KR970077495A - 트렌치 식각 공정을 적용한 필드 산화막의 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 디바이스의 필드 산화막의 제조 방법에 관한 것으로서, 트렌치 식각공정을 적용하여 필드 산화막이 형성될 실리콘 영역을 충분한 깊이로 식각하고, 이 트렌치 식각된 부위의 실리콘 기판을 열 산화 방법 등을 통하여 산화 공정을 진행한다. 이 산화공정에 의하여 생성된 필드 산화막은 충분하 두께를 가져 소자간의 전기적 절연을 할 수 있는 세로운 필드 산화막을 제조하는 방법을 제공하며, 공정상의 불량을 감소시킬 수 있고, 생산비용을 절감하는 효과를 가져온다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의한 트렌치 식각 방법을 적용한 필트 산화막 형성 방법을 설명하는 단면도.
Claims (2)
- 반도체 기판 상에 질화막이 형성되어 있고, 그 질화막 상면에 포토 마스크가 형성되어 있고, 상기 포토 마스크가 필드 산화막 영역이 될 부분이 제거되어 있는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 필드 산화막 영역의 질화막과 반도체 기판을 트렌치 식각하는 단계;상기 포토 마스크를 용매로 제거하는 단계; 상기 트렌치 식각된 반도체 기판 영역에 필드 산화막을 형성하는 단계; 들을 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 산화막의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드 산화막이 열 산화 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 필드 산화막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960017772A KR970077495A (ko) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 트렌치 식각 공정을 적용한 필드 산화막의 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960017772A KR970077495A (ko) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 트렌치 식각 공정을 적용한 필드 산화막의 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077495A true KR970077495A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66220345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960017772A Withdrawn KR970077495A (ko) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 트렌치 식각 공정을 적용한 필드 산화막의 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077495A (ko) |
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1996
- 1996-05-23 KR KR1019960017772A patent/KR970077495A/ko not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination |
St.27 status event code: N-1-6-B10-B12-nap-PC1203 |
|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid | ||
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |