JPWO2024252560A5

JPWO2024252560A5 -

Info

Publication number: JPWO2024252560A5
Application number: JP2025525526A
Authority: JP
Filing date: 2023-06-07
Publication date: 2026-04-09

Claims

第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１面に設けられた第１配線と、前記第１絶縁層の第２面に設けられた第２配線と、前記第１絶縁層を貫通し前記第１配線及び前記第２配線を互いに接続する第１ビアとを有する第１基板を準備する工程と、
第２絶縁層と、前記第２絶縁層の第１面に設けられた第３配線と、前記第２絶縁層の第２面に設けられた第４配線と、前記第２絶縁層を貫通し前記第３配線及び前記第４配線を互いに接続する第２ビアとを有する第２基板を準備する工程と、
第３絶縁層と、前記第３絶縁層の第１面に設けられた第５配線と、前記第３絶縁層の第２面に設けられた第６配線と、前記第３絶縁層を貫通し前記第５配線及び前記第６配線を互いに接続する第３ビアとを有する第３基板を準備する工程と、
第１接合材と、前記第１接合材を貫通する第１接続ビアとを有する第１接合体を準備する工程と、
第２接合材と、前記第２接合材を貫通する第２接続ビアとを有する第２接合体を準備する工程と、
前記第１接合体をその間に挟み込むように前記第１基板と前記第２基板とを積層して第１積層基板を作製する工程と、
前記第３基板を含む第２積層基板を準備する工程と、
前記第２接合体をその間に挟み込むように前記第１積層基板と前記第２積層基板とを積層して第３積層基板を作製する工程と、
を備える多層基板の製造方法。
第４絶縁層と、前記第４絶縁層の第１面に設けられた第７配線と、前記第４絶縁層の第２面に設けられた第８配線と、前記第４絶縁層を貫通し前記第７配線及び前記第８配線を互いに接続する第４ビアとを有する第４基板を準備する工程と、
第３接合材と、前記第３接合材を貫通する第３接続ビアとを有する第３接合体を準備する工程と、を備え、
前記第２積層基板を準備する工程では、前記第３接合体をその間に挟み込むように前記第３基板と前記第４基板とを積層して前記第２積層基板を作製する、
請求項１に記載の多層基板の製造方法。
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層は、硬化された硬化性樹脂を含む絶縁層である、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層は、ガラス基板である、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記第１接合材は、前記第１積層基板を作製する前において、半硬化又は未硬化の硬化性樹脂を含む絶縁層であり、
前記第２接合材は、前記第３積層基板を作製する前において、半硬化又は未硬化の硬化性樹脂を含む絶縁層である、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記第１ビア、前記第２ビア及び前記第１接続ビアのうち少なくとも１つのビアは、他のビアとは異なる平面方向における位置に設けられている、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記第１接続ビアは、前記第１ビア及び前記第２ビアとは異なる平面方向における位置に設けられている、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
第４接合材と、前記第４接合材を貫通する第４接続ビアとを有する第４接合体を準備する工程を更に備え、
前記第３積層基板を作製する工程では、前記第２接合材をその間に挟み込むように前記第１積層基板と前記第２積層基板とを積層した第３積層基板を２つ作製し、
前記第４接合材をその間に挟み込むように２つの前記第３積層基板を積層して第４積層基板を作製する、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記多層基板の最外層に外部端子を形成する工程を更に備える、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記多層基板がパッケージ基板である、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記第１基板、前記第２基板、及び前記第３基板のうち少なくとも１つの基板を、積層する前に、検査する工程を更に備える、
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
前記第１基板を準備する工程では、複数の第１基板が準備され、
前記第２基板を準備する工程では、複数の第２基板が準備され、
前記第１積層基板を作製する工程では、複数の第１積層基板が作製され、
前記複数の第１基板のそれぞれ及び前記複数の第２基板のそれぞれは、複数の配線部を含む大判基板であり、
前記検査する工程では、前記複数の第１基板のそれぞれにおける各配線部が検査されると共に、前記複数の第２基板のそれぞれにおける各配線部が検査され、
前記第１積層基板を作製する工程では、前記検査する工程での検査結果に基づいて前記複数の第１基板の各基板と前記複数の第２基板の各基板との組み合わせが選択される、
請求項１１に記載の多層基板の製造方法。
前記第１積層基板を作製する工程では、前記検査する工程で良品と判断された各配線部同士が重ね合わされるように選択が行われる、
請求項１２に記載の多層基板の製造方法。
請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法によって製造されるパッケージ基板と、
前記パッケージ基板に実装される半導体素子と、
を備える半導体装置。