MD972Y - Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов - Google Patents

Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов Download PDF

Info

Publication number
MD972Y
MD972Y MDS20150020A MDS20150020A MD972Y MD 972 Y MD972 Y MD 972Y MD S20150020 A MDS20150020 A MD S20150020A MD S20150020 A MDS20150020 A MD S20150020A MD 972 Y MD972 Y MD 972Y
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
inp
reactor
substrate
temperature
etched
Prior art date
Application number
MDS20150020A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Vasile Botnariuc
Leonid Gorceac
Andrei Coval
Boris Cinic
Simion Raevschi
Original Assignee
Universitatea De Stat Din Moldova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Universitatea De Stat Din Moldova filed Critical Universitatea De Stat Din Moldova
Priority to MDS20150020A priority Critical patent/MD972Z/ru
Publication of MD972Y publication Critical patent/MD972Y/ru
Publication of MD972Z publication Critical patent/MD972Z/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано, в частности, в фотоэлектрических преобразователях.Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов состоит в том, что в толуоле и изопропиловом спирте обрабатывают подложку, выполненную в виде платы из p+InP с кристаллографической ориентацией (100), с разориентацией 3…5° в направлении (110) и с концентрацией носителей заряда 1018 см-3, затем ее травят в растворе 5% Br2 в метаноле, моют в изопропиловом спирте, сушат в его парах и помещают в реактор на подставку. Реактор продувается водородом в течение не менее часа, после чего повышают температуру в нем до 670°C и травят подложку. На подложке выращивают и травят слой p-InP, на котором выращивают второй слой p-InP. Полученную заготовку вынимают из реактора и помещают в реактор для роста способом квазизакрытого объема, в котором выращивают слой n+CdS при температуре 710°C. Наносят омический контакт из Ag+Zn на обратную сторону подложки и термически обрабатывают при температуре 500°C, затем наносят омический контакт из In на слой n+CdS и термически обрабатывают при температуре 260°C.
MDS20150020A 2015-02-19 2015-02-19 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов MD972Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20150020A MD972Z (ru) 2015-02-19 2015-02-19 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20150020A MD972Z (ru) 2015-02-19 2015-02-19 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD972Y true MD972Y (ru) 2015-11-30
MD972Z MD972Z (ru) 2016-06-30

Family

ID=54753236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20150020A MD972Z (ru) 2015-02-19 2015-02-19 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD972Z (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4554B1 (ru) * 2017-10-18 2018-02-28 Государственный Университет Молд0 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD499G2 (ru) * 1993-12-30 1997-05-31 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе
MD626G2 (ru) * 1994-01-13 1997-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
MD176Z (ru) * 2009-04-15 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления диода высокого напряжения
MD4261B1 (ru) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты)
MD4280C1 (ru) * 2013-09-04 2014-10-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры pInP-nCdS
  • 2015

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей
MD4554B1 (ru) * 2017-10-18 2018-02-28 Государственный Университет Молд0 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Also Published As

Publication number Publication date
MD972Z (ru) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yang et al. ZnO with p-type doping: Recent approaches and applications
Labed et al. Ultrahigh photoresponsivity of W/graphene/β-Ga2O3 Schottky barrier deep ultraviolet photodiodes
Høiaas et al. GaN/AlGaN nanocolumn ultraviolet light-emitting diode using double-layer graphene as substrate and transparent electrode
Zheng et al. Self-integrated hybrid ultraviolet photodetectors based on the vertically aligned InGaN nanorod array assembly on graphene
Simon et al. Low-cost III–V solar cells grown by hydride vapor-phase epitaxy
MY167874A (en) Solar cells
WO2008040273A3 (de) Lokale heterostrukturkontakte
Gao et al. Semipolar (1122) AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors with fast response
Li et al. Experimental evidence on stability of N substitution for O in ZnO lattice
Nam et al. Growth of ZnO nanorods on graphite substrate and its application for Schottky diode
PH12017501073A1 (en) P-type impurity-diffusing composition, method for manufacturing semiconductor device using said composition, solar cell, and method for manufacturing said solar cell
Kumar et al. Fabrication and characterization of graphene/AlGaN/GaN ultraviolet Schottky photodetector
MY186316A (en) Methods for creating a semiconductor wafer having profiled doping and wafers and solar cell components having a profiled field, such as drift and back surface
MD972Y (ru) Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
Liu et al. A p-Si/n-GaN diode fabricated by nanomembrane lift-off and transfer-print technique
Bagheri et al. Efficient heterojunction thin film CdSe solar cells deposited using thermal evaporation
Li et al. High-Pressure O2 Annealing Enhances the Crystallinity of Ultrawide-Band-Gap Sesquioxides Combined with Graphene for Vacuum-Ultraviolet Photovoltaic Detection
Shi et al. Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0. 83Ga0. 17As photodiodes
Nevruzoglu Effects of Na doping on CdS thin films and n-CdS/p-Si solar cells via chemical bath deposition method
MD4510B1 (ru) Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей
Bouzazi et al. Properties of Chemical Beam Epitaxy grown GaAs0. 995N0. 005 homo-junction solar cell
WO2014201129A3 (en) Ultra long lifetime gallium arsenide
Ji et al. The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device
MD20110044A2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device with relief p-n junction
MD4554B1 (ru) Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Legal Events

Date Code Title Description
FG9Y Short term patent issued
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)