NO850389L - Solcelle og fremgangsmaate ved elektroavsetning av en tynn film av et variabelt baandgapmateriale paa et substrat - Google Patents

Solcelle og fremgangsmaate ved elektroavsetning av en tynn film av et variabelt baandgapmateriale paa et substrat

Info

Publication number
NO850389L
NO850389L NO850389A NO850389A NO850389L NO 850389 L NO850389 L NO 850389L NO 850389 A NO850389 A NO 850389A NO 850389 A NO850389 A NO 850389A NO 850389 L NO850389 L NO 850389L
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
layer
film
rich
cadmium
ions
Prior art date
Application number
NO850389A
Other languages
English (en)
Inventor
Bulent M Basol
Eric Sheng-Fong Tseng
Dennis Shih-Hao Lo
Original Assignee
Sohio Commercial Dev Comp
Bp Photovoltaics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sohio Commercial Dev Comp, Bp Photovoltaics Ltd filed Critical Sohio Commercial Dev Comp
Publication of NO850389L publication Critical patent/NO850389L/no

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
    • C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
    • C25D9/08—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/162—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS/CdTe photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
    • H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/123—Active materials comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or HgCdTe
    • H10F77/1237—Active materials comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or HgCdTe having at least three elements, e.g. HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
    • H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2922—Materials being non-crystalline insulating materials, e.g. glass or polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3224—Materials thereof being Group IIB-VIA semiconductors
    • H10P14/3228—Sulfides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3241—Materials thereof being conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3242—Structure
    • H10P14/3244—Layer structure
    • H10P14/3248—Layer structure consisting of two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3424—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IIB-VIA materials
    • H10P14/3432—Tellurides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

