KR970077156A - 스퍼터링(Sputtering) 장치 - Google Patents

스퍼터링(Sputtering) 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970077156A
KR970077156A KR1019970019771A KR19970019771A KR970077156A KR 970077156 A KR970077156 A KR 970077156A KR 1019970019771 A KR1019970019771 A KR 1019970019771A KR 19970019771 A KR19970019771 A KR 19970019771A KR 970077156 A KR970077156 A KR 970077156A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
magnet mechanism
sputtering apparatus
magnetic field
zones
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019970019771A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100270457B1 (ko
Inventor
마사히코 고바야시
노부유키 타카하시
Original Assignee
니시히라 쥰지
아넬바 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시히라 쥰지, 아넬바 가부시기가이샤 filed Critical 니시히라 쥰지
Publication of KR970077156A publication Critical patent/KR970077156A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100270457B1 publication Critical patent/KR100270457B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/351—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using a magnetic field in close vicinity to the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

대형기판의 경우에도 필요한 막형성 속도를 유지하여 보텀커버릿지율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 과제로 한다. 캐소우드(2)를 구성하는 자석기구(4)는 타켓(5) 표면의 어떤 장소에서 나와 타겟(5) 표면의 다른 장소로 들어가는 누설 자력선을 타겟(5) 표면상에 원주형상으로 연속하여 원주모양 자계를 다수 설정한다. 이것에 의해 자석기구(4)의 정지시에는 원주형상으로 된 에로 죤 영역(50)이 교차하지 않게 다수 형성된다.
에로 죤 영역(50)중 에로 죤 최심부에서 가장 큰 입사각으로 스퍼터입자가 기판(30)에 입사하는 개소의 그 입사각은 한 개의 에로 죤 영역의 경우에 비하여 작게된다.

Description

스퍼터링(Sputtering) 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제1도 장치에 관한 캐소우드의 구성을 설명하는 도면이고, 자석기구에 의한 타겟 위의 원주모양 자계의 구성을 설명하는 개략 사시도이다.

Claims (7)

  1. 배기계(11)를 구비한 진공용기(1);상기 진공용기(1)내의 소정의 위치에 배치된 타겟(5); 상기 타겟(5)의 표면측에 자계를 설정하는 자석기구(4)를 구비하고 타겟(5)에서 대향시켜 기판(30)을 배치하며 상기 자석기구(4)가 만든 자계에 의해 이온을 포착하면서 타겟(5)을 스퍼터링하여 기판(30)의 표면에 소정의 박막을 만드는 자석기구(4)로 구성된 스퍼터링 장치에 있어서; 상기 자석기구(4)는 타겟(5)표면의 일부에서 나와서 상기 타겟(5)표면의 다른 부분으로 들어가는 누설 자력선을 설정하고 당해 자석기구(4)가 타겟(5)에 대하여 상대적으로 정지하고 있는 경우에는 원주모양이 된 에로 죤 영역이 이 원주모양 자계에 의해 타겟(5)의 표면상에 형성되고 따라서 다수의 에로 죤 영역이 서로 교차하지 않고 원주모양의 자계에 의해 상기 타겟(5)의 표면에 형성되고 상기 자석기구가 상기 타겟(5)에 대해 상대적으로 정지했을 때에 상기 각각의 에로 죤 영역이 원주모양을 가지는 것을 특징으로 하는 스피터링 장치.
  2. 제1항에 있어서, 원주모양에서 죤 영역중 가장 깊은 것의 외주상에서 2점을 연결하는 가장 짧은 선의 길이가 기판(30)의 지름보다 짧게 되도록 상기 자석기구(4)가 다수의 원주모양 자계를 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  3. 제1항에 있어서, 원주모양에서 죤 영역중 가장 깊은 것의 외주상에서 2점을 연결하는 가장 짧은 선의 길이가 기판(30)과 타겟(5)의 거리보다 짧게 되도록 상기 자석기구(4)가 다수의 원주모양 자계를 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  4. 제1항에 있어서, 원주모양에서 죤 영역들 사이의 거리가 상기 에로 죤 영역들 중 가장 깊은 것은 외주상의 2점을 연결하는 선의 가장 짧은 길이보다 짧게 되도록 상기 자석기구(4)가 다수의 원주모양 자계를 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 자석기구(4)가 다수의 전자석으로 구성되고, 적어도 2군의 전자석에 대하여 상기 전자석들에 인가되는 전류 공급량이 서로 독립적으로 제어 되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 타겟(5)의 중심축 주변을 상기 자석기구(4)를 회전시키는 회전기구(22)로 구성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  7. 제6항에 있어서, 원주모양에서 죤 영역중 어느것도 상기 타겟(5)의 표면의 중심부를 포함하도록 상기 자석기구(4)가 다수의 원주모양 자계를 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970019771A 1996-05-21 1997-05-21 스퍼터링 장치 Expired - Lifetime KR100270457B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8150041A JPH09310174A (ja) 1996-05-21 1996-05-21 スパッタリング装置
JP96-150041 1996-05-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077156A true KR970077156A (ko) 1997-12-12
KR100270457B1 KR100270457B1 (ko) 2000-12-01

