KR970077286A - 연마방법 및 그것을 사용한 연마장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판면에 형성한 막층의 표면을 연마하는 연마방법에 관한 것으로서, 이 막층의 복수위치에서의 표면정보를 검출해서 이 막층의 표면형상을 구하는 표면형상측정공정, 이 막층의 복수위치에서의 막후를 검출해서 이 막층의 막후분포를 구하는 막후분포측정공정, 이 막층의 표면형상 및 막후분호가 미리 설정한 허용범위내에 있는지의 여부를 판정하는 판정공정, 이 판정공정에서의 판정결과에 의거해서 연마를 속행 또는 정지하는 연마제어공정을 가지고 있다.

Description

연마방법 및 그것을 사용한 연마장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1의 주요부의 개략도.

Claims (30)

  1. 기판면에 형성한 막층의 표면을 연마하는 연마방법에 있어서, 상기 막층의 복수위치에서의 표면정보를 검출해서 상기 막층의 표면형상을 구하는 표면형상측정공정; 상기 막층의 복수위치에서의 막후를 검출해서 상기 막층의 막후분포를 구하는 막후분포측정공정; 상기 막층의 표면형상 및 막후분포가 미리 설정한 허용범위내에 있는 지의 여부를 판정하는 판정공정; 그리고 상기 판정공정에서의 판정결과에 의거해서 연마를 속행 또는 정지하는 연마제어공정; 을 가진 것을 특징으로 하는 연마방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마제어공정은 상기 판정공정에 의해서 상기 막층의 표면형상과 막후분포의 양쪽이 허용범위내에 있다고 판정하였을 때에 연마를 정지하는 공정을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 연마제어공정은 상기 판정공정에 의해서 상기 막층의 표면형상이 허용범위외이고, 상기 막층의 최소막후가 기준치이하라고 판정하였을 때에 연마를 정지하는 공정을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 표면형상측정공정에 의한 측정과 상기 막후분포측정공정에 의한 측정이 동시에 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 표면형상측정공정과 상기 막후분포측정공정에서는 상기 막층의 동일개소를 측정하고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  6. 기판면에 형성한 막층의 표면을 연마수단으로 양쪽을 상대적으로 구동시켜서 연마하는 연마장치에 있어서, 상기 막층의 표면정보를 검출하는 검출수단; 그리고 상기 막층의 연마표면에 대해서 상기 연마수단 또는 상기 검출수단의 어느 한쪽을 선택적으로 전환해서 대항 배치하는 전환수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 검출수단은 상기 막층의 표면정보를 복수위치에서 동시에 검출하는 수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 연마수단은 상기 막층의 표면의 일부를 연마하는 복수의 부분연마공구를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 검출수단은 상기 막층의 복수위치에서의 표면위치정보와 막후를 측정하는 수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 검출수단은 상기 막층의 표면으로부터 기준면까지의 거리를 검출하는 거리측정수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 검출수단은 상기 막층의 막후를 측정하는 막후측정수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기 검출수단으로부터의 신호로부터 상기 막층의 표면형상과 막후분포가 미리 설정한 허용범위내에 있는 지의 여부를 판정부에 의해 판정하고, 이 판정부로부터의 신호에 의거해서 상기 막층의 연마를 속행 또는 정지하는지를 제어하는 제어수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  13. 기판면에 형성한 막층의 표면을 연마수단으로 양쪽을 상대적으로 구동시켜서 연마하는 연마방법에 있어서, 상기 막층의 표면으로부터 상기 막층의 막후보다도 충분히 긴 위치에 기준면을 설정하고; 광원수단으로부터 가간섭거리가 다른 제1, 제2광속을 사이 막층과 상기 기준면에 조사하고; 상기 제1광속에 의거한 각 면으로부터의 반사광속과 상기 제2광속에 의거한 각면으로부터의 반사광속을 검출수단으로 개별적으로 검출하고; 그리고 상기 검출수단으로부터의 신호로부터 상기 막층의 표면정보를 구하고, 상기 표면정보에 의거해서 상기 막층의 연마의 속행 또는 정지를 제어하고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 막층의 표면정보는 상기 막층의 표면형상과 막후분포인 것을 특징으로 하는 연마방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제어하는 공정은 상기 막층의 표면형상과 막후분포가 미리 설정한 허용범위내에 있는 지의 여부를 판정하는 판정공정을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제어하는 공정은 상기 제1광속에 의거한 각면으로부터의 반사광속의 강도와 상기 제2광속에 의거한 각 면으로부터의 반사광속의 강도와의 차로부터 상기 막층의 표면정보를 구하는 공정을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  17. 기판면에 형성한 막층의 표면을 연마수단으로 양쪽을 상대적으로 구동시켜서 연마하는 연마장치에 있어서, 상기 막층의 표면으로부터 상기 막층의 막후보다도 충분히 긴 위치에 설정한 기준면; 가간섭거리가 다른 제1, 제2광속에 의거한 각면으로부터의 반사광속을 개별적으로 검출하는 검출수단; 그리고 상기 검출수단으로부터의 신호로부터 상기 막층의 표면정보를 구하고, 상기 표면정보에 의거해서 상기 막층의 연마의 속행 또는 정지를 제어하는 제어수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 박층의 표면정보는 상기 막층의 표면형상과 막후분포인 것을 특징으로 하는 연마장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 막층의 표면형상과 막후분포가 미리 설정한 허용범위내에 있는지의 여부를 판정하는 판정부를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 제어수단은 가간섭거리가변의 반도체레이저를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 제1광속에 의거한 각면으로부터의 반사광속의 강도와 상기 제2광속에 의거한 각면으로부터의 반사광속의 강도와의 차로부터 상기 막층의 표면정보를 구하고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  22. 