Oppfinnelsens bakgrunn
Oppfinnelsen angår fotoelektriske innretninger med tynn film hvor Cd-rikt Hg, Cd Te er anvendt som et variabelt båndgapmateriale, og katodisk elektroavsetning av tynne Hg1_xCdxTe-filmer med regulert støkiometri (1-x) og således med regulerte elektroniske og optiske egenskaper.
Generelle elektroavsetningsmetoder for CdTe er beskrevet i US patent 4400 244. Kort oppsummert består elektrolytten av
HTe02 som kilde for tellur og av Cd som kilde for kadmium for å danne et kadmiumtelluridbelegg på en ledende katode. Utladede HTe02 -ioner på katoden reagerer med Cd og danner CdTe-avsetning på katoden.
Mer spesifikke betingelser for elektroavsetning av CdTe og detaljer angående en fremgangsmåte som anvendes for å fremstille solceller med heteroforbindelse og med tynne filmer under anvendelse av disse filmer er blitt beskrevet i US patent 4388483. Ifølge dette patent blir kort oppsummert en plate av et isolerende gjennomsiktig materiale, som glass, laget med en gjennomsiktig ledende film på den ene side, som et lag av tinnoxyd eller indium-tinnoxyd (ITO), under anvendelse av vanlige avsetningsmetoder. Derefter blir et lag av en halvleder, som kadmiumsulfid, elektroavsatt. Kombina-sjonen av det ledende oxyd og kadmiumsulfidet utgjør en halvleder av n-typen og med vidt båndgap og forskjellig fra det neste avsatte lag som består av kadmiumtellurid. Denne opp-bygning blir derefter varmebehandlet ved en temperatur mellom 250 og 500°C i tilstrekkelig tid til å omvandle CdTe-filmen til en halvlederforbindelse av p-typen med ganske lav spesifikk motstand. En ledende film, som en film av gull, blir derefter avsatt på kadmiumtelluridet for å gjøre den fotoelektriske celle fullstendig, og denne mottar stråling via glassubstratet, og halvlederen av n-typen virker som et vidt båndgapvindu.
Varmebehandling av kadmiumtelluridet viste seg å øke kraftutgangen fra den fotoelektriske celle med en faktor på 60. Det antas at i fravær av varmebehandling utgjør det elektroavsatte kadmiumtellurid et materiale av n-typen med høy spesifikk motstand og at kadmiumsulfidet tjener som elektroninjiserende kontakt for én overflate av CdTe-filmen snarere enn som en likerettende kontakt. Når den øvre leder (f.eks. gull) blir avsatt over overflaten av CdTe-filmen,
fås en n-Cd/Te/Au-Schottky-barriere. Dette er i seg selv en struktur som gir lavt utbytte. Når det blir varmebehandlet (før gullet avsettes), blir i det vesentlige alt CdTe omvandlet til p-typen, antagelig på grunn av at det dannes elektrisk aktive Cd-frihetssteder. Dette forflytter barrieren fra n-CdTe/Au-grenseflaten til CdS/p-CdTe-grenseflaten og gir en konstruksjon med hetereoforbindelse og høyt utbytte.
Hg, Cd Te er et meget viktig infrarødt påvisnings-materiale. Dets båndgap er en funksjon av dets støkiometri
og kan forandres fra 0 til 1,5 eV når denne varierer fra
x = 0,17 til x 1,0. Hittil har interessen for dette materiale vært begrenset til dets infrarødtanvendelser. Tidlige under-søkelser angående HgQ - jg^ CdQ 2g5Te-detektorer (ømfintlig ved 8-12yUm) er blitt fulgt opp av undersøkelser angående strukturer som er egnede for anvendelse innen området l-3^,um, 3-5yum og 15-30yum. Alle disse anvendelser krever et Hg-rikt materiale (x< 0,5). En undersøkelse innen den tidligere litteratur viser ingen fremgangsrike forsøk for å utnytte Cd-rikt (x > 0,5) kvikksølv-kadmiumtellurid for solcelleanvendelser.
HgX , X Cd xTe-krystaller kan fremstilles ved hjelp av vel-kjente metoder (som f.eks. Bridgman-vekst, sonesmelting eller ifølge Czochralski). Epitaksial vekst kan oppnås ved væske-faseepitaksialitet (LPE) og dampfaseepitaksialitet (VPE). Det er ikke blitt utført særlige undersøkelser angående poly-
krystallinske tynne filmer av Hg, Cd Te.
-L ~ .X. a
Det fremgår av denne undersøkelse innen teknikkens stand at den potensielle nytte av kadmiumrikt polykrystallinsk Hg, Cd Te for solcelleanvendelser ikke har vært erkjent. Dette
X "~X X
kan delvis skyldes de vanskeligheter som er forbundet med fremstillingen av slike filmer på en rimelig måte og med regulert støkiometri.
Denne undersøkelse innen teknikkens stand viser igjen mangelen på en rimelig metode for fremstilling av HgX, X Cd xTe-filmer. Egenskapen med båndgapkontroll for Hgx , ~~" x Cd xTe er av meget stor viktighet for stablede høyutbytteceller hvorav to eller flere celler reagerer på forskjellige deler av solspekteret. Innen området amorfe tynnfilmceller er utstrakt forskning blitt utført angående legeringer med variabelt båndgap (som f.eks. amorfe Si-Ge-legeringer) som vil være forlikelig med den øverste amorfe Si-celle. Men inntil den foreliggende oppfinnelse har det ikke lykkes å finne en polykrystallinsk tynn film med variabelt båndgap som kan pro-duseres regulerbart og rimelig og utnyttes.
Formål med og oppsummering av oppfinnelsen
Det tas ved oppfinnelsen sikte på å påvise"anvendbarheten av Cd-rike tynne HgX, X Cd xTe-filmer i solceller. Som et resultat aV den foreliggende oppfinnelse kan celler som er ømfintlige overfor forskjellige deler av solspekteret lages, og derved er det mulig å fremstille stablede celler (tandem-celler) med høye utbytter såvel som enkeltforbindelses-cellene med jevne eller graderte båndgap.
Det tas ved oppfinnelsen dessuten sikte på å tilveiebringe en rimelig elektroavsetningsmetode som er istand til å gi HgX , x Cd xTe-filmer med regulerte elektroniske og optiske egenskaper.
