KR850000788A - 석판화 마스크 및 그 교정방법 - Google Patents

석판화 마스크 및 그 교정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR850000788A
KR850000788A KR1019840003001A KR840003001A KR850000788A KR 850000788 A KR850000788 A KR 850000788A KR 1019840003001 A KR1019840003001 A KR 1019840003001A KR 840003001 A KR840003001 A KR 840003001A KR 850000788 A KR850000788 A KR 850000788A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
lithographic
ion beam
substrate
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019840003001A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920003794B1 (ko
Inventor
와그너 알프레드
Original Assignee
오레그 이. 앨버
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오레그 이. 앨버, 아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니 filed Critical 오레그 이. 앨버
Publication of KR850000788A publication Critical patent/KR850000788A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920003794B1 publication Critical patent/KR920003794B1/ko
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3174—Etching microareas
    • H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/162—Protective or antiabrasion layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

석판화 마스크 및 그 교정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 실행하는데 적합한 이온빔의 개략 시스템도. 제2도는 전형적인 크롬 광학 마스크의 형상도. 제3도는 본 발명이 유용한 전류검사 기법을 도시.

Claims (17)

  1. 장치 프리커서상의 샤도우 마스크를 통하여 석판인쇄 방사단게를 구비하는 고상장치를 만드는 방법에 있어서, 상기 샤도우 마스크는 상기 석판인쇄 방사를 거의 투광하는 기판과 상기 석판인쇄방사를 비투광하는 공간을 두어 떨어진 영역을 구비하여 기판상에 형성된 패턴을 구비하고, 상기 마스크는 교정된 마스크의 부로 이온 빔이 부분적으로 향하여 형성되어 교정된 상기 마스크에서 물질이 제거되므로 바람직한 패턴이 생성되고, 이렇게 교정된 마스크의 모든 부는 상기 마스크의 전면적 10-5보다 더 적은 전면적을 가지는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  2. 제1항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 마스크에서 과대 불투명 물질을 제거하여 비투광 결함이 교정되는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  3. 제1항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 기판의 부를 제거시켜 상기 마스크의 비투광면적을 만듬에 의해 투광 결함이 교정되는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  4. 제3항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 석판인쇄 방사를 분산시키기에 적합한 영역을 생성시키는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  5. 제3항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 석판인쇄방사를 산란시키기에 적합한 영역을 생성시키는 것을 특징으로 하는 석판화 교정방법.
  6. 제3항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 석판인쇄방사를 굴절시키기에 적합한 영역을 생성시키는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  7. 제3항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 석판인쇄 방사를 내부로 반사시키기에 적합한 영역을 생성시키는 것을 특징으로 하는 석판화 리스크 교정방법.
  8. 제3항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 마스크상의 전도층을 통하여 전도된 상기 이온 빔으로 인하여 전류를 검사함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  9. 제1항의 방법에 있어서, 상기 이온 빔은 상기 마스크상의 상기 이온 빔의 충돌로 인하여 2차 전자나광자가 검출되므로 상기 결함의 부근에서 상기 이온 빔을 주사함으로써 상기 결함의 상을 맺히는데 사용되는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  10. 제1항의 방법에 있어서, 상기 마스크는 상기 마스크상에 공간을 둔 모든 비투광영역과 접촉하는 전도층을 구비하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  11. 제1항의 방법에 있어서, 상기 마스크는 가시 또는 자외선 석판인쇄 방사로 사용하기에 적합한 기판상에 공간을 두고 떨어져 있는 크롬영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  12. 제1항의 방법에 있어서, 상기 마스크는 X선 석판인쇄 방사로 사용하기에 적합한 기판상에 공간을 두고 떨어져 있는 금영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크 교정방법.
  13. 석판인쇄방사를 거의 투광하는 기판과 상기 방사를 비투광하는 물질을 패턴층을 구비하는 석판화마스크에 잇어서, 상기 마스크는 상기 석판인쇄방사를 분산, 굴절, 내부적으로 반사, 또는 산란하는데 적합한 상기 기판중 최소한 한 영역이상을 구비하여 상기 영역에 상기 석판인쇄방사 입사가 장치 프리커서 상에서 상을 맺지 못하도록 하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크.
  14. 제13항의 마스크에 있어서, 상기 기판은 유리를 구비하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크.
  15. 제13항의 마스크에 있어서, 상기 패턴층은 크롬을 구비하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크.
  16. 제13항의 마스크에 있어서, 상기 기판은 전기적으로 전도층을 구비하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크.
  17. 제16항의 마스크에 있어서, 상기 전기 전도층은 주석 산화물을 구비하는 것을 특징으로 하는 석판화 마스크.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840003001A 1983-05-31 1984-05-31 석판화 마스크 및 그 교정방법 Expired KR920003794B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US499774 1983-05-31
US06/499,774 US4548883A (en) 1983-05-31 1983-05-31 Correction of lithographic masks
US499,774 1983-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850000788A true KR850000788A (ko) 1985-03-09
KR920003794B1 KR920003794B1 (ko) 1992-05-14

