JPS649896B2 - - Google Patents
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- JPS649896B2 JPS649896B2 JP14106383A JP14106383A JPS649896B2 JP S649896 B2 JPS649896 B2 JP S649896B2 JP 14106383 A JP14106383 A JP 14106383A JP 14106383 A JP14106383 A JP 14106383A JP S649896 B2 JPS649896 B2 JP S649896B2
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- JP
- Japan
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- tube
- joint
- rollers
- inner ring
- pressure pipe
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D39/00—Application of procedures in order to connect objects or parts, e.g. coating with sheet metal otherwise than by plating; Tube expanders
- B21D39/04—Application of procedures in order to connect objects or parts, e.g. coating with sheet metal otherwise than by plating; Tube expanders of tubes with tubes; of tubes with rods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Non-Disconnectible Joints And Screw-Threaded Joints (AREA)
- Heat Treatment Of Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、管の接続方法に係り、特に圧力管型
原子炉に用いられる圧力管の接続部に生じる残留
応力を低減するに好適な管の接続方法に関する。
原子炉に用いられる圧力管の接続部に生じる残留
応力を低減するに好適な管の接続方法に関する。
圧力管型原子炉に適用された従来の圧力管上部
及び下部ロールドジヨイント部の構造を第１図に
示す。
及び下部ロールドジヨイント部の構造を第１図に
示す。
上部及び下部ロールドジヨイント部Ａ及びＢと
もに、圧力管１以外の部品の機械加工及び圧力管
１の下部ロールドジヨイント部は、ゴム拡管法に
より、外径基準でフレア加工を実施し、必要な表
面仕上精度に上げた後に、各部品を組立てて内側
に挿入し、設置した第２図に示すロールドジヨイ
ント装置により上部延長管５及び内リング３を拡
管し、圧力管１の両端の上部延長管５及び下部延
長管２と圧力管１を機械的に接続する構造であ
る。
もに、圧力管１以外の部品の機械加工及び圧力管
１の下部ロールドジヨイント部は、ゴム拡管法に
より、外径基準でフレア加工を実施し、必要な表
面仕上精度に上げた後に、各部品を組立てて内側
に挿入し、設置した第２図に示すロールドジヨイ
ント装置により上部延長管５及び内リング３を拡
管し、圧力管１の両端の上部延長管５及び下部延
長管２と圧力管１を機械的に接続する構造であ
る。
ここで、４は外リングで上部ロールドジヨイン
ト部において、圧力管１をはさみ込むための部品
である。
ト部において、圧力管１をはさみ込むための部品
である。
なお、圧力管１の上部ロールドジヨイント部側
は、必要な精度の表面仕上を実施するのみであ
る。
は、必要な精度の表面仕上を実施するのみであ
る。
このような機械的な接合方法により、ロールド
ジヨイント部として要求されるシール機能（気密
性）並びに引張り、曲げ及び捩り等の機械的強度
を有している。
ジヨイント部として要求されるシール機能（気密
性）並びに引張り、曲げ及び捩り等の機械的強度
を有している。
しかし、本構造では特にロールドジヨイント部
の圧力管１に生じる残留応力が比較的高くなる場
合があり、圧力管１に対する健全性及び信頼性向
上をはかるためには、この残留応力を低減した方
が良いと考えられ、ロールドジヨイント後に局部
応力除去焼鈍を実施して低減目標の残留応力まで
さげる様な対策を実施する場合には、多くの作業
時間を必要とする。特に特開昭53―139222号公報
に示されたものにあつては、内リング３に接触さ
せるローラの位置を熱処理後に非拡管部が内リン
グ端にのこるように変位させてから再拡管作業す
るから手間がかかる。
の圧力管１に生じる残留応力が比較的高くなる場
合があり、圧力管１に対する健全性及び信頼性向
上をはかるためには、この残留応力を低減した方
が良いと考えられ、ロールドジヨイント後に局部
応力除去焼鈍を実施して低減目標の残留応力まで
さげる様な対策を実施する場合には、多くの作業
時間を必要とする。特に特開昭53―139222号公報
に示されたものにあつては、内リング３に接触さ
せるローラの位置を熱処理後に非拡管部が内リン
グ端にのこるように変位させてから再拡管作業す
るから手間がかかる。
本発明の目的は、ロールドジヨイント後に局部
応力除去焼鈍を実施することなく、一回の拡管作
業でロールドジヨイント部圧力管に生じる残留応
力を低減させることにより、健全性及び信類性の
向上をはかることである。
応力除去焼鈍を実施することなく、一回の拡管作
業でロールドジヨイント部圧力管に生じる残留応
力を低減させることにより、健全性及び信類性の
向上をはかることである。
本発明は、以下の検討結果に基づいてなされた
ものである。
ものである。
ロールドジヨイント部圧力管に生じる残留応力
は、ジヨイント後の圧力管の径方向変位に関係し
ている。径方向変位の低減のためには第２図に示
すロールドジヨイント装置による拡管率を低減さ
せなければならない。しかしジヨイント部のシー
ル性能及び機械的性能を保証するためには所定の
拡管率以上で拡管しなければならない。このよう
に、残留応力と拡管率は相反する関係にある。こ
のため、第３図に示す上部ロールドジヨイントの
Ｃ部分の圧力管に生じる残留応力を低減させるた
