KR970054399A - 모스트랜지스터 제조 방법 - Google Patents

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현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 모스 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 패터닝하는 단계; 상기 게이트 전극 측벽에 불순물이 도핑된 절연막을 사용하여 스페이서를 형성하는 단계; 고농도 불순물 이온주입을 실시하는 단계; 열처리 공정을 통해 상기 불순물이 도핑된 절연막의 불순물을 상기 불순물이 도핑된 절연막과 접하고 있는 반도체 기판에 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, SPD(solid phase diffusion)방법으로 소오스/드레인 접합을 형성하여, 높은 농도의 낮은 접합을 형성할 수 있으므로, 숏 채널 효과를 억제하고, 소자의 고집적화를 향상시키는 효과가 있다.

Description

모스 트랜지스터 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 일실시예에 따른 모스트랜지스터 제조 공정도.

Claims (3)

  1. 모스트랜지스터 제조 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 패터닝하는 단계; 상기 게이트 전극 측벽에 불순물이 도핑된 절연막을 사용하여 스페이서를 형성하는 단계; 고농도 불순물 이온주입을 실시하는 단계; 열처리 공정을 통해 상기 불순물이 도핑된 절연막의 불순물을 상기 불순물이 도핑된 절연막과 접하고 있는 반도체 기판에 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 금속열처리(RTA)로 1050℃에서 10초간 실시하는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불순물이 도핑된 절연막은 BSG막인 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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