KR102625710B1 - 형광체의 제조방법 - Google Patents
형광체의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102625710B1 KR102625710B1 KR1020210126287A KR20210126287A KR102625710B1 KR 102625710 B1 KR102625710 B1 KR 102625710B1 KR 1020210126287 A KR1020210126287 A KR 1020210126287A KR 20210126287 A KR20210126287 A KR 20210126287A KR 102625710 B1 KR102625710 B1 KR 102625710B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesive material
- phosphor
- dicing
- wafer
- trench
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J191/00—Adhesives based on oils, fats or waxes; Adhesives based on derivatives thereof
- C09J191/06—Waxes
-
- H01L33/505—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
-
- H01L21/304—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H01L2933/0041—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 형광체의 제조방법 중 다이싱 과정,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 형광체의 제조방법 중 그라인딩 과정,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 형광체의 제조방법 중 점착액 충진의 결과,
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 형광체의 제조방법 중 그라인딩 과정,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 형광체의 제조방법 중 점착액 제거의 결과를 도시한다.
도 8은 종래기술에 의한 형광체 제조방법을 전체적으로 도시한다.
3; 다이싱트렌치 9; 점착재
13; 작업대 15; 표면그라인더
19; 다이싱블레이드 24; 다이싱라인
Claims (5)
- LED칩에서 방사되는 빛의 파장을 변경하는 색변환부재인 형광체 제조방법으로서,
형광체 웨이퍼를 점착물질이 도포된 UV테이프 위에 놓는 단계;
격자형의 다이싱라인을 따라 상기 형광체 웨이퍼의 일면에 다이싱트렌치를 형성하는 단계;
상기 다이싱트렌치에 유동성 있는 점착재를 채우는 단계;
상기 점착재를 굳히는 단계;
상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면의 두께를 축소하여, 상기 다이싱라인을 따라 분할된 다수의 개별 형광체와 그 사이를 연결하는 상기 점착재가 일체화된 형태가 되도록 하는 단계;
상기 분할된 개별 형광체들만 남도록 상기 점착재를 제거하는 단계;를 포함함으로써, 상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면의 두께를 축소하는 단계 수행 시 상기 점착재가 상기 개별 형광체를 지지함에 따라 상기 형광체 웨이퍼가 손상되거나 상기 개별 형광체들의 일부가 작업대에서 이탈하는 것을 방지할 수 있도록 하며,
상기 점착재는 UV경화점착재이며,
상기 굳히는 단계는, 점착재에 자외선을 가하는 것이며,
상기 점착재를 제거하는 단계는, 상기 점착재에 자외선을 더 가하는 것으로서, 상기 점착재를 제거하는 단계에서 가하는 자외선에 의해 상기 UV테이프도 제거될 수 있는 형광체 제조방법. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 다이싱트렌치를 형성하는 단계와 상기 점착재를 채우는 단계 사이에,
상기 다이싱트렌치 형성과정에서 상기 형광체 웨이퍼의 표면에 형성되는 칩핑부위를 제거하기 위해 상기 다이싱트렌치가 형성된 면을 균일한 두께만큼 그라인딩하는 단계를 더 포함하는 형광체 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 일체화된 형태가 되도록 하는 단계는,
상기 다이싱트렌치에 상기 점착재가 채워진 상태의 상기 형광체 웨이퍼를 뒤집어 상기 UV테이프의 상면에 접촉하도록 두고, 상기 형광체 웨이퍼의 윗면에 표면그라인더로 상기 형광체 웨이퍼의 전체에 걸쳐 균일한 두께로, 상기 표면그라인더가 상기 점착재에 도달할 때까지 그라인딩하는 것을 포함하는 형광체 제조방법.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210126287A KR102625710B1 (ko) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 형광체의 제조방법 |
| TW110143630A TWI802097B (zh) | 2021-09-24 | 2021-11-24 | 螢光體之製造方法 |
| US17/868,840 US20230097254A1 (en) | 2021-09-24 | 2022-07-20 | Method of manufacturing fluorescent substance |
| CN202210871252.6A CN115926775A (zh) | 2021-09-24 | 2022-07-22 | 荧光体的制造方法 |
| JP2022125068A JP7398832B2 (ja) | 2021-09-24 | 2022-08-04 | 蛍光体の製造方法 |
| DE102022119785.9A DE102022119785A1 (de) | 2021-09-24 | 2022-08-05 | Verfahren zum herstellen eines leuchtstoffs |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210126287A KR102625710B1 (ko) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 형광체의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230043428A KR20230043428A (ko) | 2023-03-31 |
| KR102625710B1 true KR102625710B1 (ko) | 2024-01-16 |
Family
ID=85476994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210126287A Active KR102625710B1 (ko) | 2021-09-24 | 2021-09-24 | 형광체의 제조방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230097254A1 (ko) |
| JP (1) | JP7398832B2 (ko) |
| KR (1) | KR102625710B1 (ko) |
| CN (1) | CN115926775A (ko) |
| DE (1) | DE102022119785A1 (ko) |
| TW (1) | TWI802097B (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013026628A (ja) | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP6126752B2 (ja) | 2014-08-05 | 2017-05-10 | シチズン電子株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR102243674B1 (ko) * | 2019-10-28 | 2021-04-23 | 주식회사 루츠 | 세라믹칩 제조방법 |
Family Cites Families (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534567A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-11 | Hitachi Ltd | Generator for phase-synchronizing signal |
| JPS59186345A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61112345A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5017255A (en) * | 1989-01-23 | 1991-05-21 | Clyde D. Calhoun | Method of transferring an inorganic image |
| JPH03274749A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2854392B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1999-02-03 | 本田技研工業株式会社 | ワークの分割方法 |
| JP2890851B2 (ja) * | 1991-01-29 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100219954B1 (ko) * | 1991-09-12 | 1999-09-01 | 스프레이그 로버트 월터 | 문양화된 압감접착제 전이 테이프 |
| CA2115947A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-04 | Gregory C. Smith | Wafer-like processing after sawing dmds |
| DE19962763C2 (de) * | 1999-07-01 | 2001-07-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers |
| JP4687838B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2011-05-25 | 株式会社ディスコ | 半導体チップの製造方法 |
| JP3906962B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2007-04-18 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6709953B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-03-23 | Infineon Technologies Ag | Method of applying a bottom surface protective coating to a wafer, and wafer dicing method |
| JP4342832B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4554901B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2010-09-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| WO2005036633A1 (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Nagase & Co., Ltd. | 電子部材の製造方法、及び、接着材付icチップ |
| JP4405246B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体チップの製造方法 |
| US6861336B1 (en) * | 2003-11-30 | 2005-03-01 | Union Semiconductor Technology Corporation | Die thinning methods |
| US7074695B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-07-11 | Chippac, Inc. | DBG system and method with adhesive layer severing |
| US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| US7553683B2 (en) * | 2004-06-09 | 2009-06-30 | Philips Lumiled Lighting Co., Llc | Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices |
| TWI234234B (en) * | 2004-08-09 | 2005-06-11 | Touch Micro System Tech | Method of segmenting a wafer |
| US7858408B2 (en) * | 2004-11-15 | 2010-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens |
| CN101129095B (zh) * | 2005-02-17 | 2014-07-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括发绿光的陶瓷发光转换器的照明系统 |
| DE102005023134A1 (de) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Lumineszenzkonversions-LED |
| US7285791B2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-23 | Goldeneye, Inc. | Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same |
| JP5275553B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2013-08-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 分割チップの製造方法 |
| JP4933233B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-05-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| KR101159658B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2012-06-25 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 사파이어 기판 연마 방법 |