기판에 형성한 막층의 표면을 그것보다도 작은 면적의 연마패드를 가진 연마수단으로 양쪽을 상대적으로 구동시켜서 연마하는 연마방법에 있어서, 상기 연마수단의 일부에 설치한 검출수단으로 상기 막층의 표면정보를 검출하는 검출공정; 그리고 상기 검출수단으로부터의 신호에 의거해서 상기 막층의 연마의 속행 또는 정지를 제어하는 제어공정; 을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 연마수단은 상기 막층의 표면과 평행한 면내에서 이동 가능하게 되어 있으며, 상기 검출공정은 상기 연마수단의 상기 면 내에서의 위치정보를 검출하는 위치검출수단으로부터의 위치정보를 이용해서 상기 막층의 표면정보를 검출하는 공정을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 검출공정은 상기 막층의 표면으로부터 기준면까지의 거리를 검출하는 동시에 상기 막층의 막후를 측정하는 공정을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 검출공정은 상기 막층의 표면형상과 막후분포를 검출하는 공정을 가지고 있으며, 상기 제어공정은 상기 검출공정으로부터 얻어진 상기 막층의 표면형상과 막후분포가 미리 설정한 허용범위내에 있는 지의 여부를 판정하는 공정을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마방법.
  26. 기판면에 형성한 막층의 표면을 연마하는 연마장치에 있어서, 상기 막층의 표면에 대해 구동되고, 상기 막층의 표면보다도 작은 면적의 연마패드를 가진 연마수단; 그리고 상기 연마수단에 고정되어, 상기 막층의 표면정보를 검출하는 검출수단;을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 연마수단은 상기 막층의 표면과 평행한 면내에서 이동 가능하게 되어 있으며, 또한 상기 연마수단의 상기 면 내에서의 위치정보를 검출하는 위치검출수단을 가지고 있으며, 상기 검출수단은 상기 위치검출수단으로부터의 위치정보를 이용해서 상기 막층의 표면정보를 구하고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  28. 제26항에 있어서, 상기 검출수단은 상기 막층의 표면으로부터 기준면까지의 거리를 검출하는 동시에 상기 막층의 막후를 측정하는 거리측정수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  29. 제26항에 있어서, 상기 검출수단으로부터의 신호에 의거해서 상기 막층의 연마의 속행 또는 정지를 제어하는 제어수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 검출수단은 상기 막층의 표면형상과 막후분포를 검출하는 수단을 가지고 있고, 상기 제어수단은 상기 검출수단으로부터의 얻어진 상기 막층의 표면형상과 막후분포가 미리 설정한 허용범위내에 있는지의 여부를 판정하는 판정부를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958148A (en) * 1996-07-26 1999-09-28 Speedfam-Ipec Corporation Method for cleaning workpiece surfaces and monitoring probes during workpiece processing
US5872633A (en) * 1996-07-26 1999-02-16 Speedfam Corporation Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
US6146248A (en) * 1997-05-28 2000-11-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ end-point detection and optimization of a chemical-mechanical polishing process using a linear polisher
US6108091A (en) * 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
US6111634A (en) * 1997-05-28 2000-08-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness using a multi-wavelength spectrometer during chemical-mechanical polishing
JP3450651B2 (ja) 1997-06-10 2003-09-29 キヤノン株式会社 研磨方法及びそれを用いた研磨装置
TW421620B (en) * 1997-12-03 2001-02-11 Siemens Ag Device and method to control an end-point during polish of components (especially semiconductor components)
US6068539A (en) 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window
US6166819A (en) * 1998-06-26 2000-12-26 Siemens Aktiengesellschaft System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices
MY123230A (en) * 1998-10-16 2006-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer grinder and method of detecting grinding amount
GB2380700B (en) * 1998-10-16 2003-05-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing apparatus
JP2000127033A (ja) * 1998-10-27 2000-05-09 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨装置
US6303507B1 (en) * 1999-12-13 2001-10-16 Advanced Micro Devices, Inc. In-situ feedback system for localized CMP thickness control
US6995800B2 (en) * 2000-01-27 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus utilizing a plurality of converging lenses
WO2002015261A2 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 Sensys Instruments Corporation Bathless wafer measurement apparatus and method
US6585572B1 (en) * 2000-08-22 2003-07-01 Lam Research Corporation Subaperture chemical mechanical polishing system
JP2002219645A (ja) * 2000-11-21 2002-08-06 Nikon Corp 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法並びにこの製造方法によって製造された半導体デバイス
JP2003124171A (ja) 2001-10-19 2003-04-25 Nec Corp 研磨方法および研磨装置
US6768965B2 (en) 2002-04-18 2004-07-27 Seh America, Inc. Methods and computer program products for characterizing a crystalline structure
US6929531B2 (en) * 2002-09-19 2005-08-16 Lam Research Corporation System and method for metal residue detection and mapping within a multi-step sequence
US7008295B2 (en) 2003-02-04 2006-03-07 Applied Materials Inc. Substrate monitoring during chemical mechanical polishing
US7444198B2 (en) * 2006-12-15 2008-10-28 Applied Materials, Inc. Determining physical property of substrate
US7840375B2 (en) * 2007-04-02 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for generating a library of spectra
JP2009129970A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
DE102015118068B3 (de) * 2015-10-22 2016-11-24 Precitec Optronik Gmbh Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zur kontrollierten beidseitigen Bearbeitung eines Halbleiterwafers
CN105364641B (zh) * 2015-11-19 2017-07-28 浙江工业大学 微半环凹模阵列式研抛方法及装置
JP6817896B2 (ja) * 2017-05-26 2021-01-20 株式会社荏原製作所 基板研磨装置および基板研磨方法
CN109709848B (zh) * 2018-12-22 2021-09-21 广州市赛科自动化控制设备有限公司 一种基于modbus协议的数据采集扩展控制系统
JP7281901B2 (ja) * 2018-12-27 2023-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
KR102461737B1 (ko) * 2020-03-18 2022-11-02 서울대학교 산학협력단 하이브리드 레이저-연마 가공기 및 이를 이용한 레이저-연마 가공 방법
CN114211397B (zh) * 2021-12-14 2023-11-17 常州先进制造技术研究所 一种纸质结构件表面打磨控制方法
CN115979145B (zh) * 2022-12-23 2025-09-09 富联科技(兰考)有限公司 测量玻璃工件表面移除量的方法及测量装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34425A (en) * 1862-02-18 Jmprovement in electric baths
DE2758149C2 (de) * 1977-12-27 1979-10-04 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Interferometrisches Verfahren mit λ /4-Auflösung zur Abstands-, Dicken- und/oder Ebenheitsmessung
JPS5998525A (ja) * 1982-11-26 1984-06-06 Canon Inc 分割焼付け装置のアライメント方法
JPS60219744A (ja) * 1984-04-17 1985-11-02 Canon Inc 投影露光装置
US4787749A (en) * 1985-11-28 1988-11-29 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for measuring the thickness of a thin film using the spectral reflection factor of the film
US4874954A (en) * 1987-02-02 1989-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH02222533A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハの研削装置
USRE34425E (en) 1990-08-06 1993-11-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US5270222A (en) * 1990-12-31 1993-12-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis
JP2833305B2 (ja) * 1991-12-05 1998-12-09 富士通株式会社 半導体基板の製造方法
JP2890082B2 (ja) * 1991-12-27 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウエーハの検査方法及び装置
US5196353A (en) * 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
JP2985490B2 (ja) * 1992-02-28 1999-11-29 信越半導体株式会社 研磨機の除熱方法
JPH06252113A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の平坦化方法
US5382551A (en) * 1993-04-09 1995-01-17 Micron Semiconductor, Inc. Method for reducing the effects of semiconductor substrate deformities
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
JP3313505B2 (ja) * 1994-04-14 2002-08-12 株式会社日立製作所 研磨加工法
US5461007A (en) * 1994-06-02 1995-10-24 Motorola, Inc. Process for polishing and analyzing a layer over a patterned semiconductor substrate
US5492594A (en) * 1994-09-26 1996-02-20 International Business Machines Corp. Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station
US5663797A (en) * 1996-05-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5705435A (en) * 1996-08-09 1998-01-06 Industrial Technology Research Institute Chemical-mechanical polishing (CMP) apparatus

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