MD532Y - Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb - Google Patents

Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb Download PDF

Info

Publication number
MD532Y
MD532Y MDS20110127A MDS20110127A MD532Y MD 532 Y MD532 Y MD 532Y MD S20110127 A MDS20110127 A MD S20110127A MD S20110127 A MDS20110127 A MD S20110127A MD 532 Y MD532 Y MD 532Y
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
growth
monocrystals
rapid growth
angle
axis
Prior art date
Application number
MDS20110127A
Other languages
English (en)
Moldavian (mo)
Inventor
Albina Nikolaeva
Pavel Bodyul
Leonid Konopko
Gheorghe Para
Pavel Bodiul
Original Assignee
Inst De Ing Electronica Si Nanotehnologii D Ghitu Al Asm
Inst De Ing Electronic & Abreve & Scedil I Nanotehnologii D Ghi & Tcedil U Al A & Scedil M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst De Ing Electronica Si Nanotehnologii D Ghitu Al Asm, Inst De Ing Electronic & Abreve & Scedil I Nanotehnologii D Ghi & Tcedil U Al A & Scedil M filed Critical Inst De Ing Electronica Si Nanotehnologii D Ghitu Al Asm
Priority to MDS20110127A priority Critical patent/MD532Z/ro
Publication of MD532Y publication Critical patent/MD532Y/ro
Publication of MD532Z publication Critical patent/MD532Z/ro

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Invenţia se referă la domeniul de producere a monocristalelor, şi anume la un procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb.Procedeul, conform invenţiei, constă în aceea că se efectuează creşterea monocristalului din metal topit (4) într-o fiolă din cuarţ (2), fundul căreia este executat în formă de con cu un unghi de 40°, amplasată într-o sobă (1), conectată la un dispozitiv electronic pentru menţinerea în ea a unei temperaturi constante de 300°C pe parcursul întregului proces de creştere cu un gradient de temperatură egal cu 7°C/cm. Primul nucleu de cristalizare al Sb, care serveşte drept început pentru creşterea orientată, se aranjează în aşa mod, încât axa de gradul trei să formeze cu axa fiolei un unghi de 20°.
MDS20110127A 2011-07-05 2011-07-05 Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb MD532Z (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20110127A MD532Z (ro) 2011-07-05 2011-07-05 Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20110127A MD532Z (ro) 2011-07-05 2011-07-05 Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD532Y true MD532Y (ro) 2012-07-31
MD532Z MD532Z (ro) 2013-02-28

Family

ID=46582447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20110127A MD532Z (ro) 2011-07-05 2011-07-05 Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD532Z (ro)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD980179A (ro) * 1998-08-10 2000-06-30 Institutul De Informare Si Implementare Procedeu şi dispozitiv pentru creşterea rapidă a monocristalelor de bismut
MD402Z (ro) * 2010-09-17 2012-02-29 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Procedeu de creştere rapidă a monocristalului de bismut
  • 2011

Also Published As

Publication number Publication date
MD532Z (ro) 2013-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Uecker The historical development of the Czochralski method
WO2014190165A3 (en) Methods for producing low oxygen silicon ingots
WO2011027992A3 (ko) 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
MX2025006001A (es) Proceso para preparar particulas de isoxazolina de gran tama?o
EP2889397A4 (en) CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE, METHOD FOR THE PRODUCTION OF SIC-EINCROISTALLEN AND SIC-EINKRISTALL
WO2013025024A3 (en) Ingot growing apparatus and method of manufacturing ingot
MX2018008999A (es) Metodo para obtener cristales de una solucion madre, y dispositivo de cristalizacion adecuado para este proposito.
EP2450318A3 (en) Method and apparatus of continuously forming crystallized glass
EP3176289A4 (en) Quartz glass crucible for single crystal silicon pulling and method for producing same
MD532Y (ro) Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb
PL411695A1 (pl) Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej
MY187928A (en) Process for producing silicon single crystal
MD402Z (ro) Procedeu de creştere rapidă a monocristalului de bismut
EP2776613A4 (en) GRAPHITE MELTING TAPE FOR THE PRODUCTION OF SILICONE CRYSTALS AND METHOD FOR THE REMOVAL OF CRYSTAL BLOCKS
MD20110026A2 (ro) Procedeu de lichidare a deformatiei monocristalelor de ZnSe în procesul de racire dupa crestere
RU2014108691A (ru) Способ получения термоэлектрических материалов
SG11201401945WA (en) Crucible for the production of crystalline semiconductor ingots and process for manufacturing the same
EA201891470A1 (ru) Способ кристаллизации для получения кристаллов гемигидрата канаглифлозина
UA116748C2 (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
UA81126U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КУПРУМ (I) ПЕНТАТИОФОСФАТА (V) йодида Cu6PS5I МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA81118U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕДИ (I) ГЕКСАТИОФОСФАТА Cu7PS6 МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA93505U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ
UA81127U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕДИ (I) ПЕНТАТИОФОСФАТА (V) бромидА Cu6PS5Br МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA108883C2 (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) ЙОДИДУ Cu6PS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ

Legal Events

Date Code Title Description
FG9Y Short term patent issued
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)