Det tas ved oppfinnelsen videre sikte på å tilveiebringe fotoelektriske tynnfilmceller med heteroforbindelse og med elektrisk avsatte Hg^_xCdxTe-lag.
Det tas ved oppfinnelsen også sikte på å tilveiebringe et spesielt materiale for elektropletteringsbadet som gir HgX, X Cd xTe- og CdTe-høyutbyttesolceller.
I henhold til den foreliggende oppfinnelse blir tynne filmer av polykrystallinsk HgX, ™ x Cd xTe med regulerte Hg-innhold katodisk elektroavsatt på ledende substrater fra en
2+
vandig oppløsning som inneholder 0,2-1,5 M Cd -ioner, fra
-5-3+2
10 til 10 M HTeO_ -ioner og Hg +ioner. Konsentrasjonen av Hg -ionene reguleres til 1-20 ppm i avhengighet av avsetningens ønskede støkiometri. Elektrolyttens pH reguleres til mellom 1 og 3. Den påførte spenning reguleres slik at spenningen for avsetningens overflate med hensyn til en Ag-AgCl -referanseelektrode ved åpen krets (dvs. KRP, Kvasi-Rest-Potensial) ligger mellom -300 mV og -600 mV. Elektro lyttens temperatur holdes ved 85-90°C. Selv om den primære interesse.for den foreliggende elektroavsetningsprosess beror på kationer (Cd 2+ og HTeC^ +), påvirker anionenes art også filmegenskapene. Tilsetning av f.eks. Cl -ioner til badet forbedrer kortslutningsstrømmen for fotoelektriske celler, hvilket vil bli nærmere beskrevet i eksempel 3.
Tynnfilmsolceller fremstilles ved å avsette lag av Hg1_xCdxTe på CdS-filmen for et glass/ITO/CdS-substrat. CdS-filmen blir elektrisk avsatt på det med ITO belagte
glass under anvendelse av en elektrolytt som består av 0,1-0,5 M kadmiumsulfat eller kadmiumklorid og 0,01-0,05 M natrium-thiosulfat og med en pH av ca. 4 ved begynnelsen av pletteringen. Avsetningsspenningen holdes mellom -0,6 og -0,7 V
med hensyn til en kalomelreferanseelektrode, og badtemperaturen holdes ved ca. 90°C.
Fremstillingen av innretninger innbefatter et gløde-trinn (8-10 minutter ved ca. 400°C) som fører til at like-retterforbindelsen dannes ved CdS/HgX , ™X Cd XTe-grenseflaten.
Efter at Hg, Cd Te-filmens overflate er blitt etset, blir
X ~~ x x
den etsede overflate behandlet med en sterkt basisk opp-løsning. Innretningene ferdiggjøres ved at ohmske metallkon-takter avsettes på den etsede og behandlede overflate. Celler som reagerer på forskjellige bølgelengder, fremstilles ved å forandre støkiometrien for HgX , ~~x Cd xTe-filmene, dvs. ved å forandre (1-x).
Kortfattet beskrivelse av tegningene
Av tegningene viser Fig. 1 skjematisk et diagram for
den kjemiske elektroavsetning i henhold til den foreliggende oppfinnelse,
2+ Fig. 2 en kurve over Hg -konsentrasjonen i oppløsningen i forhold til den målte støkiometri (1-x) for elektrolytisk avsatte HgX, X CdxTe-filmer og viser den støkiometriregulering som er mulig i henhold til den foreliggende oppfinnelse, Fig. 3 en kurve over energigapet (E y) i forhold til Hg-innholdet i Hg, Cd Te-filmer og erholdt fra transmisjons/
x—x x
refleksjonsdata ved optiske målinger,
Fig. 4 et tverrsnitt gjennom en fotoelektrisk celle laget
i henhold til den foreliggende oppfinnelse,
Fig. 5 kurver over spektralreaksjoner for Hg, Cd Te-tynnfilmsolceller som kan skreddersys ved å regulere x under den elektrolytiske avsetningsprosess, og Fig. 6 en kurve som viser V oc og I sc som funksjJon av (1-x) i fotoelektriske tynnfilminnretninger under anvendelse av HgJ, _™~ X Cd xTe som tynnfilm. Forskjellige eksempler er gjengitt nedenfor for å vise (1) hvorledes Hg xCdxTe-filmer kan avsettes elektrolytisk, (2) hvorledes tynnfilmsolceller kan fremstilles under anvendelse av disse filmer og (3) hvorledes deres bruksegen-skaper kan forbedres.
Beskrivelse av foretrukne utførelsesformer
Fig. 1 viser skjematisk en kjemisk elektrolytisk avsetningskrets som kan anvendes i henhold til den foreliggende oppfinnelse. Den er i det vesentlige den samme som for en hvilken som helst elektrolytisk avsetningsprosess ved at den omfatter en beholder 10 for elektrolytten som for å kunne avsette Hg, Cd Te elektrolytisk utgjøres av en vandig oppløsning som inneholder Cd , HTeC^ og" Hg -ioner. Hovedanoden er en Ti-anode 12, og katoden er en ledende film 14 på et glassubstrat 16. En referanseelektrode 18 er koblet til en potensiostat/galvanostat 20. Et termometer 22
anvendes for å overvåke badtemperaturen. Til denne generelle krets tilføyes . en inert grafittanode 24 og en bryter 26 for avvekslende å forbinde anodene med potensiostat/galvanostaten 20 ved hjelp av hvilken effekten påføres på regulert måte. Bryteren er vist som en manuell bryter, men i praksis vil bryteren være elektronisk og styrt av en tidskrets 30.
Eksempel 1
(Elektrolytisk avsetning av Hg_, L *~X Cd XTe)
Et elektrolysebad ble fremstilt i henhold til den føl-gende metode: CdS 04 av ACS-kvalitet ble oppløst i dobbelt-destillert vann i et 3 liters beger. Elektrolyttens volum var 1,6 liter, og Cd 2+-konsentrasjonen var 0,5 M. Elektrolyttens pH var 4,3. Begeret ble anbragt på en varm plate, og oppløsningen ble oppvarmet til 90°C under samtidig omrøring med et magnetisk røreverk. Elektrolytten ble derefter renset i 2 timer.under anvendelse av den inerte grafittanode 24 og en katode av platinaduk. Katodespenningen ble holdt ved -620 mV i forhold til en Ag-AgCl-referanseelektrode 18 under denne simulerte plettering som senket forurensningskonsentra-sjonen i badet til aksepterbare konsentrasjoner. Efter rensingen ble 0,015 M Cl tilsatt til oppløsningen ved anvendelse av HCl. Dette er et kritisk trinn for å oppnå høy-utbytteinnretninger. Et eget eksempel som er gjengitt nedenfor vil underbygge denne kjensgjerning.
Efter at Cl" var blitt tilsatt ble pH regulert til
1,6 (ved værelsetemperatur) ved tilsetning av konsentrert H2SO^til oppløsningen. Derefter ble HTeO<+>innført i elektrolytten. HTe02<+>ble innført ved anvendelse av den rene Te-anode 12 og en Pt-dukkatode. Te-anodens spenning ble holdt ved +500 mV i forhold til Ag-AgCl-referanseelektroden 18 inntil tellurkonsentrasjonen (som overvåket ved anvendelse av et atomabsorpsjonsspektrofotometer som ikke er vist på
Fig. 1) av 38 ppm var blitt nådd. Efter at ni CdTe-filmer var blitt plettert på glass/ITO/CdS-substrater ble 3,5 ppm
2+
Hg innført i elektrolytten fra en lageroppløsning med
1000 ppm HgCl2. En Hg1_xCdxTe-film ble avsatt på en flate av 5 x 6 cm av et glass/ITO/CdS-substrat under anvendelse av begge anoder 12 og 24 (henholdsvis en Te-stav og en grafitt-stav). Tellurkonsentrasjonen i oppløsningen ble holdt ved 3 x 10 -4 M ved å regulere brytertiden for tidsmåleren 30 som avvekslende ble brukt for å koble inn de to anoder. I henhold til det foreliggende eksempel befant telluranoden 12 seg inn-koblet i 1 minutt og grafittanoden 24 i 15 sekunder avvekslende under hele avsetningen. KRP (Kvasi-Rest-Potensial) ble holdt ved fra -600 mV til -700 mV bortsett fra i løpet av de første få minutter da det var lavere. Tabell I gjengir pletteringsparametrene under avsetningen.
Den erholdte film (nr. 1) ble oppløst i HNO^ , og dens kjemiske sammensetning ble målt ved hjelp av et atomabsorpsjonsspektrofotometer. Den viste seg å inneholde Cd, Te og Hg, men spørsmålet hvorvidt avsetningen forelå i form av en
forbindelse (Hg, Cd Te) eller en blanding kunne bare be-
_L .A. X
svares ved hjelp av optiske målinger. Da filmens optiske båndgap ble målt, viste dette seg å være mindre enn båndgapet for CdTe, og dette beviste at Hg_, L X Cd XTe-forbindelsen forelå.
Eksempel 2
(Støkiometriregulering for HgJ, _ X Cd xTe)
For å vise den støkiometriregulering som er blitt
gjort mulig ved hjelp av den foreliggende metode, ble to ytterligere filmer (filmene nr. 2 og nr. 3) avsatt under anvendelse av oppløsningen fremstilt for eksempel 1 og ved å til-sette mer Hg til denne oppløsning. Hg -konsentrasjonen i oppløsningen i forhold til den målte støkiometri (1-x) for de erholdte Hg^_xCdxTe-filmer er angitt på Fig. 2. Tabellene 2 og 3 gjengir pletteringsparametrene for henholdsvis film nr. 2 og film nr. 3. Det bør igjen bemerkes at KRP er lavt ved begynnelsen av pletteringen cg at det derefter øker og
stabiliserer seg på et nivå som er mer positivt enn -700 mV.
Fig. 2 viser at en regulert forandring av støkiometrien er mulig ved å regulere kvikksølvinnholdet i oppløsningen. Virkningen av denne forandring av støkiometrien på filmens elektriske og optiske egenskaper ble undersøkt ved hjelp av optiske målinger og også ved at solceller ble fremstilt under anvendelse av disse filmer. Det nedenstående avsnitt be-skriver fremstillingen av slike innretninger. Energigapet (Eg) i forhold til Hg-innholdet i filmene ble erholdt fra transmisjons/refleksjonsdataene for optiske målinger og er avsatt på Fig. 3. Det fremgår at båndgapverdiene følger den teoretisk forventede lineære avhengighet av (1-x) . Dette viser den støkiometriregulering av båndgapet for fotelektriske innretninger som er blitt gjort mulig ved hjelp av den enkle, rimelige avsetningsmetode i henhold til den foreliggende opp-
finnelse.
Fremstilling av innretninger fra filmer i henhold til e ksemplene 1 og 2
Filmene i henhold til eksemplene 1 og 2 ble behandlet videre for å fremstille tynnfilmfotoelektriske celler for å påvise muligheten for å fremstille tynnfilminnretninger med skreddersydd båndgap og til en rimelig pris. De innretninger som skjematisk er vist på Fig. 4 utgjøres av en plate 40 av et isolerende, gjennomsiktig materiale (glass) som er for-synt med et lag 41 av et ledende, gjennomsiktig materiale (ITO) på hvilket en film 42 av en halvleder (CdS) ble elektrolytisk avsatt før en film 43 av HgX , x Cd xTe ble elektrolytisk avsatt. En tynn film 44 av et ledende materiale (Au eller Ni) ble derefter dampet på filmen 43 for anvendelse som ryggkontakt. En frontkontakt ble anordnet på den ledende film 41 ved at halvlederlagene 42 og 43 først ble etset bort, hvorved den ledende film 41 ble eksponert innen et område på én side av innretningen.
Dersom HgJ, _ —X Cd XTe-filmene i henhold til eksemplene 1
og 2 ikke ble varmebehandlet før den tynne film 44 ble avsatt, ble Schottky-barrieresolceller erholdt som reagerte på forskjellige bølgelengder.
Heteroforbindelsene ble dannet dersom filmene ifølge eksemplene 1 og 2 først ble varmebehandlet i overensstemmelse med det ovennevnte US patent 4388483. Varmebehandling ble utført ved 400°C i 8 minutter i luft. Dette trinn antas å danne Cd- og Hg-tomsteder i filmene som virker som akseptorer og fører til et materiale av p-typen med egnet lav spesifikk motstand. Efter varmebehandlingen ble filmene avkjølt til værelsetemperatur, og de følgende etse- og beslektede metoder ble utført:
a) Overflaten av Hg1_xCdxTe-filmen 43 ble først etset
i en methanoloppløsning med 0,1% brom. Denne etsing fjerner
et meget tynt lag av materiale (1 10 0 Å) og efter later en klar arbeidsoverflate. Dette er ikke et avgjørende trinn av prosessen. Det kan sløyfes dersom filmen 43 nylig er blitt laget. b) Overflaten ble derefter etset i en bikromatopp-løsning ("Dichrol") i 1 sekund og skylt i avionisert vann.
Denne etsing efterlater en Te-rik overflate som er nødvendig for å oppnå en god ohmsk kontakt.
c) Efter bikromatetsingen ble prøven neddykket i et beger fylt med hydrazin (monohydrat) i 10 minutter ved
værelsetemperatur. Som beskrevet i US patent 4456630 er dette trinn sammen med trinnet b) viktig for behandlingen av innretningen. Ved dette trinn behandles filmens overflate på en slik måte at en eventuell høy motstand eller barriere som er forbundet med den ohmske kontakt, blir fjernet. d) Efter overflatefremstillingstrinnene beskrevet ovenfor ble en metallfilm 44, f.eks. av Au eller Ni, dampet
på den overflatebehandlede halvlederfilm. Denne metallfilm utgjorde ryggkontakten for den ferdige celle.
e) En frontkontakt ble derefter laget ved at filmene
44 og 43 ble fjernet, som angitt ovenfor, slik at den ledende
film 41 av ITO ble eksponert.
Innretningene ble derefter undersøkt for å fastslå deres
spektralreaksjoner og VQC~°9Isc-verdier.
Fig. 5 viser hvorledes en tynnfilmsolcelles reaksjon kan skreddersys ved anvendelse av den foreliggeride oppfinnelse. Kurvene a, b, c og d på Fig. 5 svarer til en (1-x) av henholdsvis 0, 0,075, 0,105 og 0,125. Utvidelsen av celle-reaksjonen til dypere inn i det infrarøde område med større (1-x)-verdier fremgår klart av denne Figur. Fig. 6 viser V - og I -verdiene for celler (areale 0,02 cm 2) laget på
oc sc
filmer som tidligere ble anvendt for båndgapmålingene (Fig.3). Som forventet ut fra forandringen av båndgapet avtar spenningen i åpen krets, og kortslutningsstrømmen øker med øket Hg-innhold i filmene.
Eksempel 3
Dette eksempel viser viktighet av tilsetning av Cl til elektrolytten. Det følgende forsøk ble utført for å under-søke dette fenomen: Et CdTe-pletteringsbad ble fremstilt ved hjelp av de følgende metoder: a) 700 ml, 0,5 M, av en oppløsning av CdS04av ASC-kvalitet ble fremstilt ved anvendelse av dobbeltdestil-lert vann. Oppløsningen ble oppvarmet til 90°C og for-
siktig omrørt.
b) Elektrolytten ble renset i 2 timer under anvendelse av en platinaduk som katode, en grafittstang som anode og
en Ag-AgCl-elektrode som referanse. Et PAR 173 potensio-meter ble anvendt for å påføre en katodespenning av
-620 mV i løpet av denne prosess.
c) Oppløsningens pH ble regulert til 1,6 ved tilsetning av konsentrert H2S04. d) Te ble innført i elektrolytten ved at +500 mV ble påført på en ren Te-blokk og ved anvendelse av Pt-duk som katode-elektroden. Innføringen av Te ble avsluttet da Te-konsentrasjonen hadde nådd 35 ppm.
Efter at dette standardbad var blitt fremstilt, ble Cl -konsentrasjonen i oppløsningen forandret ved anvendelse av konsentrert HCl, og de erholdte filmer ble anvendt for å fremstille solceller med heteroforbindelse ved anvendelse av metodene beskrevet i eksempel 3. Såvel filmenes mekaniske integritet efter varmebehandlingstrinnet som innretningenes kortslutningsstrømtettheter ble bedømt som en funksjon av Cl -konsentrasjonen. Tabell 4 gjengir resultatene for innretninger med et areale pa 0,02 cm 2.
Selvom celler med Cl -konsentrasjoner av opp til 0,03 M
i oppløsningen fremdeles var tilfredsstillende, kunne det iakttas at CdTe-filmen løsnet fra glassubstratet ved visse deler efter varmebehandlingen ved 400°C De foretrukne mol-forhold mellom Cl -ioner og SO^ -ioner i oppløsningen er således fra 0,01 til 0,06. Forhold som er lavere enn 0,01
er ikke særlig effektive, og forhold som er høyere enn 0,06 fører til dårlig vedheftning mellom substratet og CdTe-filmen. Det er fremdeles ikke helt klart hvorledes nærværet av Cl i elektrolytten påvirker de avsatte filmers egenskaper. Det kan være at Cl har en kompenserende virkning på korn-grensene som reduserer rekombinasjonshastigheten på disse steder eller Cl kan i virkeligheten påvirke vekstmorfologien og føre til en struktur (som f.eks. en god søylevekst) som gir høyere kortslutningsstrømverdier for innretningene. Alle de ovenstående argumenter gjelder såvel avsetning av Hg-, L X cd X Te som avsetning av CdTe. Selvfølgelig ~ kan andre av de mer vanlige halogenioner, nemlig Br , F eller I , anvendes istedenfor Cl .
Det fremgår av det ovenstående at det ved den foreliggende oppfinnelse er blitt tilveiebragt en ny og forbedret metode for elektrolytisk avsetning av en film av Hg-^_xCdxTe, at filmen kan være rik på kadmium og at filmen kan tilveiebringes med forbedret kortslutningsstrøm i en fotoelektrisk celle ved innarbeidelse av halogenidioner. Det er derfor også klart at det ved den foreliggende oppfinnelse tilveiebringes en ny og forbedret tynnfiImsoleelie. I de gjengitte eksempler er henvisning blitt gjort til spenninger ved den elektrolytiske avsetningsprosess i forhold til standard Ag-AgCl- og kalomel-referanseelektroder. Disse spenninger kunne også ha vært gitt i forhold til en normal hydrogenelektrode som referanse som har en spenning som er 0,22 V under spenningen for Ag-AgCl-referanseelektroden og 0,24 V under spenningen for kalomelreferanseelektroden. Da en normal hydrogenelektrode (NHE) er en standard ved 0 volt, er de spenninger som er angitt i kravene blitt angitt i forhold til den normale hydrogenelektrode. Det kan da velges hvilken referanse elektrode som skal anvendes.

Claims (16)

1. Fremgangsmåte ved elektrolytisk avsetning av en film av Hg Cd Te på et ledende substrat med regulert Hg-XXX støkiometri og under anvendelse av et avsetningsbad med en referanseelektrode, idet det ledende substrat anvendes som en katode og én eller flere anoder anvendes, karakterisert ved at det som en elektrolytt tilveiebringes en sur, vandig oppløsning inneholdende Cd2+-ioner, HTeO~ -ioner og Hg2+-ioner, og at den påførte spenmng mellom ref eranseelektroden og katoden og Hg2 + ionekonsentrasjonen i oppløsningen reguleres slik at en Hg, Cd Te-forbindelse med regulert støkiometri dannes på _L x x katodeoverflaten.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at elektrolyttens temperatur holdes mellom 80 og 95°C og at to anoder anvendes for å regulere badets sammensetning, idet den ene anode består av tellur.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at det anvendes en elektrolytt som inneholder fra 0,1 molar til 1,5 molar Cd 2 +-ioner, fra 10 5 molar til 10 ^ molar HT eO^-ioner og Hg2+-ioner i en konsentrasjon av mellom 1 og 20 ppm for den ønskede støkiometri for den avsatte film.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1-3, karakterisert ved at elektrolyttens pH holdes mellom 1 og 3.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1-4, karakterisert ved at det påføres en spenning av mellom -300 mV og -785 mV.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 1-5, karakterisert ved at det dessuten tilføres halogenidioner i filmen av Hg, Cd Te.
7. Fremgangsmåte ifølge krav 6, karakterisert ved at det som halogenidioner tilsettes kloridioner.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 1-7, karakterisert ved at substratet fremstilles ved en foreløpig prosess hvor en glassplate belegges med et ledende oxyd og hvor en film av CdS avsettes elektrolytisk på belegget under anvendelse av et bad som består av 2+ 2- Cd og $ 2^ 3 '°9 under anvendelse av en avsetningsspenning som holdes mellom -360 mV og -460 mV med hensyn til en normal hydrogenreferanseelektrode.
9. Fremgangsmåte ifølge krav 1-8, karakterisert ved at den innbefatter de ytterligere trinn for å lage fotoelektriske innretningeri gliding av filmen av Ha Cd Te ved ca. 400°C J -]_-x x for å danne en likerettende forbindelse på grenseflaten mellom filmen av Hg, Cd Te og filmen av CdS, overflaten av H <g>^ _x Cdx Te-filmen etses med en sur oppløsning under dannelse av en tellurrik overflate, overflaten av den syre-etsede film behandles med en sterk basisk opplø sning, og et ledende metallag avsettes på den etsede og behandlede overflate.
10. Solcelle, karakterisert ved at den omfatter minst ett lag 3 av kadmiumrikt Ha1, -x Cd xTe (x >0,5) som et aktivt sol-energiabsorberingslag.
11. Solcelle ifølge krav 10, karakterisert ved at én overflate av det nevnte i det minste ene lag av kadmiumrikt Hg^_xCd Te befinner seg i ohmsk kontakt med et ledende metallag og at den motsatte overflate av det i det minste ene lag av kadmiumrikt Hg, Cd Te befinner sea i kontakt med et halvledende lag 3l-x x - med en heteroforbindelse mellom disse.
12. Solcelle ifølge krav 10, karakterisert ved at én overflate av det nevnte i det minste ene lag av kadmiumrikt Hg, Cd Te befinner seg i ohmsk kontakt med et ledende metallag, og at den motsatte overflate av det nevnte i det minste ene lag av kadmiumrikt Hg, Cd Te befinner seg i kontakt med et ^1-x x 3 halvledende lag med en Schottky-barriere mellom disse.
13. Solcelle ifølge krav 10, karakterisert ved at den dessuten innbefatter halogenidioner i det kadmiumrike Hg_, L X Cd XTe-lag.
14. Solcelle, karakterisert ved at den omfatter glass belagt med et ledende oxydlag, en tynn CdS-film over det ledende oxyd, et kadmiumrikt, halvledende lag av Hg^ _x Cdx Te (x>0,5) anordnet over CdS-laget og et ledende metallag avsatt med ohmsk kontakt på Hg^ _x C <d>x Te-laget.
15. Solcelle ifølge krav 14, karakterisert ved at den har en tellurrik overflate av det kadmiumrike Hg-, LX Cd XTe-lag anordnet på den ohmske kontaktgrenseflate.
16. Solcelle ifølge krav 14, karakterisert ved at den dessuten innbefatter halogenidioner i det kadmiumrike Hg-, L X Cd XTe-lag.
NO850389A 1984-02-03 1985-02-01 Solcelle og fremgangsmaate ved elektroavsetning av en tynn film av et variabelt baandgapmateriale paa et substrat NO850389L (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/576,559 US4548681A (en) 1984-02-03 1984-02-03 Electrodeposition of thin film heterojunction photovoltaic devices that utilize Cd rich Hg1-x Cdx Te

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NO850389L true NO850389L (no) 1985-08-05

Family

ID=24304933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO850389A NO850389L (no) 1984-02-03 1985-02-01 Solcelle og fremgangsmaate ved elektroavsetning av en tynn film av et variabelt baandgapmateriale paa et substrat

Country Status (15)

Country Link
US (2) US4548681A (no)
EP (1) EP0152197B1 (no)
JP (1) JPH0685444B2 (no)
AU (2) AU577343B2 (no)
BR (1) BR8500445A (no)
CA (1) CA1249361A (no)
DE (1) DE3575049D1 (no)
ES (1) ES8702518A1 (no)
HK (1) HK63190A (no)
IL (1) IL74197A (no)
IN (1) IN167111B (no)
MX (1) MX168214B (no)
NO (1) NO850389L (no)
SG (1) SG20390G (no)
ZA (1) ZA85546B (no)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4816120A (en) * 1986-05-06 1989-03-28 The Standard Oil Company Electrodeposited doped II-VI semiconductor films and devices incorporating such films
US4909857A (en) * 1986-05-06 1990-03-20 Standard Oil Company Electrodeposited doped II-VI semiconductor films and devices incorporating such films
IN167516B (no) * 1986-05-06 1990-11-10 Standard Oil Co Ohio
EP0248953A1 (en) * 1986-06-10 1987-12-16 The Standard Oil Company Tandem photovoltaic devices
US4686323A (en) * 1986-06-30 1987-08-11 The Standard Oil Company Multiple cell, two terminal photovoltaic device employing conductively adhered cells
US4873198A (en) * 1986-10-21 1989-10-10 Ametek, Inc. Method of making photovoltaic cell with chloride dip
US4764261A (en) * 1986-10-31 1988-08-16 Stemcor Corporation Method of making improved photovoltaic heterojunction structures
US4753684A (en) * 1986-10-31 1988-06-28 The Standard Oil Company Photovoltaic heterojunction structures
US4735662A (en) * 1987-01-06 1988-04-05 The Standard Oil Company Stable ohmic contacts to thin films of p-type tellurium-containing II-VI semiconductors
US4950615A (en) * 1989-02-06 1990-08-21 International Solar Electric Technology, Inc. Method and making group IIB metal - telluride films and solar cells
GB9022828D0 (en) * 1990-10-19 1990-12-05 Bp Solar Ltd Electrochemical process
EP0552023B1 (en) * 1992-01-14 1997-04-02 Mitsubishi Chemical Corporation Electrode structure for semiconductor device
GB2397945B (en) * 2002-01-29 2005-05-11 Univ Sheffield Hallam Thin film photovoltaic devices and methods of making the same
US20090320921A1 (en) * 2008-02-01 2009-12-31 Grommesh Robert C Photovoltaic Glazing Assembly and Method
US20090194147A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Cardinal Ig Company Dual seal photovoltaic assembly and method
US20090194156A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Grommesh Robert C Dual seal photovoltaic glazing assembly and method
WO2009126186A1 (en) * 2008-04-10 2009-10-15 Cardinal Ig Company Manufacturing of photovoltaic subassemblies
CA2720257A1 (en) * 2008-04-10 2009-10-15 Cardinal Ig Company Glazing assemblies that incorporate photovoltaic elements and related methods of manufacture
GB0916589D0 (en) * 2009-09-22 2009-10-28 Qinetiq Ltd Improved photocell
US20120043215A1 (en) * 2010-08-17 2012-02-23 EncoreSolar, Inc. Method and apparatus for electrodepositing large area cadmium telluride thin films for solar module manufacturing
US20170167042A1 (en) * 2015-12-14 2017-06-15 International Business Machines Corporation Selective solder plating

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3496024A (en) * 1961-10-09 1970-02-17 Monsanto Co Photovoltaic cell with a graded energy gap
US3723190A (en) * 1968-10-09 1973-03-27 Honeywell Inc Process for preparing mercury cadmium telluride
GB1532616A (en) * 1976-06-08 1978-11-15 Monsolar Inc Photo-voltaic power generating means and methods
US4400244A (en) * 1976-06-08 1983-08-23 Monosolar, Inc. Photo-voltaic power generating means and methods
JPS5313382A (en) * 1976-07-22 1978-02-06 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of thin-film light electromotive element
GB2006268A (en) * 1977-10-14 1979-05-02 Univ Queensland Preparation of semiconductor films on electrically conductive substrates
US4345107A (en) * 1979-06-18 1982-08-17 Ametek, Inc. Cadmium telluride photovoltaic cells
US4243885A (en) * 1979-09-25 1981-01-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Cadmium telluride photovoltaic radiation detector
US4319069A (en) * 1980-07-25 1982-03-09 Eastman Kodak Company Semiconductor devices having improved low-resistance contacts to p-type CdTe, and method of preparation
US4388483A (en) * 1981-09-08 1983-06-14 Monosolar, Inc. Thin film heterojunction photovoltaic cells and methods of making the same
US4465565A (en) * 1983-03-28 1984-08-14 Ford Aerospace & Communications Corporation CdTe passivation of HgCdTe by electrochemical deposition

Also Published As

Publication number Publication date
ZA85546B (en) 1986-04-30
JPS60239070A (ja) 1985-11-27
DE3575049D1 (de) 1990-02-01
ES540082A0 (es) 1986-12-16
JPH0685444B2 (ja) 1994-10-26
IL74197A (en) 1988-03-31
ES8702518A1 (es) 1986-12-16
EP0152197A3 (en) 1986-04-02
EP0152197A2 (en) 1985-08-21
EP0152197B1 (en) 1989-12-27
US4629820A (en) 1986-12-16
IN167111B (no) 1990-09-01
SG20390G (en) 1990-07-06
AU2660788A (en) 1989-04-13
HK63190A (en) 1990-08-24
AU577343B2 (en) 1988-09-22
MX168214B (es) 1993-05-12
AU592938B2 (en) 1990-01-25
BR8500445A (pt) 1985-09-17
AU3768385A (en) 1985-08-08
CA1249361A (en) 1989-01-24
US4548681A (en) 1985-10-22
IL74197A0 (en) 1985-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO850389L (no) Solcelle og fremgangsmaate ved elektroavsetning av en tynn film av et variabelt baandgapmateriale paa et substrat
US4642140A (en) Process for producing chalcogenide semiconductors
US5871630A (en) Preparation of copper-indium-gallium-diselenide precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells
Basol Electrodeposited CdTe and HgCdTe solar cells
US7297868B2 (en) Preparation of CIGS-based solar cells using a buffered electrodeposition bath
Echendu et al. Electrochemical Deposition of CdTe Semiconductor Thin Films for Solar Cell Application Using Two‐Electrode and Three‐Electrode Configurations: A Comparative Study
Kampmann et al. Large area electrodeposition of cu (in, Ga) Se2
US20110108115A1 (en) Forming a Photovoltaic Device
Ge et al. Co-electroplated kesterite bifacial thin-film solar cells: A study of sulfurization temperature
Morris et al. Some fabrication procedures for electrodeposited CdTe solar cells
Bouroushian et al. Hexagonal cadmium chalcogenide thin films prepared by electrodeposition from near-boiling aqueous solutions
US5478445A (en) Electrochemical process
US4816120A (en) Electrodeposited doped II-VI semiconductor films and devices incorporating such films
Neumann‐Spallart et al. Photoelectrochemical properties of semiconducting cadmium mercury telluride thin films with bandgaps between 1.47 and 1.08 eV
US4909857A (en) Electrodeposited doped II-VI semiconductor films and devices incorporating such films
CA1292547C (en) Electrodeposited doped ii-vi semiconductor films and devices incorporating such films
CA2284826C (en) Preparation of copper-indium-gallium-diselenide precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells
Ghamarian et al. Pulse electrochemical deposition and photo-electrochemical characterization of CuInSe2 thin films
Muftah et al. Electrodeposited CdTe Thin Film Solar Cells: Chloride Treatment and Improved Efficiency
Rousset et al. Low temperature electrodeposition of zinc oxide layers as transparent conducting oxide window layers for CIGS solar cells
CA2056609A1 (en) Methods for fabrication of cuinse2 thin films and solar cells
Ojo et al. Electroplating of Electronic Materials for Applications in Large Area Electronics: A Review
Tolan et al. Development of p, i and n-type CuInGa (Se2) layers for applications in thin film solar cells
Marí Soucase et al. Single Step Electrodeposited Kesterite Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films at low annealing temperatures
Salim et al. Electrodeposition of CdTe thin film solar cells using cadmium nitrate precursor