MD3580G2 - Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя - Google Patents

Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя Download PDF

Info

Publication number
MD3580G2
MD3580G2 MDA20070211A MD20070211A MD3580G2 MD 3580 G2 MD3580 G2 MD 3580G2 MD A20070211 A MDA20070211 A MD A20070211A MD 20070211 A MD20070211 A MD 20070211A MD 3580 G2 MD3580 G2 MD 3580G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
thermoelectrode
thermoelectric converter
thread
thermoelectrodes
stannum
Prior art date
Application number
MDA20070211A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3580F1 (en
Inventor
Павел БОДЮЛ
Николае БОНДАРЧУК
Думитру ГИЦУ
Альбина НИКОЛАЕВА
Леонид КОНОПКО
Анна ЦУРКАН
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20070211A priority Critical patent/MD3580G2/ru
Publication of MD3580F1 publication Critical patent/MD3580F1/xx
Publication of MD3580G2 publication Critical patent/MD3580G2/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления термоэлектродов для термоэлектрических преобразователей.Термоэлектрод изготовлен из полупроводникового анизотропного материала в виде нити в стеклянной изоляции. При этом нить изготовлена из теллура, легированного оловом, в соотношении 0,1…0,3% at.
MDA20070211A 2007-07-25 2007-07-25 Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя MD3580G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070211A MD3580G2 (ru) 2007-07-25 2007-07-25 Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070211A MD3580G2 (ru) 2007-07-25 2007-07-25 Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3580F1 MD3580F1 (en) 2008-04-30
MD3580G2 true MD3580G2 (ru) 2008-11-30

Family

ID=39365470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20070211A MD3580G2 (ru) 2007-07-25 2007-07-25 Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3580G2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU463008A1 (ru) * 1972-05-10 1975-03-05 Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Термоэлектрический преобразователь
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU463008A1 (ru) * 1972-05-10 1975-03-05 Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Термоэлектрический преобразователь
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Also Published As

Publication number Publication date
MD3580F1 (en) 2008-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI348710B (en) Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
ATE542248T1 (de) Elektrolumineszenz-gerät
WO2010105163A3 (en) High energy-density radioisotope micro power sources
UY33397A (es) Forma sólida de un naftaleno carboxamida
TWI371832B (en) Semiconductor device having semiconductor structure bodies on upper and lower surfaces thereof, and method of manufacturing the same
WO2011106075A3 (en) A microelectronic structure including a low k dielectric and a method of controlling carbon distribution in the structure
MX2009010092A (es) Anticuerpos anti ige apoptoticos.
TW200609888A (en) Liquid crystal composition for bistable liquid crystal devices
TW200711108A (en) Semiconductor memory device with dielectric structure and method for fabricating the same
DE602007004886D1 (de) Fluorhaltiges Organopolysiloxan, dieses enthaltende Zusammensetzung zur Oberflächenbehandlung und mit der Zusammensetzung behandelter Gegenstand
TWI367221B (en) Hardmask composition having antireflective properties, process for forming patterned material layer by using the composition and semiconductor integrated circuit device produced using the process
WO2011107186A3 (de) Verbindungen für elektronische vorrichtungen
ATE548415T1 (de) Wärmeleitungszusammensetzung
EP1876157A4 (en) SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
EP2504864A4 (en) Chalcogenide absorber layers for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same
WO2013040289A3 (en) Thermally conductive porous media
WO2013018016A3 (en) A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION HAVING A pH VALUE OF 3.0 TO 5.5
AT507873A3 (de) Linse mit zirkulärem brechkraftprofil
WO2010030484A3 (en) Methods utilizing microwave radiation during formation of semiconductor constructions
ATE514765T1 (de) Azeotropartige zusammensetzungen mit 1,1,1,2,3,3- hexafluor-3-methoxypropan und 1-brompropan
MY152285A (en) Ceramic paddle
GB0909394D0 (en) Semiconductor structure with interconnect comprising sliver and method of forming the same
TWI369763B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
MD3692G2 (ru) Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя
MD3580G2 (ru) Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees