KR970077295A - 반도체소자 제조장치 - Google Patents

반도체소자 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970077295A
KR970077295A KR1019960015599A KR19960015599A KR970077295A KR 970077295 A KR970077295 A KR 970077295A KR 1019960015599 A KR1019960015599 A KR 1019960015599A KR 19960015599 A KR19960015599 A KR 19960015599A KR 970077295 A KR970077295 A KR 970077295A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chemical solution
semiconductor device
manufacturing apparatus
device manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1019960015599A
Other languages
English (en)
Inventor
윤병문
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960015599A priority Critical patent/KR970077295A/ko
Publication of KR970077295A publication Critical patent/KR970077295A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H10P72/0426—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

반도체소자 제조장치에 관하여 기재하고 있다. 이는, 식각이 진행되도록 그 내부에 약액이 담겨져 있는 약액조(bath), 상기 약액조내에 배치되고, 회전 조절이 가능한 두개의 롤러(roller), 상기 두개의 롤러 사이에 삽입되고, 반도체소자가 형성되는 상면의 가장자리를 제외한 부분에 포토레스트막이 형성되어 있는 웨이퍼, 및 상기 웨이퍼가 다수개 장착되고, 상기 웨이퍼의 아래부분이 상기 약액조 내에 담겨져 있는 에천트에 잠기도록 상기 웨이퍼의 아래부분을 노출시키는 캐리어를 구비한다. 따라서, 웨이퍼 측면에 형성된 막을 효과적으로 제거하여, 웨이퍼에 대한 파티클 발생 및 반도체소자 제조장치의 오염을 근본적으로 방지할 수 있다.

Description

반도체소자 제조장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 식각장치를 도시한 도면들이다.

Claims (1)

  1. 식각이 진행되도록 그 내부에 약액이 담겨져 있는 약액조(bath); 상기 약액조내에 배치되고, 회전 조절이 가능한 두개의 롤러(roller); 상기 두개의 롤러 사이에 삽입되고, 빈도체소자가 형성되는 상면의 가장자리를 제외한 부분에 포토레지스트막이 형성되어 있는 웨이퍼; 및 상기 웨이퍼가 다수개 장착되고, 상기 웨이퍼의 아래부분이 상기 약액조 내에 담겨져 있는 에천트에 잠기도록 상기 웨이퍼의 아래부분을 노출시키는 캐리어를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960015599A 1996-05-11 1996-05-11 반도체소자 제조장치 Withdrawn KR970077295A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960015599A KR970077295A (ko) 1996-05-11 1996-05-11 반도체소자 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960015599A KR970077295A (ko) 1996-05-11 1996-05-11 반도체소자 제조장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970077295A true KR970077295A (ko) 1997-12-12

Family

ID=66219451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960015599A Withdrawn KR970077295A (ko) 1996-05-11 1996-05-11 반도체소자 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970077295A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980006022A (ko) 처리장치 및 처리방법
KR950004973B1 (ko) 경사식 습식 식각조를 이용한 산화막 습식식각 방법
KR940012644A (ko) 박막트랜지스터 어레이의 제조방법
KR970077209A (ko) 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법
KR970063738A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조방법
JPS5550625A (en) Surface treatment of thin plate
KR970067646A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR970016832A (ko) 산화막의 습식 에칭방법
KR970067696A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR980005550A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR930006848A (ko) 반도체 처리방법 및 그 장치
KR19980029371A (ko) 습식 세정조
KR970077237A (ko) 반도체소자 제조용 플라즈마 식각장치
KR980005736A (ko) 반도체소자의 세정방법
KR910020837A (ko) 반도체 제조공정의 식각공정방법
KR980005380A (ko) 얼라인 마크의 형성 방법
KR980011996A (ko) 반도체 소자 제조 장치
KR970072160A (ko) 건식 식각 장치용 클램프
KR920013599A (ko) 플라즈마 식각공정으로 발생된 측벽막 제거방법
KR930003340A (ko) 도금법을 이용한 반도체 장치의 금속 배선 방법
KR970077292A (ko) 반도체소자 제조용 식각장치
KR970063525A (ko) 웨이퍼의 세정 장치
KR960008979A (ko) 반도체 소자의 정렬마크 형성방법
KR970018084A (ko) 범프(bump) 접촉 방지용 홈이 형성된 섀도우 마스크(Shadow Mask)
KR900001044A (ko) 반도체 장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PC1203 Withdrawal of no request for examination

St.27 status event code: N-1-6-B10-B12-nap-PC1203

WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid
PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000