KR910013534A - 반도체웨이퍼의 슬라이스용베이스의 부착방법 및 그 장치 및 베이스의 부착구조 - Google Patents
반도체웨이퍼의 슬라이스용베이스의 부착방법 및 그 장치 및 베이스의 부착구조 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910013534A KR910013534A KR1019900015439A KR900015439A KR910013534A KR 910013534 A KR910013534 A KR 910013534A KR 1019900015439 A KR1019900015439 A KR 1019900015439A KR 900015439 A KR900015439 A KR 900015439A KR 910013534 A KR910013534 A KR 910013534A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- edge
- plate
- wafer
- diffused
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/15—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/005—Cutting sheet laminae in planes between faces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/15—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
- H10P72/155—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls characterised by a material, a roughness, a coating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (19)
- 중앙부에 불순물이 확산되어 있지않은 불순물 미확산층을 보유하여 양면에 불순물이 확산된 불순물확산층을 보유하는 반도체웨이퍼와 이 반도체웨이퍼 보다도 지름이 큰 중간판(1)과를 상호 접합병렬하여 병렬방향에서 가압한 후 접착제를 도포한 당판을 중간판(1) 사이에서 협입하여 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에 고착하는 반도체웨이퍼의 당판고착방법.
- 제1의 방법에 있어서 접착제가 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에 도포되어 접착제를 도포하고 있지 않은 당판을 중간판(1)의 사이에서 협입하여 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에 고착하는 반도체웨이퍼의 당판고착방법.
- 당판을 일정한 간격으로 병렬입설하여 그 상부에 접착제를 도포하여 또는 상부에 접착제를 도포한 당판을 일정한 간격으로 병렬입설한 후에 중앙부에 불순물이 확산되어있지 않는 불순물 미확산층을 보유하여 양면에 불순물이 확산된 불순물확산층을 보유하는 반도체웨이퍼를 당판과 동일한 간격으로 병렬하여 당판위에 강하시켜서 반도체웨이퍼의 자중에 의하여 반도체웨이퍼의 가장자리 하부를 당판에 압접고착하는 반도체웨이퍼의 당판고착방법.
- 제1의 또는 제3의 방법에 있어서 당판측에 반도체웨이퍼의 가장자리(20)를 장착가능한 오목홈이 설치되어 있는 반도체웨이퍼의 당판고착방법.
- 제4의 방법에 있어서 상기 오목홈에 웨이퍼의 가장자리 일면만을 접합하는 L자형상인 반도체웨이퍼의 당판 고착방법.
- 당판을 상방향에 발출하여 자재롭게 일정한 간격으로 병렬입설하는 홈을 보유하는 재치대(11)와 중앙부에 불순물이 확산되어 있지 않은 불순물 미확산층을 보유하여 양면에 불순물이 확산된 불순물확산층을 보유하는 반도체웨이퍼를 상방향에 발출하여 자재로이 당판과 동일한 간격으로 병렬하는 홈을 보유하는 웨이퍼수납부(12)로 되어 있는 재치대(11) 웨이퍼수납부(12)의 한쪽 혹은 양쪽에는 재치대(11)위의 정위치에 위에퍼수납부(12)를 부착하는 규제부(18)를 설치하여 웨이퍼수납부(12)의 홈 하부에는 반도체웨이퍼와 재치대(11)에 병렬입선된 당판과의 당촉을 허용하는 개방부(17)를 설치하여 이루어지는 반도체웨이퍼의 당판고착장치.
- 제6의 장치에 있어서 상기 당판이 반도체웨이퍼의 가장자리(20)를 포하하여 고착케하는 오목홈 또는 L형홈(24)을 보유하는 반도체웨이퍼의 당판고착장치.
- 중앙부에 불순물이 확산되고 있지 않는 불순물 미확산층을 보유하고, 양면에 불순물이 확산된 불순물확산층을 보유하는 반도체웨이퍼와, 이 반도체웨이퍼 보다도 지름이 큰 중간판(1)을 번갈아 접합병렬하여 병렬방향에서 가압한 후 상기 중간판(1)의 사이에 소요점성의 열경화성 수지로 된 접착제를 유입하여 경화시켜 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에 상기 접착제로된 보강재(30)를 형성하는 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성방법.
- 제8의 방법에 있어서 보강재(30)가 반도체웨이퍼의 위 가장자리에 초생달형으로 형성되는 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성방법.
