JPH03256668A - 半導体ウェハ研磨用マウント板 - Google Patents
半導体ウェハ研磨用マウント板Info
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- JPH03256668A JPH03256668A JP9054180A JP5418090A JPH03256668A JP H03256668 A JPH03256668 A JP H03256668A JP 9054180 A JP9054180 A JP 9054180A JP 5418090 A JP5418090 A JP 5418090A JP H03256668 A JPH03256668 A JP H03256668A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体ウェノ・研磨用マウント板、特にワック
スを用いて半導体ウェノ\を貼り付けるマウント板の貼
付は性能を改善したものに関する。
スを用いて半導体ウェノ\を貼り付けるマウント板の貼
付は性能を改善したものに関する。
[従来の技術]
半導体ウェハを研磨する時、平坦な治具、すなわちマウ
ント板の上にウェハを貼り付けて行う方法が一般的に採
用されている。
ント板の上にウェハを貼り付けて行う方法が一般的に採
用されている。
これは、平坦性を重視する結果生まれたもので、最近で
はワックスを使用する方法と、ワックスを使用しない方
法とがある。
はワックスを使用する方法と、ワックスを使用しない方
法とがある。
前者は洗浄性の良いワックスを使用してウェハを貼付す
る方法であり、非常に粘着力が強く、ワックス厚を均一
にすることによって高い精度のウェハ研磨が期待できる
。
る方法であり、非常に粘着力が強く、ワックス厚を均一
にすることによって高い精度のウェハ研磨が期待できる
。
後者は人口皮革の表面にそれぞれ独立した空間を設け、
ウェハを押し付けてこれらの空間を吸収させて貼り付け
る方法である。この方法では人口皮革を使用するため平
坦性の良い面を得ることは難しいが、研磨後、ワックス
除去の必要がないというメリットがある。従って、ウェ
ハに要求される平坦精度が厳しくないものについては適
用可能であり、作業後のワックス除去が省略できて生産
性を上げることが期待できる。
ウェハを押し付けてこれらの空間を吸収させて貼り付け
る方法である。この方法では人口皮革を使用するため平
坦性の良い面を得ることは難しいが、研磨後、ワックス
除去の必要がないというメリットがある。従って、ウェ
ハに要求される平坦精度が厳しくないものについては適
用可能であり、作業後のワックス除去が省略できて生産
性を上げることが期待できる。
従来、GaAs等の半導体ウェハを鏡面仕上げするには
、高い精度のウェハ研磨が要求されるため専らワックス
を使用する前者の方法が採用される。
、高い精度のウェハ研磨が要求されるため専らワックス
を使用する前者の方法が採用される。
第2図はこの様なワックスを使用してウェハを研磨する
ための研磨装置の概略構成を示す全体図である。
ための研磨装置の概略構成を示す全体図である。
回転する円板状のマウント板1上に、その周方向に沿っ
て複数の半導体ウェハ3がワックス2によって貼り付け
られ、この貼り付けられた半導体ウェハ3を加圧しなが
ら表面研磨する。マウント板1は、化学的に侵されない
材質で経年変化、荷重に対し変形の少ないものが使用さ
れる。通常はセラミックスやガラス等で形成され、その
表面は凹凸のない滑らかな平面に仕上げられている。
て複数の半導体ウェハ3がワックス2によって貼り付け
られ、この貼り付けられた半導体ウェハ3を加圧しなが
ら表面研磨する。マウント板1は、化学的に侵されない
材質で経年変化、荷重に対し変形の少ないものが使用さ
れる。通常はセラミックスやガラス等で形成され、その
表面は凹凸のない滑らかな平面に仕上げられている。
第3図は、このような従来のマウント板1にワックス2
を介して半導体ウェハを貼り付けた状態を示す横断面図
を示している。図示するように、ワックス2に厚さムラ
が生じ傾斜して貼り付けられる傾向がある。また特にウ
ェハサイズが大きくなるとウェハ中央部にある溶融ワッ
クスか抜は切れなくなり、中央部のワックス厚が大きく
なる傾向にある。このように、ワックスによる貼付けは
均一なワックス厚を得ることが難しい。
を介して半導体ウェハを貼り付けた状態を示す横断面図
を示している。図示するように、ワックス2に厚さムラ
が生じ傾斜して貼り付けられる傾向がある。また特にウ
ェハサイズが大きくなるとウェハ中央部にある溶融ワッ
クスか抜は切れなくなり、中央部のワックス厚が大きく
なる傾向にある。このように、ワックスによる貼付けは
均一なワックス厚を得ることが難しい。
[発明が解決しようとする課題]
上述したように、ワックスにより半導体ウェハを貼付し
て研磨する場合では、次のような問題点がある。
て研磨する場合では、次のような問題点がある。
(1)ウェハの反りが十分に矯正されないことによって
発生するワックス厚さのムラにより、高精度なウェハを
得ることは難しい。
発生するワックス厚さのムラにより、高精度なウェハを
得ることは難しい。
(2)ウェハをマウント板に貼付ける際、ワックス中に
異物が存在すると、その部分の形状変化がウェハにも現
れ、研磨後、いわゆるエクボといわれる鏡面欠陥として
残る。
異物が存在すると、その部分の形状変化がウェハにも現
れ、研磨後、いわゆるエクボといわれる鏡面欠陥として
残る。
(3)鏡面加工後、ウェハ表面に残るワックスを除去す
るため有機溶剤による洗浄工程を経る必要があり、その
結果、コストアップとなる。
るため有機溶剤による洗浄工程を経る必要があり、その
結果、コストアップとなる。
(4)有機溶剤によるワックス除去では、溶解したワッ
クスによる最汚染が起りやすく、ウェハ裏面で溶けたワ
ックスの鏡面側への再付着などが起る。この再付着した
異物は、その後の洗浄では完全に除けない。また、ワッ
クス中に含まれる異物についても同様である。このため
洗浄度の向上には大きな障害となる。
クスによる最汚染が起りやすく、ウェハ裏面で溶けたワ
ックスの鏡面側への再付着などが起る。この再付着した
異物は、その後の洗浄では完全に除けない。また、ワッ
クス中に含まれる異物についても同様である。このため
洗浄度の向上には大きな障害となる。
本発明の目的は、半導体ウェハ貼付は時、溶融7ツクス
が容易に流動することによって、上述した従来技術の欠
点を解消して、ウェハ貼付けの際に起こるワックス厚さ
むらの影響を解消して、高精度の貼付けを実現すること
が可能な新規な半導体ウェハ研磨用マウント板を提供す
ることにある。
が容易に流動することによって、上述した従来技術の欠
点を解消して、ウェハ貼付けの際に起こるワックス厚さ
むらの影響を解消して、高精度の貼付けを実現すること
が可能な新規な半導体ウェハ研磨用マウント板を提供す
ることにある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、半導体ウェハを研磨すべくワックスを介して
加圧して貼り付けるための半導体ウェハ研磨用マウント
板において、マウント板表面に、半導体ウェハの貼付は
時、溶融させたワックスの一部を流動して、ウェハとマ
ウント板間にワックスを均一に分布させる凹凸または溝
を設け、この凹凸または溝によって形成される突起の頂
点によって得られる平面が、前記半導体ウェハに要求さ
れる平坦度を損ねない平面あらさで形成されるようにし
たものである。
加圧して貼り付けるための半導体ウェハ研磨用マウント
板において、マウント板表面に、半導体ウェハの貼付は
時、溶融させたワックスの一部を流動して、ウェハとマ
ウント板間にワックスを均一に分布させる凹凸または溝
を設け、この凹凸または溝によって形成される突起の頂
点によって得られる平面が、前記半導体ウェハに要求さ
れる平坦度を損ねない平面あらさで形成されるようにし
たものである。
U作用1
ワックスの溶融温度以上にマウント板を加熱し、この上
にワックスを溶融塗布し、この溶融塗布したワックス上
に半導体ウェハを載置した後、半導体ウェハを均一に加
圧すると、マウント板の表面に設けた凹凸または溝から
余剰なワックスが凹凸または溝方向に沿って押し出され
る。従って、ともすれば封じ込まれかちな中央附近のワ
ックスも流動して、その封じ込みをまのがれる。
にワックスを溶融塗布し、この溶融塗布したワックス上
に半導体ウェハを載置した後、半導体ウェハを均一に加
圧すると、マウント板の表面に設けた凹凸または溝から
余剰なワックスが凹凸または溝方向に沿って押し出され
る。従って、ともすれば封じ込まれかちな中央附近のワ
ックスも流動して、その封じ込みをまのがれる。
そして、凹凸または溝を形成する突起にウェハが接触し
た状態になるまで加圧すると、ワックス厚さむらがなく
なりワックスの付着が最小限に抑えられる。
た状態になるまで加圧すると、ワックス厚さむらがなく
なりワックスの付着が最小限に抑えられる。
また、ワックス中に混入している異物は凹凸または溝内
に入り込むので、ウェハの形状変化が防止できる。
に入り込むので、ウェハの形状変化が防止できる。
このようにして、ワックス厚さむらのない状態で半導体
ウェハを貼り付けることができるので、高精度の鏡面研
磨が可能となる。
ウェハを貼り付けることができるので、高精度の鏡面研
磨が可能となる。
[実施例コ
以下、本発明の実施例を第1図、第4図を用いて説明す
る。
る。
第1図に示すように、マウント板1の表面にはワックス
2が溶融した状態でワックス2の封じ込みが中央部で起
らない程度に流れ出し可能な大きさの凹凸または溝4が
形成されている。
2が溶融した状態でワックス2の封じ込みが中央部で起
らない程度に流れ出し可能な大きさの凹凸または溝4が
形成されている。
また、この凹凸または溝4によって形成される突起5の
頂点によって得られる平面は半導体ウェハ3に要求され
る平坦度を損ねないような程度の表面あらさを持つこと
が要求される。例えば、表面あらさとしては、最大高さ
Rmaxの区分値が6.38よりも小さい面であること
が望ましい。
頂点によって得られる平面は半導体ウェハ3に要求され
る平坦度を損ねないような程度の表面あらさを持つこと
が要求される。例えば、表面あらさとしては、最大高さ
Rmaxの区分値が6.38よりも小さい面であること
が望ましい。
また、溝4の形状としては例えば第4図に示すように種
々考えられる。
々考えられる。
マウント板1の中心から半径方向に延びた多数本の条溝
41を有する放射状タイプ(第4図(a))。
41を有する放射状タイプ(第4図(a))。
円周方向に同心円状に又は螺旋状に凹凸または溝42.
43を有するリング状タイプ(第4図(b)(C))。
43を有するリング状タイプ(第4図(b)(C))。
但しこの場合、同心円溝または螺旋溝と交差するように
、半径方向にもエツジまで達する溝41を有することが
必要である(第4図(b))。
、半径方向にもエツジまで達する溝41を有することが
必要である(第4図(b))。
凹凸の場合には、梨子地のように凹凸が表面に均一に分
布していることが望ましい。
布していることが望ましい。
さて、次に上述したような凹凸または溝4(41〜43
)を表面に設けたマウント板lに半導体ウェハ2を貼り
付けて研磨する方法を説明する。
)を表面に設けたマウント板lに半導体ウェハ2を貼り
付けて研磨する方法を説明する。
マウント板I上に半導体ウェハ3を貼付ける場合、マウ
ント板1をワックス2の溶融温度以上に加熱する。この
加熱は、例えばマウント板1の下面に設けたホットプレ
ート(図示せず)によって行うことができる。マウント
板1の上に溶融したワックスまたは固形ワックス2を溶
融塗布する。その後、ウェハ3をワックス2の上に置き
、さらにワックス2の厚さを均一にするためウェハ3上
から均一に加圧する。
ント板1をワックス2の溶融温度以上に加熱する。この
加熱は、例えばマウント板1の下面に設けたホットプレ
ート(図示せず)によって行うことができる。マウント
板1の上に溶融したワックスまたは固形ワックス2を溶
融塗布する。その後、ウェハ3をワックス2の上に置き
、さらにワックス2の厚さを均一にするためウェハ3上
から均一に加圧する。
既述した第1図は、マウント板1上にウェハ3を貼り付
けた状態を示すものである。ウェハ3上から加圧するこ
とにより、中央付近のワックス2が凹凸または溝4を通
って周囲に押し出され、凹凸または溝4が形成する突起
5にウェハ3が接触した状態となる。この状態でマウン
ト板1を冷却することによりワックス厚さむらの無い貼
付けを実現することかできる。
けた状態を示すものである。ウェハ3上から加圧するこ
とにより、中央付近のワックス2が凹凸または溝4を通
って周囲に押し出され、凹凸または溝4が形成する突起
5にウェハ3が接触した状態となる。この状態でマウン
ト板1を冷却することによりワックス厚さむらの無い貼
付けを実現することかできる。
その後、この貼り付けられた半導体ウニ/\3を加圧し
ながら研磨する。
ながら研磨する。
以上述べたように本実施例によれば、マウント板1表面
に凹凸または溝4を形成して、溶融状態にあるワックス
2上に載せた半導体ウエノ・3を加圧したとき、厚さむ
らを起こす余剰なワックス2を、封じ込まれることなく
、流動して押し出されるようにした、ウェハ2の反りが
十分に矯正されないことによって発生するワックス厚さ
むらがあっても、余分なワックスは流動することとなる
。
に凹凸または溝4を形成して、溶融状態にあるワックス
2上に載せた半導体ウエノ・3を加圧したとき、厚さむ
らを起こす余剰なワックス2を、封じ込まれることなく
、流動して押し出されるようにした、ウェハ2の反りが
十分に矯正されないことによって発生するワックス厚さ
むらがあっても、余分なワックスは流動することとなる
。
したがって、ワックスに厚さむらが生じて傾斜して貼り
付けられたり、ウェハサイズが大きくなるとウェハ中央
部の溶融ワ・ソクスが抜は切れなくなって、ワックス2
が封じ込められた状態となることもない。
付けられたり、ウェハサイズが大きくなるとウェハ中央
部の溶融ワ・ソクスが抜は切れなくなって、ワックス2
が封じ込められた状態となることもない。
また、ワックス中に異物か含まれていても、これらは加
圧過程で凹凸または溝4内に入り込むことになるので、
異物に起因するエクホ等の鏡面欠陥も残らない。
圧過程で凹凸または溝4内に入り込むことになるので、
異物に起因するエクホ等の鏡面欠陥も残らない。
また、マウント板1の表面に形成した凹凸または溝4の
表面あらさを、最大高さRmaxの区分値が6.3sよ
りも小さい仕上げ面とした場合には、研磨のとき重要な
ポイントとなる加圧面形状を損なわずに精度の高い貼付
か可能となる。
表面あらさを、最大高さRmaxの区分値が6.3sよ
りも小さい仕上げ面とした場合には、研磨のとき重要な
ポイントとなる加圧面形状を損なわずに精度の高い貼付
か可能となる。
そして、特に凹凸または溝4か形成する突起5にウェハ
3が接触した状態となり、接触面面積か非常に小さくな
るので、研磨後ウェハ3の表面にワックス2が付着せず
、ワックスを洗浄する工程が不要となる。その結果、加
工費の低減、従来使用されていた塩素系宵機溶剤の撤廃
が可能となる。
3が接触した状態となり、接触面面積か非常に小さくな
るので、研磨後ウェハ3の表面にワックス2が付着せず
、ワックスを洗浄する工程が不要となる。その結果、加
工費の低減、従来使用されていた塩素系宵機溶剤の撤廃
が可能となる。
なお、上記実施例では凹凸または溝が放射状同心円また
は螺旋状の形状をしている場合について述べたが、本発
明はこれに限定されるのものではな(、これら以外の種
々の形状とすることが可能である。
は螺旋状の形状をしている場合について述べたが、本発
明はこれに限定されるのものではな(、これら以外の種
々の形状とすることが可能である。
[発明の効果コ
本発明によれば次のような効果を発揮する。
(1)マウント板の表面に凹凸または溝を設けて、半導
体ウェハ貼付は時、溶融ワックスを容易に流動さぜるよ
うしたので、ウェハ貼付けの際に起こるワックス厚さむ
らの影響を解消できると共に、ワックス中の異物を凹凸
または溝内似吸収するので、高精度の貼付けを実現する
ことができる。
体ウェハ貼付は時、溶融ワックスを容易に流動さぜるよ
うしたので、ウェハ貼付けの際に起こるワックス厚さむ
らの影響を解消できると共に、ワックス中の異物を凹凸
または溝内似吸収するので、高精度の貼付けを実現する
ことができる。
(2)凹凸または溝によって形成される突起の頂点によ
って得られる平面が、半導体ウェハに要求される平坦度
を損ねない平面あらさで形成されているので、凹凸また
は溝の存在によって半導体ウェハの平坦度は損なわれず
、しかも、研磨後、ウェハ表面にワックスが付着しない
のでワックスを洗浄する工程が不要となる。
って得られる平面が、半導体ウェハに要求される平坦度
を損ねない平面あらさで形成されているので、凹凸また
は溝の存在によって半導体ウェハの平坦度は損なわれず
、しかも、研磨後、ウェハ表面にワックスが付着しない
のでワックスを洗浄する工程が不要となる。
第1図は本実施例によるウェハ貼付状態を示す横断面、
第2図は貼付用治具全体の説明図、第3図は従来のウェ
ハ貼付状態を示す横断図面、第4図は本実施例による凹
凸または溝を示すマウント板の平面図である。 1はウェハ貼付用治具、2はワックス、3はウェハ、4
は凹凸または溝、5は突起である。
第2図は貼付用治具全体の説明図、第3図は従来のウェ
ハ貼付状態を示す横断図面、第4図は本実施例による凹
凸または溝を示すマウント板の平面図である。 1はウェハ貼付用治具、2はワックス、3はウェハ、4
は凹凸または溝、5は突起である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハを研磨すべくワックスを介して加圧して
貼り付けるための半導体ウェハ研磨用マウント板におい
て、 表面に、前記半導体ウェハの貼付け時、溶融させた前記
ワックスを加圧により流動して、ウェハとマウント板間
にワックスを均一に分布させる凹凸または溝を設け、 この凹凸または溝によって形成される突起の頂点によっ
て得られる平面が、前記半導体ウェハに要求される平坦
度を損ねない平面あらさで形成されている ことを特徴とする半導体ウェハ研磨用マウント板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9054180A JPH03256668A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 半導体ウェハ研磨用マウント板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9054180A JPH03256668A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 半導体ウェハ研磨用マウント板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03256668A true JPH03256668A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12963346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9054180A Pending JPH03256668A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | 半導体ウェハ研磨用マウント板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03256668A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002326157A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Kyocera Corp | ウェーハ研磨用プレート及びその加工方法 |
| JP2006269809A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦加工方法 |
| WO2006129458A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Jsr Corporation | 固定剤付きウエハ及び固定剤付きウエハの製造方法 |
| US7459397B2 (en) | 2004-05-06 | 2008-12-02 | Opnext Japan, Inc. | Polishing method for semiconductor substrate, and polishing jig used therein |
| CN103258764A (zh) * | 2012-02-21 | 2013-08-21 | 欣兴电子股份有限公司 | 用于晶片薄化的载具及其制法 |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP9054180A patent/JPH03256668A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002326157A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Kyocera Corp | ウェーハ研磨用プレート及びその加工方法 |
| US7459397B2 (en) | 2004-05-06 | 2008-12-02 | Opnext Japan, Inc. | Polishing method for semiconductor substrate, and polishing jig used therein |
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| WO2006129458A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Jsr Corporation | 固定剤付きウエハ及び固定剤付きウエハの製造方法 |
| JP4784604B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-10-05 | Jsr株式会社 | 固定剤付きウエハの製造方法 |
| CN103258764A (zh) * | 2012-02-21 | 2013-08-21 | 欣兴电子股份有限公司 | 用于晶片薄化的载具及其制法 |
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