Family

ID=23986652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019840003001A Expired KR920003794B1 (ko) 1983-05-31 1984-05-31 석판화 마스크 및 그 교정방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4548883A (ko)
JP (1) JPH084064B2 (ko)
KR (1) KR920003794B1 (ko)
CA (1) CA1224662A (ko)
DE (1) DE3420353C2 (ko)
FR (1) FR2547111B1 (ko)
GB (1) GB2142159B (ko)
HK (1) HK37288A (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT382040B (de) * 1983-03-01 1986-12-29 Guenther Stangl Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter
EP0198907A1 (en) * 1984-10-26 1986-10-29 Ion Beam Systems, Inc. Focused substrate alteration
US4698236A (en) * 1984-10-26 1987-10-06 Ion Beam Systems, Inc. Augmented carbonaceous substrate alteration
US4680243A (en) * 1985-08-02 1987-07-14 Micronix Corporation Method for producing a mask for use in X-ray photolithography and resulting structure
US5165954A (en) * 1986-09-02 1992-11-24 Microbeam, Inc. Method for repairing semiconductor masks & reticles
DE3705360A1 (de) * 1987-02-17 1988-08-25 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur reparatur von defekten auf masken
US5035787A (en) * 1987-07-22 1991-07-30 Microbeam, Inc. Method for repairing semiconductor masks and reticles
US5225771A (en) * 1988-05-16 1993-07-06 Dri Technology Corp. Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5516629A (en) * 1990-04-16 1996-05-14 Cryopharm Corporation Photoinactivation of viral and bacterial blood contaminants using halogenated coumarins
JP2634289B2 (ja) * 1990-04-18 1997-07-23 三菱電機株式会社 位相シフトマスクの修正方法
JP2655215B2 (ja) * 1991-11-18 1997-09-17 三菱電機株式会社 フォトマスクのパターン欠陥修正方法
JP3330998B2 (ja) * 1992-08-21 2002-10-07 三菱電機株式会社 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法
US5958799A (en) * 1995-04-13 1999-09-28 North Carolina State University Method for water vapor enhanced charged-particle-beam machining
JPH0990607A (ja) * 1995-07-14 1997-04-04 Canon Inc 原版検査修正装置及び方法
US5798529A (en) * 1996-05-28 1998-08-25 International Business Machines Corporation Focused ion beam metrology
US6165649A (en) * 1997-01-21 2000-12-26 International Business Machines Corporation Methods for repair of photomasks
US5882823A (en) * 1997-05-21 1999-03-16 International Business Machines Corporation Fib repair method
US6074571A (en) * 1997-09-30 2000-06-13 International Business Machines Corporation Cut and blast defect to avoid chrome roll over annealing
US6027837A (en) * 1997-10-14 2000-02-22 International Business Machines Corporation Method for tuning an attenuating phase shift mask
US5981110A (en) * 1998-02-17 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for repairing photomasks
US6277526B1 (en) * 1998-12-28 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Method for repairing MoSi attenuated phase shift masks
US6192100B1 (en) * 1999-06-18 2001-02-20 International Business Machines Corporation X-ray mask pellicles and their attachment in semiconductor manufacturing
US6280646B1 (en) * 1999-07-16 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Use of a chemically active reticle carrier for photomask etching
US6627358B1 (en) 2001-04-20 2003-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Mask repair in resist image
JP4302933B2 (ja) * 2002-04-22 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビームによる穴埋め方法及びイオンビーム装置
JP3961345B2 (ja) * 2002-06-11 2007-08-22 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Ｅｐｌマスクの加工方法及びその装置
US7504182B2 (en) * 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
DE10253073A1 (de) * 2002-11-07 2004-05-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Reparatur einer photolithographischen Maske und eine photolithographische Maske
US7151271B2 (en) * 2003-10-08 2006-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for passing high energy particles through a mask
US7198872B2 (en) * 2004-05-25 2007-04-03 International Business Machines Corporation Light scattering EUVL mask
JP4685545B2 (ja) * 2005-08-17 2011-05-18 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスク及びレンズ