- 중앙부에 불순물이 확산되어 있지 않는 불순물 미확산층을 보유하고 양면에 불순물이 확산된 불순물확산층을 보유하는 반도체웨이퍼를 수직형상으로 유지함과 동시에 웨이퍼의 하부가장자리(20)를 소요점성의 열경화성 수지를 충전시킨 원호형상의 오목형내에 감입시켜 오목형내의 수지를 경화시켜 웨이퍼하부 가장자리에 따르는 보강재(30)를 형성한 후 이 보강재(30)를 오목홈형 내에서 탈형시키는 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성방법.
- 제8 또는 제10의 방법에 있어서 상기 열경화성 수지가 에폭시 계 수지이고, 그것에 탈크를 활합하므로서 소요점성이 부여되는 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성방법.
- 제10의 방법에 있어서 보강재(30)가 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에 따라서 또한 가장자리(20)의 양면을 포장하듯이 형성되는 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성방법.
- 제12의 방법에 있어서 상기 보강재(30)가 반도체웨이퍼의 하가장자리에 대략 초생달형으로 형성되는 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성방법.
- 제12의 방법에 있어서 상기 보강재(30)가 2매 또는 그 이상을 중합한 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에 걸쳐 형성되는 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성방법.
- 복수매의 반도체웨이퍼를 일정한 간격에서 수직형상으로 병렬유지하는 웨이퍼캐리어의 저변부 개구에 부착하여 캐리어내에 유지되는 각 반도체웨이퍼의 하부가장자리를 차입하는 오목홈(45)형을 비치하여 상기 오목홈(45)형에는 각 반도체 하부가장자리를 하나하나 감입시키는 보강재(30)성형용의 원호형상 오목홈(45)을 웨이퍼의 유지간격과 대응시켜서 형성함과 동시에 이들 오목호(45)의 양단부에 단면(V)자형의 유지홈부를 동오목홈의 원호에 따르게하여 형성하고 이 유지홈부의 중심을 상기 오목홈(45)의 중심에 일치시킨 반도체웨이퍼 보강재(30) 형성장치.
- 제15의 장치에 있어서 원호형상 오목홈 양단의 유지홈부를 별부재에 의하여 구성하여 이 유지홈부 부재를 상하 이동조절 자재로이 지지한 반도체웨이퍼의 보강재(30) 형성장치.
- 중앙부에 불순물이 확산되어 있지 않는 불순물 미확산층을 보유하고 양면에 불순물이 확산된 불순물 확산층을 보유하는 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에 슬라이스용 베이스를 설정한 반도체웨이퍼의 슬라이스용 베이스의 부착구조에 있어서 상기 웨이퍼의 가장자리(20)가 베이스에 파고들어가는 형상으로 장착되어 있는 슬라이스용 베이스의 부착구조.
- 제17의 구조에 있어서 상기 베이스가 오목홈 또는 L형홈(24)을 보유하는 당판이고, 블록홈 또는 L형홈(24)에 반도체웨이퍼의 가장자리(20)가 끼워맞춤 형상으로 고착되어 있는 슬라이스용 베이스의 부착구조.