めには、Ｄ部分のシール部の拡管率は所定の値と
し、シール部にあまり影響を与えないＥ部分の拡
管率を下げなければならない。
は、ジヨイント後の圧力管の径方向変位に関係し
ている。径方向変位の低減のためには第２図に示
すロールドジヨイント装置による拡管率を低減さ
せなければならない。しかしジヨイント部のシー
ル性能及び機械的性能を保証するためには所定の
拡管率以上で拡管しなければならない。このよう
に、残留応力と拡管率は相反する関係にある。こ
のため、第３図に示す上部ロールドジヨイントの
Ｃ部分の圧力管に生じる残留応力を低減させるた
めには、Ｄ部分のシール部の拡管率は所定の値と
し、シール部にあまり影響を与えないＥ部分の拡
管率を下げなければならない。
同様に、第４図に示す下部ロールドジヨイント
のＦ部分の圧力管に生じる残留応力を低減させる
ためには、Ｇ部分のシール部の拡管率は所定の値
とし、Ｈ部分の拡管率を下げなければならない。
のＦ部分の圧力管に生じる残留応力を低減させる
ためには、Ｇ部分のシール部の拡管率は所定の値
とし、Ｈ部分の拡管率を下げなければならない。
しかし、拡管作業は一回で行なわなければなら
ず、このためには、２つの部分に接触するローラ
のテーパ角度を変化させることにより拡管率をコ
ントロールしなければならない。
ず、このためには、２つの部分に接触するローラ
のテーパ角度を変化させることにより拡管率をコ
ントロールしなければならない。
ロールドジヨイント装置は、第２図に示すよう
に、フレーム８に取り付けられたローラ５及び６
がマンドレル７の回転運動を受けて相対回転運動
をするものである。
に、フレーム８に取り付けられたローラ５及び６
がマンドレル７の回転運動を受けて相対回転運動
をするものである。
ここで、ローラ５及び６のテーパ角度を変化さ
せることにより、残留応力の低減が計られる。
せることにより、残留応力の低減が計られる。
以下、本発明の一実施例を第５図を用いて説明
する。
する。
第５図は、本発明によるロールドジヨイント装
置の基本構造を示すもので、ローラ６は内リング
３の内面に平行に接触するようにし、ローラ５は
内リング３の内面とテーパ角度αnを持つて接触
するようにローラのテーパ角度を調整されてい
る。マンドレル７を軸方向に移動させることによ
りローラ６及びローラ５は径方向に変位するがロ
ーラ５は斜めに内リングに接触するため内リング
３のＨ部分はＧ部分に比べて径方向変位が小さく
なつている。本発明によれば、シール部に所定の
拡管率以上に拡管しても、ジヨイント部端部の拡
管率が低いため残留応力が高くなる危険性もな
く、このため、大きめの拡管率をねらつて一回の
作業でジヨイント作業を完了することが出来、作
業時間を大巾に短縮することができる。
置の基本構造を示すもので、ローラ６は内リング
３の内面に平行に接触するようにし、ローラ５は
内リング３の内面とテーパ角度αnを持つて接触
するようにローラのテーパ角度を調整されてい
る。マンドレル７を軸方向に移動させることによ
りローラ６及びローラ５は径方向に変位するがロ
ーラ５は斜めに内リングに接触するため内リング
３のＨ部分はＧ部分に比べて径方向変位が小さく
なつている。本発明によれば、シール部に所定の
拡管率以上に拡管しても、ジヨイント部端部の拡
管率が低いため残留応力が高くなる危険性もな
く、このため、大きめの拡管率をねらつて一回の
作業でジヨイント作業を完了することが出来、作
業時間を大巾に短縮することができる。
以上、本発明によれば、テーパ角度の異なるロ
ーラ組み合わせることにより、残留応力を低減さ
せたジヨイント部を得ることが出来、かつジヨイ
ント作業時間を大巾に短縮することが出来る。
ーラ組み合わせることにより、残留応力を低減さ
せたジヨイント部を得ることが出来、かつジヨイ
ント作業時間を大巾に短縮することが出来る。
第１図は、圧力管ロールドジヨイント部の断面
図、第２図は従来のロールドジヨイント装置を示
す外形図、第３図は上部ロールドジヨイント部の
断面図、第４図は下部ロールドジヨイント部の断
面図、第５図は本発明の一実施例の基本構造図で
ある。 １……圧力管、２……下部延長管、３……内リ
ング、４……外リング、５……上部延長管、６…
…ローラ、７……マンドレル、８……フレーム。
図、第２図は従来のロールドジヨイント装置を示
す外形図、第３図は上部ロールドジヨイント部の
断面図、第４図は下部ロールドジヨイント部の断
面図、第５図は本発明の一実施例の基本構造図で
ある。 １……圧力管、２……下部延長管、３……内リ
ング、４……外リング、５……上部延長管、６…
…ローラ、７……マンドレル、８……フレーム。
Claims (1)
- １ 外側のリング状部材と内側のリング状部材と
の間に管の端部を挿入し、前記内側のリング状部
材の内面と接触する部分の接触角度を前記管の端
面に近いローラよりも前記端面から遠方のローラ
の方が大きくなるように前記各ローラを拡管装置
に配備し、前記各ローラを前記内側のリング状部
材の内面へ径方向へ押し付けることにより前記管
端部と前記内外両リング状部材とを機械的に接続
するロールドジヨイント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14106383A JPS6033836A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | ロ−ルドジヨイント法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14106383A JPS6033836A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | ロ−ルドジヨイント法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033836A JPS6033836A (ja) | 1985-02-21 |
| JPS649896B2 true JPS649896B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=15283380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14106383A Granted JPS6033836A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | ロ−ルドジヨイント法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033836A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04123895U (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-10 | 宮田工業株式会社 | ワイヤーガイド |
| US6855368B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7022948B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-04-04 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7115499B2 (en) | 2002-02-26 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7201803B2 (en) | 2001-03-07 | 2007-04-10 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7208413B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7595263B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4995665B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-08-08 | 昭和電工株式会社 | パイプと複数個の被接合部材との接合方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139222A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Hitachi Ltd | Heavy water reactor pressure pipe rolled joint method |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP14106383A patent/JPS6033836A/ja active Granted
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04123895U (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-10 | 宮田工業株式会社 | ワイヤーガイド |
| US7208413B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7501343B2 (en) | 2000-06-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7501344B2 (en) | 2000-06-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US6855368B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7465666B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US7115494B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7235486B2 (en) | 2000-06-28 | 2007-06-26 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US7033922B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-04-25 | Applied Materials. Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7022948B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-04-04 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7094680B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7201803B2 (en) | 2001-03-07 | 2007-04-10 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7352048B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-04-01 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7494908B2 (en) | 2001-09-26 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for integration of barrier layer and seed layer |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US7115499B2 (en) | 2002-02-26 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7429516B2 (en) | 2002-02-26 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Tungsten nitride atomic layer deposition processes |
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| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7595263B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6033836A (ja) | 1985-02-21 |
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