライエ
ッチング性及び感度の改善にクリチカルな効果のあるこ
とが明らかである。
マーと架橋性α−シアノアクリル酸エステル及び増感モ
ノマー（一般式（Ｉ））の導入は、解像度と耐ドライエ
ッチング性及び感度の改善にクリチカルな効果のあるこ
とが明らかである。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） （ただし式中のＸは、CN、NO2、COOR、ＹはCN、Ｈ、COO
Rで、Ｒはアルキル基またはハロゲン化アルキル基） で表されるモノマー群のうちの１種以上と、側鎖に架橋
性基を有する架橋性α−シアノアクリル酸エステルとを
反応させて得られる分散度（Mw/Mn）が1.05以下の単分
散共重合体を主剤とした高解像度ポジ型放射線感応性レ
ジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62305480A JPH087443B2 (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-01 | 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-314226 | 1986-12-29 | ||
| JP31422686 | 1986-12-29 | ||
| JP62305480A JPH087443B2 (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-01 | 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271253A JPS63271253A (ja) | 1988-11-09 |
| JPH087443B2 true JPH087443B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=26564313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62305480A Expired - Lifetime JPH087443B2 (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-01 | 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087443B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9249265B1 (en) | 2014-09-08 | 2016-02-02 | Sirrus, Inc. | Emulsion polymers including one or more 1,1-disubstituted alkene compounds, emulsion methods, and polymer compositions |
| US9279022B1 (en) * | 2014-09-08 | 2016-03-08 | Sirrus, Inc. | Solution polymers including one or more 1,1-disubstituted alkene compounds, solution polymerization methods, and polymer compositions |
| US10414839B2 (en) | 2010-10-20 | 2019-09-17 | Sirrus, Inc. | Polymers including a methylene beta-ketoester and products formed therefrom |
| EP3517523A1 (en) * | 2011-10-19 | 2019-07-31 | Sirrus, Inc. | Multifunctional monomers and methods for making them |
| US20260035498A1 (en) * | 2022-10-11 | 2026-02-05 | Kuraray Co., Ltd. | Copolymer and resin composition containing copolymer |
| JPWO2024085249A1 (ja) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52132678A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-07 | Fujitsu Ltd | High-sensitive positive type electron beam formation |
| JPS5934296B2 (ja) * | 1976-06-16 | 1984-08-21 | 松下電器産業株式会社 | 電子ビ−ムレジストおよびその使用方法 |
| JPS55105244A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-12 | Victor Co Of Japan Ltd | Electron beam resist |
| JPS58108213A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ２−シアノアクリル酸エステル重合体の製造方法 |
| JPS6045238A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト材料とその製造方法 |
| GB8333853D0 (en) * | 1983-12-20 | 1984-02-01 | Ciba Geigy Ag | Production of images |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP62305480A patent/JPH087443B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63271253A (ja) | 1988-11-09 |
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