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE793605A (fr) * 1972-01-03 1973-05-02 Rca Corp Appareil et procede pour corriger un masque photographique defectueux
US3892973A (en) * 1974-02-15 1975-07-01 Bell Telephone Labor Inc Mask structure for X-ray lithography
JPS5227372A (en) * 1975-08-27 1977-03-01 Hitachi Ltd Photo mask processing system and its device
US4190759A (en) * 1975-08-27 1980-02-26 Hitachi, Ltd. Processing of photomask
US4085330A (en) * 1976-07-08 1978-04-18 Burroughs Corporation Focused ion beam mask maker
US4200668A (en) * 1978-09-05 1980-04-29 Western Electric Company, Inc. Method of repairing a defective photomask
JPS6053872B2 (ja) * 1978-12-25 1985-11-27 株式会社日立製作所 遮光性マスクの修正方法
JPS55101947A (en) * 1979-01-31 1980-08-04 Nec Corp Photomask for photoetching and manufacture thereof
JPS55150225A (en) * 1979-05-11 1980-11-22 Hitachi Ltd Method of correcting white spot fault of photomask
JPS55154733A (en) * 1979-05-21 1980-12-02 Oki Electric Ind Co Ltd Method of correcting defective mask
US4253029A (en) * 1979-05-23 1981-02-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Mask structure for x-ray lithography
JPS5652751A (en) * 1979-10-05 1981-05-12 Dainippon Printing Co Ltd Photomask correcting method
JPS56114950A (en) * 1980-02-18 1981-09-09 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method for correcting mask pattern defect
JPS56162750A (en) * 1980-05-20 1981-12-14 Nec Corp Defect correcting method for photomask
JPS57102019A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Mitsubishi Electric Corp Failure correction of x-ray exposure mask
JPS5856332A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Hitachi Ltd マスクの欠陥修正方法
JPS58196020A (ja) * 1982-05-12 1983-11-15 Hitachi Ltd マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置
FR2553205B1 (fr) * 1983-10-07 1985-12-27 Thomson Csf Procede de correction de defauts de masques de photo-lithographie et masque obtenu par ce procede

Also Published As

Publication number Publication date
HK37288A (en) 1988-05-27
CA1224662A (en) 1987-07-28
KR920003794B1 (ko) 1992-05-14
DE3420353C2 (de) 1995-01-05
FR2547111B1 (fr) 1995-02-03
GB8413787D0 (en) 1984-07-04
JPH084064B2 (ja) 1996-01-17
GB2142159A (en) 1985-01-09
FR2547111A1 (fr) 1984-12-07
JPS605524A (ja) 1985-01-12
GB2142159B (en) 1987-07-08
DE3420353A1 (de) 1984-12-13
US4548883A (en) 1985-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850000788A (ko) 석판화 마스크 및 그 교정방법
US8932785B2 (en) EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
KR950027505A (ko) 노광장치와 노광방법
JP3993125B2 (ja) グレートーンマスクの欠陥修正方法
US5589303A (en) Self-aligned opaque regions for attenuating phase-shifting masks
JPS5846055B2 (ja) ホトマスクの欠陥修正法
US6114074A (en) Extrusion enhanced mask for improving process window
US20040219435A1 (en) Critical dimension control of printed features using non-printing fill patterns
JPH04165353A (ja) ホトマスク修正方法
US7463336B2 (en) Device manufacturing method and apparatus with applied electric field
JP3082529B2 (ja) マスクの欠陥修正方法
DE10335982A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung der Abbildungseigenschaften von Fotomasken
JPH1197331A (ja) 電子ビーム露光装置
KR100230389B1 (ko) 포토마스크의 결함 수정방법
US20060251971A1 (en) Photo-Mask with variable transmission by ion implantation
JPH01264221A (ja) パターン形成方法およびリソグラフイ装置
KR100317582B1 (ko) 반도체소자의포토마스크제조방법
JP3440336B2 (ja) 凸欠陥修正方法
JPH0844039A (ja) ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
Nicholas et al. Ghost proximity correction in an electron image projector
SU1391508A3 (ru) Способ фотографического нанесени структуры экрана электронно-лучевой трубки
JPS60175420A (ja) パタ−ン形成方法
KR19990005139A (ko) 투명형 결함을 수정할 수 있는 포토 마스크 제조방법
JP2003318093A (ja) マスクの製造方法および半導体装置の製造方法
JPH0943851A (ja) 投影露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20010511

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20020515

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20020515