KR970054583A - 발광 다이오드의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다. p형 또는 n형 불순물을 포함하는 용액을 다공질 실리콘 층 위에 흡착시킨 다음, 열처리하는 과정을 통하여 pn 접합을 형성하는 과정을 통하여 제조되는 발광 다이오드를 발광 효율이 우수할 뿐만 아니라 그 제조 공정이 매우 간단하다는 장점이 있다.

Description

발광 다이오드의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 제조 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.

Claims (6)

  1. p형 실리콘 기판의 일면을 다공질화하는 단계; 상기 단계에서 형성된 다공질 실리콘 층 내에 n형 불순물을 도핑하여 pn 접합을 형성하는 단계; 및 상기 다공질 실리콘 층 위에 접촉층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서, 상기 n형 불순물 도핑은 상기 다공질 실리콘 층 위에 n형 불순물을 포함하는 용액을 흡착시킨 다음, 열처리함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접촉층은 금, 알루미늄, ITO, 탄화규소 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열처리는 500 내지 600℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  4. n형 실리콘 기판의 일면을 다공질화하는 단계; 상기 단계에서 형성된 다공질 실리콘 층 내에 p형 불순물을 도핑하여 pn 접합을 형성하는 단계; 및 상기 다공질 실리콘 층 위에 접촉층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서, 상기 p형 불순물 도핑은 상기 다공질 실리콘 층 위에 n형 불순물을 포함하는 용액을 흡착시킨 다음, 열처리함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 접촉층은 금, 알루미늄, ITO, 탄화규소 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 열처리는 500 내지 600℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000066564A (ko) * 1999-04-19 2000-11-15 장용화 다목적 다이오드 센서 및 그 제조 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6406984B1 (en) * 1997-10-06 2002-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making improved electrical contact to porous silicon using intercalated conductive materials
DE10160987B4 (de) * 2001-12-05 2005-08-04 Siemens Ag Baueinheit zur simultanen, optischen Beleuchtung einer Vielzahl von Proben
JP4920343B2 (ja) 2006-08-24 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 半導体素子
US8384630B2 (en) * 2007-05-31 2013-02-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
WO2016107977A1 (en) * 2014-12-31 2016-07-07 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy A method of doping wafers
CN111916347B (zh) * 2020-08-13 2023-03-21 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种用于soi片的磷扩散掺杂方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2931204B2 (ja) * 1994-03-16 1999-08-09 株式会社フジクラ 半導体発光装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000066564A (ko) * 1999-04-19 2000-11-15 장용화 다목적 다이오드 센서 및 그 제조 방법

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