JPWO2024257580A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１主面と、前記第１主面の反対にある第２主面とを有する炭化珪素基板と、
   前記第１主面において前記炭化珪素基板に接する第１炭化珪素エピタキシャル層と、
   前記第２主面において前記炭化珪素基板に接する第２炭化珪素エピタキシャル層と、を備え、
   前記第１炭化珪素エピタキシャル層の厚みは、前記第２炭化珪素エピタキシャル層の厚みよりも大きく、
   平面視において、前記第２炭化珪素エピタキシャル層の中心正方領域における凹みの面密度は、５ｍｍ^-2以下であり、
   前記中心正方領域の一辺の長さは、５ｍｍであり、
   平面視において、前記凹みの最大幅は１０μｍ以上１００μｍ以下である、炭化珪素エピタキシャル基板。
2. 平面視において、前記凹みの外形は、円弧状の部分を有する、請求項１に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
3. 前記中心正方領域における前記凹みの面密度は、４ｍｍ^-2以下である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
4. 前記第２炭化珪素エピタキシャル層の厚みは、０．１μｍ以上５μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
5. 請求項１または請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、
   前記第１炭化珪素エピタキシャル層上に電極を形成する工程と、を備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。
6. 炭化珪素基板が配置されていない状態で、サセプタ上に炭化珪素コーティング層を形成する工程と、
   前記炭化珪素基板が前記炭化珪素コーティング層と接するように前記炭化珪素基板を前記サセプタに配置する工程と、
   前記炭化珪素基板上に炭化珪素エピタキシャル層を形成する工程と、を備えた、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法。
7. 前記サセプタ上に炭化珪素粒子が存在し、
   前記炭化珪素コーティング層の厚みは、前記炭化珪素粒子の高さよりも大きい、請求項６に記載の炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法。