MD20080058A - Устройство для получения сверхпроводящих слоев - Google Patents

Устройство для получения сверхпроводящих слоев

Info

Publication number
MD20080058A
MD20080058A MDA20080058A MD20080058A MD20080058A MD 20080058 A MD20080058 A MD 20080058A MD A20080058 A MDA20080058 A MD A20080058A MD 20080058 A MD20080058 A MD 20080058A MD 20080058 A MD20080058 A MD 20080058A
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
superconducting layers
electrode support
obtaining superconducting
obtaining
vacuum
Prior art date
Application number
MDA20080058A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Анатол СИДОРЕНКО
Владимир ЗДРАВКОВ
Роман МОРАРЬ
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20080058A priority Critical patent/MD20080058A/ru
Publication of MD20080058A publication Critical patent/MD20080058A/ru

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

Изобретение относится сверхпроводникам, а именно к устройствам для нанесения в вакууме тонких слоев высокого качества из сверхпроводящих материалов и может быть использовано в разных областях науки и техники.Устройство для получения сверхпроводящих слоев включает вакуумную камеру (1), которая содержит вакуум-насос (2), магнетрон (3), держатель-катод (4) с мишенью (6), закрепленный во вращательном механизме (8), и подложку (7). На держателе-катоде (4) смонтирован металлический экран (5) цилиндрической формы.
MDA20080058A 2008-02-25 2008-02-25 Устройство для получения сверхпроводящих слоев MD20080058A (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080058A MD20080058A (ru) 2008-02-25 2008-02-25 Устройство для получения сверхпроводящих слоев

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080058A MD20080058A (ru) 2008-02-25 2008-02-25 Устройство для получения сверхпроводящих слоев

Publications (1)

Publication Number Publication Date
MD20080058A true MD20080058A (ru) 2009-08-31

Family

ID=62142816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20080058A MD20080058A (ru) 2008-02-25 2008-02-25 Устройство для получения сверхпроводящих слоев

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD20080058A (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2289G2 (ru) * 2003-03-14 2004-08-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ изготовления планарного оптического прибора с волноводом
MD2804G2 (ru) * 2004-10-19 2006-02-28 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения нанокомпозита
MD3029C2 (ru) * 2004-09-06 2006-11-30 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения датчиков (варианты)
MD3088G2 (ru) * 2005-08-10 2007-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения металлических нанотрубок
MD3372C2 (ru) * 2006-03-31 2008-02-29 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения фотоэлементов (варианты)
MD4010F2 (en) * 2007-12-12 2010-01-29 Universitatea Tehnica A Moldovei Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3
MD3894G2 (ru) * 2008-02-22 2010-01-31 Государственный Университет Молд0 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2289G2 (ru) * 2003-03-14 2004-08-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ изготовления планарного оптического прибора с волноводом
MD3029C2 (ru) * 2004-09-06 2006-11-30 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения датчиков (варианты)
MD2804G2 (ru) * 2004-10-19 2006-02-28 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения нанокомпозита
MD3088G2 (ru) * 2005-08-10 2007-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения металлических нанотрубок
MD3372C2 (ru) * 2006-03-31 2008-02-29 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения фотоэлементов (варианты)
MD4010F2 (en) * 2007-12-12 2010-01-29 Universitatea Tehnica A Moldovei Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3
MD3894G2 (ru) * 2008-02-22 2010-01-31 Государственный Университет Молд0 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M.A. Hermn, H, Sitter. Molecular beam epitaxy – fundamentals and current status. Springer-Verlag Berli-Heidelberg-New Yrok-London-Paris-Tokyo 1989, 382 pages, 249 figures, ISBN 3-540-19075-9. *
PCT WO 01/59815. Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece at an elevated temperatures. Int. Cl. Ho1L 21/00. Invertos: WEAVER, Robert, (US), WILSON, Gregory, J. (US), MCHUGH, Paul, R. (US) and. others. *
Малогабаритное устройство для магнетронного напыления. В.И. Дедю, А.Н. Лыков, Л.И. Махашвили. Преприн № 92 Физический Институт им. П.Н. Лебедева, Москва, 1987. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201205818A (en) Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
Kim et al. Flexible OLED fabrication with ITO thin film on polymer substrate
US20070181421A1 (en) Sputtering system providing large area sputtering and plasma-assisted reactive gas dissociation
JP2015519477A (ja) 事前に安定させたプラズマによるプロセスのためのスパッタリング方法
TW200702468A (en) Improved magnetron sputtering system for large-area substrates
WO2007070868A3 (en) Method and apparatus for low-temperature plasma sintering
EP1973140A3 (en) Plasma species and uniformity control through pulsed VHF operation
WO2007124879A3 (de) Vorrichtung und verfahren zur homogenen pvd-beschichtung
WO2011139439A3 (en) Physical vapor deposition chamber with rotating magnet assembly and centrally fed rf power
WO2011056581A3 (en) Rotary magnetron magnet bar and apparatus containing the same for high target utilization
Pedrosa et al. Electrical characterization of Ag: TiN thin films produced by glancing angle deposition
TWI528031B (zh) Indium gallium oxide thin film hydrogen sensor
ES2542252A2 (es) Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato y dispositivo para su realización
Chang et al. Enhanced conductivity of aluminum doped ZnO films by hydrogen plasma treatment
MD20080058A (ru) Устройство для получения сверхпроводящих слоев
CN104089570A (zh) 一种压阻传感元件及其制备方法
WO2007044344A3 (en) Method and apparatus for cylindrical magnetron sputtering using multiple electron drift paths
EP1990443A3 (en) Method and apparatus for DC plasma assisted chemical vapor deposition in the absence of a positive column, and diamond thin film fabricated thereby
MD175Z (ru) Устройство для получения сверхпроводящих пленок
EP2477211A3 (en) Method for selective deposition of a semiconductor material
CN114008741A (zh) 在基板上沉积材料的方法
WO2009007448A3 (en) Magnetron co-sputtering device
Fakhri et al. Enhanced stability against bias-stress of metal-oxide thin film transistors deposited at elevated temperatures
Yin et al. Energy band calculation of amorphous indium tin oxide films on polyethylene terephthalate substrate with indirect transition
KR101297432B1 (ko) 내굴곡성박막과 투명전도성박막이 구비된 투명유연기판 및 이의 제조방법