| JP2008263070A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
| KR100924269B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2009-10-30 | (주) 포코 | 타일형 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| JP2009224659A (ja) | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
| US7859000B2 (en) * | 2008-04-10 | 2010-12-28 | Cree, Inc. | LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same |
| US8058150B2 (en) * | 2008-07-10 | 2011-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Particle free wafer separation |
| KR20100050793A (ko) * | 2008-11-06 | 2010-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
| JP2010206044A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2011122655A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 三菱化学株式会社 | 発光装置 |
| JP5701523B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2015-04-15 | 日東電工株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP5287935B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2013-09-11 | 東レ株式会社 | 蛍光体含有シート、それを用いたled発光装置およびその製造方法 |
| KR101277999B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2013-06-27 | 주식회사 네패스 | 반도체칩의 제조방법 |
| JP5916258B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2016-05-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 接着フィルム |
| US8815706B2 (en) * | 2012-01-20 | 2014-08-26 | Infineon Technologies Ag | Methods of forming semiconductor devices |
| WO2013147195A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置、及び照明装置 |
| JP6149487B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| CZ304579B6 (cs) * | 2013-04-22 | 2014-07-16 | Crytur Spol. S R. O. | Dioda emitující bílé světlo s monokrystalickým luminoforem a způsob výroby |
| US20140339573A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-20 | Goldeneye, Inc. | LED light source with thermally conductive luminescent matrix |
| US9165831B2 (en) * | 2013-06-27 | 2015-10-20 | Globalfoundries Inc. | Dice before grind with backside metal |
| CN105493301A (zh) | 2013-07-08 | 2016-04-13 | 皇家飞利浦有限公司 | 波长转换的半导体发光器件 |
| WO2015104623A1 (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | Koninklijke Philips N.V. | Glueless light emitting device with phosphor converter |
| US9806240B2 (en) * | 2014-03-10 | 2017-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element |
| WO2016194746A1 (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | 日東電工株式会社 | 蛍光体プレートの製造方法 |
| TW201713607A (zh) * | 2015-06-02 | 2017-04-16 | Nitto Denko Corp | 螢光體樹脂片之製造方法 |
| WO2017057454A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東レ株式会社 | 発光装置の製造方法および表示装置の製造方法 |
| JP5897196B1 (ja) * | 2015-10-05 | 2016-03-30 | 大同化成工業株式会社 | 糖又は糖アルコール、膨潤型結合剤、崩壊剤及び高吸収性賦形剤を含む複合化造粒物及びその製造方法 |
| JP2017168736A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| KR101762223B1 (ko) * | 2016-03-23 | 2017-07-27 | 주식회사 베이스 | 형광체를 포함하는 led 칩 봉지부재의 제조 방법 |
| DE102016109693B4 (de) * | 2016-05-25 | 2022-10-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Trennen von Halbleiterdies von einem Halbleitersubstrat und Halbleitersubstratanordnung |
| DE102017215177B4 (de) * | 2016-09-02 | 2024-10-10 | Idex Biometrics Asa | Verfahren zur Herstellung eines Abdeckungselements geeignet für einen Fingerprint Sensor |
| WO2018155253A1 (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 東レ株式会社 | 蛍光体シート、それを用いたledチップおよびledパッケージ、ledパッケージの製造方法、ならびにledパッケージを含む発光装置、バックライトユニットおよびディスプレイ |
| US10947448B2 (en) * | 2017-02-28 | 2021-03-16 | Nichia Corporation | Method for manufacturing wavelength conversion member |
| JP6991475B2 (ja) * | 2017-05-24 | 2022-01-12 | 協立化学産業株式会社 | 加工対象物切断方法 |
| JP7071782B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-05-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| TWI805564B (zh) * | 2018-01-25 | 2023-06-21 | 晶元光電股份有限公司 | 晶粒轉移方法及其裝置 |
| KR102485032B1 (ko) * | 2018-05-31 | 2023-01-09 | 한국전력공사 | 열전소재의 다이싱 방법 및 장치 |
| KR102675945B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2024-06-17 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
| KR102498148B1 (ko) * | 2018-09-20 | 2023-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP7057508B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-04-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN110896028A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-03-20 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 大尺寸厚度半导体材料的精密切割方法及其精密切割装置 |
| KR102335782B1 (ko) | 2020-04-10 | 2021-12-06 | 주식회사 옵티코어 | 채널별 신호 레벨 차등화를 통한 파장 잠금 기능을 갖는 파장 가변형 광송수신 장치 |
| DE102021117776A1 (de) * | 2020-07-13 | 2022-01-13 | Nichia Corporation | Verfahren zur herstellung eines wellenlängenumwandlungsbauteils und wellenlängenumwandlungsbauteil |
| KR102837821B1 (ko) * | 2022-05-24 | 2025-07-23 | 주식회사 루츠 | 형광체의 제조방법 |
| US20250015050A1 (en) * | 2023-07-06 | 2025-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dummy dies and method of forming the same |
-
2021
- 2021-09-24 KR KR1020210126287A patent/KR102625710B1/ko active Active
- 2021-11-24 TW TW110143630A patent/TWI802097B/zh active
-
2022
- 2022-07-20 US US17/868,840 patent/US20230097254A1/en active Pending
- 2022-07-22 CN CN202210871252.6A patent/CN115926775A/zh active Pending
- 2022-08-04 JP JP2022125068A patent/JP7398832B2/ja active Active
- 2022-08-05 DE DE102022119785.9A patent/DE102022119785A1/de active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013026628A (ja) | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP6126752B2 (ja) | 2014-08-05 | 2017-05-10 | シチズン電子株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR102243674B1 (ko) * | 2019-10-28 | 2021-04-23 | 주식회사 루츠 | 세라믹칩 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115926775A (zh) | 2023-04-07 |
| TWI802097B (zh) | 2023-05-11 |
| KR20230043428A (ko) | 2023-03-31 |
| JP7398832B2 (ja) | 2023-12-15 |
| US20230097254A1 (en) | 2023-03-30 |
| DE102022119785A1 (de) | 2023-03-30 |
| JP2023047290A (ja) | 2023-04-05 |
| TW202314822A (zh) | 2023-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6061590B2 (ja) | 表面保護部材および加工方法 | |
| JP6475519B2 (ja) | 保護部材の形成方法 | |
| TWI754754B (zh) | 晶圓加工方法 | |
| JP2017079291A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP6956788B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
| KR102503524B1 (ko) | 디바이스칩의 제조 방법 | |
| KR102379433B1 (ko) | 피가공물의 절삭 가공 방법 | |
| KR102625710B1 (ko) | 형광체의 제조방법 | |
| CN101879706B (zh) | 钻石研磨碟及其制造方法 | |
| JP2020123666A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| TWI836997B (zh) | 螢光體的製造方法 | |
| KR102143180B1 (ko) | 척 테이블 및 그 제조 방법 | |
| US11679527B2 (en) | Manufacturing method of ceramic chips | |
| TWI831435B (zh) | 基板研磨方法 | |
| JP7132710B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| US6864154B2 (en) | Process for lapping wafer and method for processing backside of wafer using the same | |
| JP5378932B2 (ja) | 被研削物の研削方法 | |
| KR20220155204A (ko) | 보호 부재를 갖는 피가공물의 제조 방법, 피가공물의 가공 방법 및 피가공물의 보호 부재 | |
| JPH03256668A (ja) | 半導体ウェハ研磨用マウント板 | |
| JP7597565B2 (ja) | 板状物の加工方法、及び、パッケージ基板の加工方法 | |
| CN110828306B (zh) | 被加工物的加工方法 | |
| JP2005279977A (ja) | 硬質脆性基板の切断方法 | |
| KR20240085169A (ko) | 연삭 휠의 제작 방법 및 연삭 휠 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |