NL7706802A - Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.

Info

Publication number
NL7706802A
NL7706802A NL7706802A NL7706802A NL7706802A NL 7706802 A NL7706802 A NL 7706802A NL 7706802 A NL7706802 A NL 7706802A NL 7706802 A NL7706802 A NL 7706802A NL 7706802 A NL7706802 A NL 7706802A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
conductor device
manufacturing
device manufactured
manufactured
Prior art date
Application number
NL7706802A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7706802A priority Critical patent/NL7706802A/nl
Priority to CA305,562A priority patent/CA1097432A/en
Priority to GB7827149A priority patent/GB2000372B/en
Priority to IT24657/78A priority patent/IT1096489B/it
Priority to DE19782826376 priority patent/DE2826376A1/de
Priority to AU37243/78A priority patent/AU518291B2/en
Priority to JP7331978A priority patent/JPS548468A/ja
Priority to CH665178A priority patent/CH628756A5/de
Priority to FR7818372A priority patent/FR2440076A1/fr
Publication of NL7706802A publication Critical patent/NL7706802A/nl
Priority to US06/071,226 priority patent/US4293588A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/61—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/181—Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/973—Substrate orientation
NL7706802A 1977-06-21 1977-06-21 Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. NL7706802A (nl)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7706802A NL7706802A (nl) 1977-06-21 1977-06-21 Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
CA305,562A CA1097432A (en) 1977-06-21 1978-06-15 Method of etching a semiconductor device
GB7827149A GB2000372B (en) 1977-06-21 1978-06-16 Method of manufacturing a semiconductor device
IT24657/78A IT1096489B (it) 1977-06-21 1978-06-16 Metodo di fabbricazione di un dispositivo semiconduttore e dispositivo semiconduttore fabbricato con l'ausilio di tale metodo
DE19782826376 DE2826376A1 (de) 1977-06-21 1978-06-16 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
AU37243/78A AU518291B2 (en) 1977-06-21 1978-06-19 Semiconductor device
JP7331978A JPS548468A (en) 1977-06-21 1978-06-19 Method of producing semiconductor
CH665178A CH628756A5 (de) 1977-06-21 1978-06-19 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnung.
FR7818372A FR2440076A1 (fr) 1977-06-21 1978-06-20 Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication
US06/071,226 US4293588A (en) 1977-06-21 1979-08-30 Method of manufacturing a semiconductor device using different etch rates

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7706802A NL7706802A (nl) 1977-06-21 1977-06-21 Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7706802A true NL7706802A (nl) 1978-12-27

Family

ID=19828757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7706802A NL7706802A (nl) 1977-06-21 1977-06-21 Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4293588A (nl)
JP (1) JPS548468A (nl)
AU (1) AU518291B2 (nl)
CA (1) CA1097432A (nl)
CH (1) CH628756A5 (nl)
DE (1) DE2826376A1 (nl)
FR (1) FR2440076A1 (nl)
GB (1) GB2000372B (nl)
IT (1) IT1096489B (nl)
NL (1) NL7706802A (nl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5713744A (en) * 1980-06-30 1982-01-23 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US4337132A (en) * 1980-11-14 1982-06-29 Rockwell International Corporation Ion etching process with minimized redeposition
US4515652A (en) * 1984-03-20 1985-05-07 Harris Corporation Plasma sculpturing with a non-planar sacrificial layer
US4649638A (en) * 1985-04-17 1987-03-17 International Business Machines Corp. Construction of short-length electrode in semiconductor device
DE3603725C2 (de) * 1986-02-06 1994-08-18 Siemens Ag Verfahren zur Strukturierung von Siliciumcarbid
US5006480A (en) * 1988-08-08 1991-04-09 Hughes Aircraft Company Metal gate capacitor fabricated with a silicon gate MOS process
US4968641A (en) * 1989-06-22 1990-11-06 Alexander Kalnitsky Method for formation of an isolating oxide layer
US5258333A (en) * 1992-08-18 1993-11-02 Intel Corporation Composite dielectric for a semiconductor device and method of fabrication
DE29509545U1 (de) * 1995-06-10 1995-09-21 Voith Sulzer Papiermaschinen GmbH, 89522 Heidenheim Walze mit Schwingungsdämpfer

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3479237A (en) * 1966-04-08 1969-11-18 Bell Telephone Labor Inc Etch masks on semiconductor surfaces
US3472689A (en) * 1967-01-19 1969-10-14 Rca Corp Vapor deposition of silicon-nitrogen insulating coatings
US3607480A (en) * 1968-12-30 1971-09-21 Texas Instruments Inc Process for etching composite layered structures including a layer of fluoride-etchable silicon nitride and a layer of silicon dioxide
US3795557A (en) * 1972-05-12 1974-03-05 Lfe Corp Process and material for manufacturing semiconductor devices
US3867216A (en) * 1972-05-12 1975-02-18 Adir Jacob Process and material for manufacturing semiconductor devices
US3966501A (en) * 1973-03-23 1976-06-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of producing semiconductor devices
US3880684A (en) * 1973-08-03 1975-04-29 Mitsubishi Electric Corp Process for preparing semiconductor
GB1437112A (en) * 1973-09-07 1976-05-26 Mullard Ltd Semiconductor device manufacture
DE2449731A1 (de) * 1973-12-03 1975-06-05 Hewlett Packard Co Aetzverfahren
JPS51126077A (en) * 1975-04-25 1976-11-02 Hitachi Ltd Manufacturing method of semi-conductor equpment
NL7506594A (nl) * 1975-06-04 1976-12-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
JPS5246784A (en) * 1975-10-11 1977-04-13 Hitachi Ltd Process for production of semiconductor device
US3997367A (en) * 1975-11-20 1976-12-14 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for making transistors
JPS5275989A (en) * 1975-12-22 1977-06-25 Hitachi Ltd Production of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CA1097432A (en) 1981-03-10
CH628756A5 (de) 1982-03-15
US4293588A (en) 1981-10-06
GB2000372B (en) 1982-03-10
DE2826376A1 (de) 1979-01-11
IT1096489B (it) 1985-08-26
GB2000372A (en) 1979-01-04
AU3724378A (en) 1980-01-03
JPS5653210B2 (nl) 1981-12-17
AU518291B2 (en) 1981-09-24
FR2440076A1 (fr) 1980-05-23
JPS548468A (en) 1979-01-22
FR2440076B1 (nl) 1983-11-25
IT7824657A0 (it) 1978-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7700521A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een con- servenblik en inrichting voor de uitvoering van deze werkwijze.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL187128C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een vezelvlies.
NL189220C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7713519A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van banden.
NL7807983A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderin- richting.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7712358A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zeef en de zeef op zichzelf.
NL7713004A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL7804793A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een ritssluiting.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7607558A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van soft-ice.
NL7711617A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een beschermingshandschoen.
NL7607298A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed