KR970077376A - 반도체 소자 세정 공정 중 오존 첨가 탈이온 초순수와 불산 용액을 이용한 세정 방법 - Google Patents
반도체 소자 세정 공정 중 오존 첨가 탈이온 초순수와 불산 용액을 이용한 세정 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 세정 기술에 가장 널리 쓰이고 있는 습식 세정 기술 중 O3(오존)을 불어 넣은 DI water(탈이온수)와 HF(불산)용액을 사용한 세정 방법이다. 본 발명의 기술을 요약하면 다음과 같다. 먼저 전처리로서 Si(실리콘)기판위의 유기 오염물과 자연 산화막을 제거하기 위해 piranha 세정(H2SO4(황산)+H2O2(과산화수소수), 비율 4:1, 시간 10분, 온도 120℃)과 HF(불산) 세정(HF(불산)+H2O, 비율 1:100, 세정 시간 5분, 상온)을 하였다. 그리고 위와 같이 진처리된 시편을 1ppm CuSO4(황산 구리)표준 용액에 담궈 인위적으로 Cu(구리)를 금속 불순물로서 기판 위에 오염시켰으며 이 오염된 시편들은 O3(오존)을 불어넣은 DI water 세정(오존 첨가 초순수, 오존 농도 2.0ppm 이상)과 HF(불산) 용액 세정(HF(불산)+H2O, 비율 1:100, 세정시간 5분)의 여러가지 조합 및 반복 처리되어 Cu(구리)금속 불순물의 제거 효과와 그에 따른 Si(실리콘)기판 표면의 거칠기를 알아 보았다. 본 발명은 반도체 생산 세정 공정 중 기존 습식 세정 방법에 쉽게 적용될 수 있도록 하기 위하여 DI water(탈이온수)나 HF(불산)용액 같이 기존의 가장 많이 쓰이는 용액들을 바탕으로 하고 그 용액에 O3(오존)을 첨가하여 세정 효과를 증대시키며 또 그 두가지 용액을 적절히 조합 및 반복 실험함으로써 금속 불순물 제거와 기판의 표면 거칠기에 상당히 효과적인 세정 방법임을 보여 준 것이다. 구체적으로 위의 실험 방법들에 의해 세정된 결과 오염된 구리 불순물은 1013에서 1010atoms/㎠수준으로 크게 감소되었고 그 표면의 거칠기도 2배가량 향상된 결과를 얻었다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 실시예에 대한 전체 개략도.
Claims (4)
- Si(실리콘)기판 표면 세정 방법에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)와 HF(불산)용액에 의한 기판 세정을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)는 초순수 탱크로부터 나온 사용 시점의 초순수에 O3(오존)을 주입시켜 만든 용액으로서 오존의 농도는 2.0∼5.0ppm.
- 제1항에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)와 HF(불산)용액을 조합하여 실험한 후 금속 불순물이 1013에서 1010atoms/㎠로 현저하게 감소하였고, 반복 실험 후 그 금속 불순물량이 2∼5배 향상된 결과.
- 제1항에 있어서, Ozonized DI water(오존 첨가 초순수)와 HF(불산)용액을 조합하여 실험한 후 RMS(제곱 평방 평방근)값과 Ra(평균)값에서 보는 것처럼 Si(실리콘)기판의 표면 거칠기가 거의 2배 가량 향상되었고, 반복 실험한 후의 표면 거칠기는 2배 가량 향상된 값과 비슷한 수준인 결과.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019960014214A KR970077376A (ko) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 반도체 소자 세정 공정 중 오존 첨가 탈이온 초순수와 불산 용액을 이용한 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960014214A KR970077376A (ko) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 반도체 소자 세정 공정 중 오존 첨가 탈이온 초순수와 불산 용액을 이용한 세정 방법 |
Publications (1)
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| KR (1) | KR970077376A (ko) |
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1996
- 1996-05-02 KR KR1019960014214A patent/KR970077376A/ko not_active Ceased
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