- 제17의 구조에 있어서 상기 베이스가 열경화성 수지를 반도체웨이퍼의 가장자리(20)에서 경화성형된 보강재(30)인 슬라이스용 베이스의 부착구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-322222 | 1989-12-11 | ||
| JP1322222A JPH03181131A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体ウエハの補強材形成方法および装置 |
| JP???1-?322222 | 1989-12-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910013534A true KR910013534A (ko) | 1991-08-08 |
| KR940007059B1 KR940007059B1 (ko) | 1994-08-04 |
Family
ID=18141308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900015439A Expired - Fee Related KR940007059B1 (ko) | 1989-12-11 | 1990-09-28 | 반도체웨이퍼의 슬라이스용 베이스의 부착방법과 그 장치 및 베이스의 부착구조 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5154873A (ko) |
| EP (1) | EP0432422B1 (ko) |
| JP (1) | JPH03181131A (ko) |
| KR (1) | KR940007059B1 (ko) |
| DE (1) | DE69029510T2 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6074442A (en) * | 1994-10-28 | 2000-06-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of separating slice base mounting member from wafer and jig adapted therefor |
| JP4419321B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2010-02-24 | 株式会社デンソー | スパークプラグの製造方法 |
| DE10223937A1 (de) * | 2002-05-29 | 2004-01-15 | Wacker Siltronic Ag | Zweischichtverklebung von Sägehilfen auf Siliciumeinkristallstäben |
| JP4038679B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2008-01-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザーバーの固定用治具 |
| DE10359260A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-21 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronisches Gerät sowie Verfahren zum Bonden eines elektronischen Geräts |
| CN101524877B (zh) * | 2008-11-25 | 2011-08-31 | 河南鸿昌电子有限公司 | 一种切割半导体晶片的固定方法 |
| CN110299316B (zh) * | 2019-07-24 | 2024-03-01 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种可承载半片的硅片花篮 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4261781A (en) * | 1979-01-31 | 1981-04-14 | International Business Machines Corporation | Process for forming compound semiconductor bodies |
| JPH07118473B2 (ja) * | 1987-07-14 | 1995-12-18 | 九州電子金属株式会社 | 半導体ウエ−ハの製造方法 |
| FR2629008B1 (fr) * | 1988-03-23 | 1991-10-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de clivage d'une plaquette de silicium |
| JPH01293613A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | ディスクリート素子用基板及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1322222A patent/JPH03181131A/ja active Granted
-
1990
- 1990-09-28 KR KR1019900015439A patent/KR940007059B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-01 US US07/590,806 patent/US5154873A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 DE DE69029510T patent/DE69029510T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-25 EP EP90120470A patent/EP0432422B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0432422A3 (en) | 1991-12-11 |
| JPH0583175B2 (ko) | 1993-11-25 |
| EP0432422A2 (en) | 1991-06-19 |
| DE69029510T2 (de) | 1997-05-22 |
| EP0432422B1 (en) | 1996-12-27 |
| JPH03181131A (ja) | 1991-08-07 |
| DE69029510D1 (de) | 1997-02-06 |
| KR940007059B1 (ko) | 1994-08-04 |
| US5154873A (en) | 1992-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2078373T3 (es) | Soporte de ensayo para el analisis de liquidos. | |
| KR910013534A (ko) | 반도체웨이퍼의 슬라이스용베이스의 부착방법 및 그 장치 및 베이스의 부착구조 | |
| US9127702B2 (en) | Clamping connection for mounting plate-like components, in particular solar modules | |
| FI76770C (fi) | Kaopa foer en rulltrappas raeckessockel. | |
| DE3773939D1 (de) | Lagerungseinrichtung, insbesondere fuer ein endloses foerderband das sich schraubenfoermig bewegt in einer anzahl von windungen, die aufeinander gestapelt angeordnet sind. | |
| KR920002111B1 (ko) | 난간용 유리 홀더를 가진 에스컬레이터 | |
| KR840006561A (ko) | 반도체장치 및 그 조립방법 | |
| US11654643B2 (en) | Method for manufacturing an optical article | |
| US6318255B1 (en) | Method of attaching coated silk screen fabric to a frame and the reusable silk screen | |
| KR910015034A (ko) | 반도체장치의 수지봉지장치 | |
| EP0133868A3 (de) | Einrichtung zur Befestigung von keramischen Flächenelementen an einem Untergrund | |
| US6447885B1 (en) | Bonding together surfaces | |
| TW201030429A (en) | Display panel and method for forming the same | |
| ATE157212T1 (de) | Kühlvorrichtung für elektrische bzw. elektronische bauelemente sowie verfahren zu deren herstellung | |
| CN215598838U (zh) | 一种胶合试片固化阶段固定装置 | |
| JP2747886B2 (ja) | 橋梁用弾性支承体の据付方法 | |
| KR910007091A (ko) | 반도체제조장치의 클리닝용 기판 | |
| US3664140A (en) | Building-slip having a resilient supporting member | |
| CN109104150B (zh) | 光伏组件的边框、光伏组件及光伏设备 | |
| JPH0334542A (ja) | 半導体ウエハの当板固着方法および装置 | |
| RU55335U1 (ru) | Поручень для транспортного средства (варианты) | |
| CN221140195U (zh) | 一种泡棉吸取装置 | |
| SU715686A1 (ru) | Способ сборки рельса дл транспортной системы на магнитной подвеске и устройство дл его осуществлени | |
| KR860002706A (ko) | 가스유동 차단용 화로 커어튼 조립체 | |
| JP6866664B2 (ja) | 発光装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| PG1605 | Publication of application before grant of patent |
St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050630 Year of fee payment: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20060805 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20060805 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |