MD4261B1 - Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты) - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к области возобновляемой энергетики и электротехники, в частности, к полупроводниковым устройствам преобразования солнечной радиации в электрическую энергию, и может быть использовано в производстве фотовольтаических ячеек и высокотемпературных полупроводниковых приборов.Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом, согласно первому варианту, включает обезжиривание в органическом растворителе и травление в аммиачном растворе полупроводниковой подложки, выполненной в виде платы из соединения A3B5 n- или p-типа, кристаллографически разориентированной на 3…5° (100) к (110), формирование на ней рельефной микроструктуры, например, химическим травлением в селективном кислом растворе HCl-HNO3-H2O, эпитаксиальное выращивание на поверхности подложки первого слоя из полупроводника идентичного с подложкой типа, формирование p-n перехода эпитаксиальным выращиванием на поверхности первого слоя второго слоя из полупроводника противоположного первому слою типа, удаление слоев с обратной стороны подложки, например, механическим шлифованием, нанесение контактов, например, нанесением по одному металлическому слою на поверхность второго слоя и на обратную поверхность подложки, и нарезание полученной структуры на кристаллы.Способ, согласно второму варианту, отличается тем, что включает эпитаксиальное выращивание на поверхности подложки первого плоского слоя из полупроводника идентичного с подложкой типа, нанесение на поверхность первого слоя слоя аморфного материала гидрата оксида металла А погружением подложки в насыщенный раствор соли металла А с величиной pH 3…4,1, формирование на нем рельефной микроструктуры введением подложки в момент или после нанесения слоя аморфного материала в переменное магнитное поле, термической обработкой в вакууме при температуре 230…320°C в течение 2 часов, затем - в среде с присутствием кислорода при температуре 550…610°C в течение 5 минут, и химической обработкой в аммиачном растворе, а также формирование p-n перехода эпитаксиальным выращиванием на поверхности рельефного слоя из аморфного материала второго слоя из полупроводника противоположного первому слою типа.