Family

ID=15488217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970019771A Expired - Lifetime KR100270457B1 (ko) 1996-05-21 1997-05-21 스퍼터링 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6045672A (ko)
JP (1) JPH09310174A (ko)
KR (1) KR100270457B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6352626B1 (en) 1999-04-19 2002-03-05 Von Zweck Heimart Sputter ion source for boron and other targets
JP4502975B2 (ja) * 2006-05-29 2010-07-14 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
WO2010073330A1 (ja) 2008-12-25 2010-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
CN103177918B (zh) * 2011-12-26 2016-08-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种磁控管及等离子体加工设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401539A (en) * 1981-01-30 1983-08-30 Hitachi, Ltd. Sputtering cathode structure for sputtering apparatuses, method of controlling magnetic flux generated by said sputtering cathode structure, and method of forming films by use of said sputtering cathode structure
JPS59215484A (ja) * 1983-05-20 1984-12-05 Victor Co Of Japan Ltd スパツタリングカソ−ド
JPS61183467A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 Hitachi Ltd スパッタリング方法及びその装置
JPS6289864A (ja) * 1985-06-27 1987-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロンスパツタ装置
DE3619194A1 (de) * 1986-06-06 1987-12-10 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen
JP2537210B2 (ja) * 1986-09-18 1996-09-25 株式会社東芝 高密度プラズマの発生装置
JPS63100180A (ja) * 1986-10-16 1988-05-02 Anelva Corp マグネトロンスパツタリング装置
JPH03183123A (ja) * 1989-12-12 1991-08-09 Fuji Electric Co Ltd スパッタリング装置
JP3204527B2 (ja) * 1992-03-09 2001-09-04 日本真空技術株式会社 Ｉｔｏ薄膜形成用プレーナマグネトロンスパッタ装置
JP3099628B2 (ja) * 1994-03-29 2000-10-16 松下電器産業株式会社 ディスク再生装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100270457B1 (ko) 2000-12-01
US6045672A (en) 2000-04-04
JPH09310174A (ja) 1997-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100229008B1 (ko) 진공코팅시스템의 고정식 자전관 스퍼터링 음극
KR950020782A (ko) 자전관 스퍼터링 또는 자전관 에칭용 쌍극자 고리 자석
JPH05230647A (ja) 真空コーティング装置のためのマグネトロン・スパッタリング陰極
US4356073A (en) Magnetron cathode sputtering apparatus
JPS63259078A (ja) 真空被覆装置用マグネトロン−スパツタリングカソ−ド
KR100216900B1 (ko) 마그네트론 스퍼터링장치
EP0884761B1 (en) Sputtering apparatus with a rotating magnet array
KR0165860B1 (ko) 마그네트론스퍼터링장치
GB2157715A (en) Apparatus for cathodic sputtering
JPH0558210B2 (ko)
JPH04228564A (ja) 基板に材料を被覆する装置
KR20000053411A (ko) 진공아크 증발원 및 진공아크 증착장치
KR970077156A (ko) 스퍼터링(Sputtering) 장치
KR100645602B1 (ko) 타겟을 갖는 스퍼터 캐소드의 작동방법
KR870002748A (ko) 플라즈마 마그네트론 스퍼터링장치
JP2549291B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置
JPS6289864A (ja) マグネトロンスパツタ装置
JPS62167877A (ja) プラズマ移動式マグネトロン型スパツタ装置
JPS63100180A (ja) マグネトロンスパツタリング装置
KR950035006A (ko) 자석발전기의 회전자
JPH0241584B2 (ko)
JP5201814B2 (ja) スパッタリング装置
JPH02225664A (ja) スパッタ装置及びスパッタ方法
JPS63149375A (ja) マグネトロンスパツタリング装置
JPH02277771A (ja) マグネトロン型スパッタ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 14

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 15

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 16

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 17

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term

St.27 status event code: N-4-6-H10-H14-oth-PC1801

Not in force date: 20170522

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : EXPIRATION_OF_DURATION

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000