KR880001048A - 반도체장치와 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치와 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR880001048A
KR880001048A KR870005761A KR870005761A KR880001048A KR 880001048 A KR880001048 A KR 880001048A KR 870005761 A KR870005761 A KR 870005761A KR 870005761 A KR870005761 A KR 870005761A KR 880001048 A KR880001048 A KR 880001048A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
semiconductor device
silicon oxide
manufacturing
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR870005761A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960001175B1 (ko
Inventor
시게루 모리다
마사카즈 가쿠무
Original Assignee
와타리 스기이치로
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 와타리 스기이치로, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 와타리 스기이치로
Publication of KR880001048A publication Critical patent/KR880001048A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960001175B1 publication Critical patent/KR960001175B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/012—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS]
    • H10W10/0125—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS] comprising introducing electrical impurities in local oxidation regions, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics
    • H10W10/0126—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS] comprising introducing electrical impurities in local oxidation regions, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics introducing electrical active impurities in local oxidation regions to create channel stoppers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/13—Isolation regions comprising dielectric materials formed using local oxidation of silicon [LOCOS], e.g. sealed interface localised oxidation [SILO] or side-wall mask isolation [SWAMI]

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체장치와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1H도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체장치의 제조공정을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (11)

  1. 반도체기판위에 다결정실리콘막을 퇴적형성시켜 주는 공정과, 이 다결정실리콘막위에 실리콘산화막을 형성시켜 주는 공정, 이 실리콘산화막위에 내산화성막을 형성시켜 주는 공정, 반도체소자분리영역위에 형성되는 내산화성막의 일부를 선택적으로 제거해 주는 공정, 남아 있는 내산화성막을 마스크로 해서 실리콘산화막을 선택적으로 제거해 주는 공정, 내산화성막과 실리콘산화막을 전부 마스크로 해서 내산화성막을 선택적으로 산화시켜 주는 동안 내산화성막위에 도포되어 있는 포토레지스트를 이용하여 반도체기판내에 챈널스토퍼등 불순물을 이온주입해 주는 공정 포터레지스트를 제거한 후 노출되는 다결정설리콘막 위에 실리콘층을 선택적으로 성장시켜 주는 공정, 내산화성막을 마스크로 해서 실리콘층과 다결정실리콘막을 선택적으로 열산화시켜 주는 공정, 내산화성막을 제거해 주는 공정, 반도체소자분리용 절연막의 측면에 형성되는 凹 부를 실리콘산화물로써 매립해 주는 공정 및 , 반도체소자영역이 될 반도체기판의 표면일부를 엣칭시켜서 노출시켜 주는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 반도체기판의 표면위에 표면보호막을 퇴적형성시킨 후 다결정실리콘막을 형성시켜 주도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 다결정실리콘막위에 실리콘산화막을 형성시켜 주는 공정은 산화분위기에서 다결정실리콘막의 표면을 산화시켜 주도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 반도체소자분리영역위에 형성되는 내산화성막의 일부를 선택적으로 제겨해 주는 공정은 불소까스를 이용한 이방성식각법에 의해 실행토록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 반도체소자분리용 절연막의 측면에 형성되는 凹 부를 실리콘산화물로써 매립해 주는 공정은 반도체기판의 전표면위에 다결정실리콘막을 퇴적형성시켜 주는 공정과, 이 다결정실리콘막을 이방성 간식법에 의해 제거해 주는 공정 및 실리콘산화물의 측면의 凹 부에 남아 있는 다결정실리콘막을 열산화시켜 주어 실리콘산화물로 변화시켜 주는 공정으로 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 반도체소자분리용 절연막의 측면에 형성되는 凹 부를 실리콘산화물로써 매립해 주는 공정은 반도체기판의 전표면위에 실리콘산화막을 형성시켜 주는 공정과, 이 실리콘산화막을 이방성 엣칭에 의해 제거해 주는 공정으로 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 반도체소자분리용 절연막을 형성시켜 주는 실리콘막과 다결정실리콘막의 선택산화는 반도체기판의 일부를 산화시켜 주기까지 계속되도록 되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 내산화성막을 실리콘질화막으로 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 실리콘층을 다결정층으로 형성시켜 주는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 실리콘층을 단결정실리콘층으로 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 다결정실리콘막을 에피택셜성장법으로 형성시켜 주는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005761A 1986-06-09 1987-06-08 반도체장치의 제조방법 Expired - Fee Related KR960001175B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP133212 1986-06-09
JP61133212A JPS62290146A (ja) 1986-06-09 1986-06-09 半導体装置の製造方法
JP61-133212 1986-06-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880001048A true KR880001048A (ko) 1988-03-31
KR960001175B1 KR960001175B1 (ko) 1996-01-19

