MD2562G2 - Способ получения полисульфидных пленок - Google Patents

Способ получения полисульфидных пленок Download PDF

Info

Publication number
MD2562G2
MD2562G2 MDA20020071A MD20020071A MD2562G2 MD 2562 G2 MD2562 G2 MD 2562G2 MD A20020071 A MDA20020071 A MD A20020071A MD 20020071 A MD20020071 A MD 20020071A MD 2562 G2 MD2562 G2 MD 2562G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
polysulphide
treatment
support
sulphidic
temperature
Prior art date
Application number
MDA20020071A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2562F2 (en
MD20020071A (en
Inventor
Василе ЖИТАРЬ
Степан МУНТЯН
Ефим АРАМЭ
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20020071A priority Critical patent/MD2562G2/ru
Publication of MD20020071A publication Critical patent/MD20020071A/xx
Publication of MD2562F2 publication Critical patent/MD2562F2/xx
Publication of MD2562G2 publication Critical patent/MD2562G2/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронике, в частности к технологии полупроводников.Способ получения полисульфидных пленок включает нанесение сульфидных соединений на подложку и последующую термообработку. Новизна заключается в том, что подложку предварительно обрабатывают раствором ZnCl2, высушивают при температуре 373 K, сульфидное соединение ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) смешивают с раствором ZnCl2, а термообработку проводят при условии T·t = (6,3 - 8,5)103 град·час, гдеТ - температура обработки;t - время обработки.
MDA20020071A 2002-02-13 2002-02-13 Способ получения полисульфидных пленок MD2562G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20020071A MD2562G2 (ru) 2002-02-13 2002-02-13 Способ получения полисульфидных пленок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20020071A MD2562G2 (ru) 2002-02-13 2002-02-13 Способ получения полисульфидных пленок

Publications (3)

Publication Number Publication Date
MD20020071A MD20020071A (en) 2003-12-31
MD2562F2 MD2562F2 (en) 2004-09-30
MD2562G2 true MD2562G2 (ru) 2005-05-31

Family

ID=32026170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20020071A MD2562G2 (ru) 2002-02-13 2002-02-13 Способ получения полисульфидных пленок

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2562G2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1497G2 (ru) * 1999-05-24 2001-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Фотоэлектрохимическая солнечная батарея

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1497G2 (ru) * 1999-05-24 2001-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Фотоэлектрохимическая солнечная батарея

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A., Sprincean A., Ţiuleanu I. Celulă solară fotoelectrochimică. Brevet nr.1497, Bopi, nr. 6, AGEPI, 2000. *
В.Ф., Молдовян Н.А., Радауцан С.И., райлян В.Я. Детектор ультрафиолетого излучения. Авт.св.СССР №730226, 1979 г. *
Кобзаренко В. Н., Доника Ф.Г., Житарь В. Ф., Радауцан С.И. Высокоомные фоточувствительные пленки ZnIn2S4. ДАН СССР, 235, 1977 с. 1297 - 1299 *
Молдовян Н.А., Циуляну И.И., Радауцан С.И., Житарь В.Ф., Райлян В.Я. Способ изготовления фотоприемника ультрафиолетового излучения. Авт. Св. СССР №1378717, 1987. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Also Published As

Publication number Publication date
MD2562F2 (en) 2004-09-30
MD20020071A (en) 2003-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW328631B (en) Susceptor, apparatus of heat-treating semiconductor wafer, and method of heat-treating the same
SG136030A1 (en) Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate
TW200604394A (en) Group III nitride crystal substrate and its manufacturing method, and group III nitride semiconductor device
ATE194087T1 (de) Trockene abgasbehandlung
AU2003238350A1 (en) Components having crystalline coatings of the aluminum oxide/silicon oxide system and method for the production thereof
EP1434272A4 (en) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
TW200507113A (en) Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby
TW200704834A (en) Silicon wafer and manufacturing method for same
WO2004057653A3 (en) A method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer
EP1143502A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE
MD2562G2 (ru) Способ получения полисульфидных пленок
TW200725742A (en) Annealed wafer and manufacturing method of annealed wafer
JPS5390033A (en) Heat treatment equipment
JPS54136274A (en) Semiconductor device
JPS6437028A (en) Manufacture of semiconductor element
JPS5771137A (en) Manufacture of semiconductor device
SG120893A1 (en) Process and apparatus for heat-treating ii-vi compound semiconductors and semiconductor heat-treatedby the process
Lei et al. Mass transfer mechanism for plasma-based low-energy ion implantation of steel
JPS5265686A (en) Production of mos semiconductor device
EP1090673A3 (en) Treatment of gas mixtures
RU2072176C1 (ru) Способ выделения платиноидов с поверхности подложки
JPS5375862A (en) Surface stabilization method of semiconductor
JPS5362476A (en) Processing method of semiconductor surface
JPS522273A (en) Method of treating semiconductor substrate
JPS5717496A (en) Liquid phase growing method for single crystal of compound semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees