KR970077483A - 반도체 장치의 소자 분리 방법 - Google Patents

반도체 장치의 소자 분리 방법 Download PDF

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권상동
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/014—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using trench refilling with dielectric materials, e.g. shallow trench isolations

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  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 소자 분리 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 실리콘 기판위에 패드 산화막, 질화막, 열산화에 의한 절연막을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 비활성 영역을 노출시키도록 사진 식각 공정에 의해 상기 절연막, 질화막 및 패드 산화막을 이방성 에칭하여 절연막 패턴, 질화막 패턴 및 패드 산화막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 절연막 패턴을 마스크로 이용하여 비활성 영역의 실리콘 기판에 열산화막을 형성시키는 단계와, 이방성 에칭에 의해 상기 절연막 패턴 및 열산화막을 제거하고 상기 질화막 패턴을 에칭 마스크로 하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치 전면에 산화막을 성장시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하여, 반도체 장치에서 트렌치의 프로파일이 라운드 형으로 형성됨으로써 STL 공정에서 발생되는 험프 현상을 감소시켜서 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 소자 분리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 STL에 의한 소자 분리 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 순차적으로 도시한 단면도이다.

Claims (2)

  1. 실리콘 기판위에 패드 산화막, 질화막, 열산화에 의한 절연막을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 시리콘 기판의 비활성 영역을 노출시키도록 사진 식각 공정에 의해 상기 절연막, 질화막 및 패드 산화막을 이방성 에칭하여 절연막 패턴, 질화막 패턴 및 패드 산화막 패넌을 형성하는 단계와, 상기 절연막 패턴을 마스크로 이용하여 비활성 영역의 실리콘 기판에 열산화막을 형성시키는 단계와, 이방성 에칭에 의해 상기 절연막 패턴 및 연산화막을 제거하고 상기 질화막 패턴을 에칭 마스크로 하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치 전면에 산화막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비활성 영역의 실리콘 기판에 형성되는 열산화막의 두께는 200∼1000A인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리 방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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