Family

ID=15099347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870005761A Expired - Fee Related KR960001175B1 (ko) 1986-06-09 1987-06-08 반도체장치의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4746625A (ko)
JP (1) JPS62290146A (ko)
KR (1) KR960001175B1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4968640A (en) * 1987-02-10 1990-11-06 Industrial Technology Research Institute Isolation structures for integrated circuits
US5019526A (en) * 1988-09-26 1991-05-28 Nippondenso Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of elements
US5059550A (en) * 1988-10-25 1991-10-22 Sharp Kabushiki Kaisha Method of forming an element isolating portion in a semiconductor device
JPH02162749A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH0775243B2 (ja) * 1989-02-22 1995-08-09 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5002898A (en) * 1989-10-19 1991-03-26 At&T Bell Laboratories Integrated-circuit device isolation
US5057463A (en) * 1990-02-28 1991-10-15 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Thin oxide structure and method
US5039625A (en) * 1990-04-27 1991-08-13 Mcnc Maximum areal density recessed oxide isolation (MADROX) process
KR930011460B1 (ko) * 1991-01-22 1993-12-08 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 소자분리 영역 형성방법
BR0205106A (pt) 2001-05-09 2003-06-17 Shindengen Electric Mfg Dispositivo semicondutor e seu método de fabricação
ITMI20012010A1 (it) * 2001-09-27 2003-03-27 Getters Spa Sistemi per la conversione di acqua in idrogeno e l'assorbimemnto di idrogeno in dispositivi elettronici e processo di produzione
EP2306509A1 (en) * 2009-09-29 2011-04-06 STMicroelectronics Srl Process for manufacturing an integrated device with "damascene" field insulation, and integrated device made by such process
EP2306508B1 (en) 2009-09-29 2012-11-28 STMicroelectronics Srl Integrated device with raised LOCOS insulation regions and process for manufacturing such device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4214946A (en) * 1979-02-21 1980-07-29 International Business Machines Corporation Selective reactive ion etching of polysilicon against SiO2 utilizing SF6 -Cl2 -inert gas etchant
JPS57207348A (en) * 1981-06-16 1982-12-20 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5922344A (ja) * 1982-07-28 1984-02-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS59227137A (ja) * 1983-06-08 1984-12-20 Nec Corp 半導体基板の製造方法
US4570325A (en) * 1983-12-16 1986-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing a field oxide region for a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62290146A (ja) 1987-12-17
US4746625A (en) 1988-05-24
JPH0565058B2 (ko) 1993-09-16
KR960001175B1 (ko) 1996-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5236862A (en) Method of forming oxide isolation
KR880001048A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR880011930A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR870004523A (ko) 반도체 장치의 유전체 매입형 소자 분리홈의 형성방법
JPH06216120A (ja) 集積回路の電気的分離構造の形成方法
KR880009415A (ko) 반도체장치의 제조방법
EP0837501A3 (en) Method of manufacturing an isolation region in a SOI substrate
EP0239384A3 (en) Process for isolating semiconductor devices on a substrate
JPS6428962A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS63313834A (ja) 半導体集積回路
KR970053380A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR890004415A (ko) 반도체장치의 소자 분리방법
JPS62142327A (ja) 半導体装置の製造方法
KR960026620A (ko) 보이드(Void)를 이용한 반도체 소자분리 방법
JPH02205340A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS58170012A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5596652A (en) Method of fabricating semiconductor device
KR920007181A (ko) 앤-모스 ldd트랜지스터의 제조방법
KR930003322A (ko) 반도체 장치의 소자분리 방법
KR920008890A (ko) 반도체장치의 소자분리막 제조방법
KR960043096A (ko) 반도체 소자 분리 방법
JPH01111373A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61147575A (ja) 半導体装置の製造方法
KR910005423A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR960026729A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021231

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20040120

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20040120

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000