Przedmiotem wynalazku jest uklad sterujacy bramkowanego przelacznika diodowego.W artykule zatytulowanym „A Field Termina- ted Diode'-' (polowa dioda obciazeniowa) Douglas E. Houston i inni, opublikowanym w IEEE Tran- sactions on Elestron Devices, tom ED-23, nr 8, sierpien 1976, opisano dyskretny pólprzewodnikowy wysokonapieciowy przelacznik, który ma pionowa geometrie i zawiera obszar, który moze byc odci¬ nany w celu uzyskania stanu zablokowania, lub tez moze silnie przewodzic, dzieki podwójnemu wstrzykiwaniu nosników, aby uzyskac stan wla¬ czenia. Urzadzenie to, które bedzie sie odnosilo do bramkowanego przelacznika diodowego (GDS) jest przyszlosciowym pólprzewodnikowym elementem zastepczym dla przelaczników elektromechanicz¬ nych, z powodu swych wysokonapieciwych wla¬ sciwosci. Jak to zostanie objasnione w dalszym ciagu moga byc wytwarzane odmiany tego urza¬ dzenia, inne niz opisano w tym artykule, które sa odpowiednie do wytwarzania obwodów scalonych oraz dwukierunkowych ukladów przelaczajacych. y Byloby równiez pozadane stosowac technike scalonych obwodów pólprzewodnikowych do wyt¬ warzania sterujacych ukladów do bramkowanych przelaczników diodowych. Nie jest to latwe, poniewaz w ukladach sterujacych stosowane zwy¬ kle napiecie blokujace bramki (lub siatki) musi byc w stanie utrzymywac bardziej dodatnie napiecie niz napiecie wystepujace na anodzie i katodzie 10 i musi dostarczyc prad, który jest przynajmniej o tej samej wartosci jaki przeplywa przez sam przelacznik.Bramkowany przelacznik diodowy opisanego typu stanowi wzgledna nowosc, w zwiazku z czym dotychczas malo bylo informacji publikowanych na temat sterujacych ukladów do tych urzadzen.Celem wynalazku jest opracowac pólprzewodni¬ kowy uklad sterujacy do stosowania z bramkowa¬ nym przelacznikiem diodowym, który moze byc wytwarzany na tym samym podlozu co przelacz¬ nik, który ma byc sterowany.Rozwiazanie powyzszego problemu, sterowania stanu pierwszego bramkowanego przelacznika dio- 15 dowego (GDS1), wedlug wynalazku polega na tym, ze uklad zawiera bramkowany przelacznik dio¬ dowy (GDS2) polaczony przez swoja katode z bramka pierwszego przelacznika, a rozgalezny obwód sterowania napieciowego jest dolaczony 21 do drugiego przelacznika dla sterowania przewo¬ dzeniem pomiedzy jego anoda a katoda.Stan drugiego przelacznika jest sterowany zwlaszcza przez rozgalezny obwód sterowania na¬ pieciowego, który specjalnie reguluje napiecie 25 bramka — anoda. Impuls o wzglednie niskim napieciu wyzwala obwód sterowania napieciowe¬ go. Obwód sterowania napieciowego moze praco¬ wac przy wysokich napieciach, lecz jego wydajnosc pradowa jest tylko skromna. Tak wiec prad stanu ustalonego plynacy przez drugi przelacznik musi 30 127 058wy w przekroju, fig- 2 — schemat przelacznika z ukladem sterujacym w pierwszym przykladzie wykonania, fig. 3 — schemat przelacznika z dru¬ gim przykladem ukladu sterujacego, fig, 4 — sche¬ mat dwukierunkowego przelacznika, który moze byc równiez sterowany przez uklad sterujacy z fig. 1, fig. 5 — uklad sterujacy przelacznik w kolej¬ nym przykladzie wykonania, a fig. 6 przedstawia uklad sterujacy wedlug wynalazku w dalszym przykladzie wykonania.Na fig. 1 przedstawiono korzystna postac struk¬ tury 10 bramkowanego przelacznika diodowego GDS, zawierajacej podloze 12 z powierzchnia glówna 11 i monokrystalicznym pólprzewodniko¬ wym korpusem 16, który w swej objetosci jest przewodnictwa typu p— i który jest oddzielony od podloza 12 przez warstwe dielektryczna 14.Zlokalizowany obszar anody 18 o przewodnic¬ twie typu p+ znajduje sie w korpusie 16 i ma czesc rozciagajaca sie do powierzchni 11. W kor¬ pusie 16 znajduje sie równiez zlokalizowany ob¬ szar bramki 20 o przewodnictwie typu n+ oraz zlokalizowany obszar katody 24 o przewodnictwie równiez typu n+. Obszar 22 o przewodnictwie ty¬ pu p, który ma czesc rozciagajaca sie do powierz¬ chni 11, otacza katode 24 i dziala jak ekran prze¬ bicia skrosnego zubozonej warstwy. Ponadto po¬ woduje wstrzymywanie inwersji czesci korpusu 16 do lub w poblize powierzchni 11 pomiedzy obsza¬ rami 20 i 24. Obszar bramki 20 znajduje sie po¬ miedzy obszarem anody 18 a obszarem 22 i jest od- 10 127 05$ ft byc* niewielkiej wartosci dla obwodu sterowania napieciowego, aby mógl przelaczyc drugi przela¬ cznik ze stanu wlaczenia do stanu zablokowania.Jesli drugi przelacznik jest w stanie zablokowa¬ nia, to potencjal bramki pierwszego przelacznika znajduje sie na takim poziomie, ze nie jest bardziej dodatni niz potencjal anody i katody, przy czym pierwszy przelacznik jest w stanie wlaczenia i prze¬ wodzenie pomiedzy anoda a katoda moze wystepo¬ wac. Aby przelaczyc pierwszy przelacznik do stanu zablokowania, potencjal jego bramki musi wzro¬ snac do wartosci bardziej dodatniej niz potencjal anody i katody, a elektrony przynajmniej tego rzedu wielkosci co przeplyw pomiedzy katoda i anoda, byly gromadzone przy bramce, i wycia¬ gane z bramki.Biorac pod uwage schemat obwodu, wyciaganie elektronów z bramki pierwszego przelacznika jest równowazne wymuszaniu (zródlowanie) przeplywu dodatniego ladunku (pradu) do bramki pierwszego przelacznika. Anoda drugiego przelacznika jest po¬ laczona ze zródlem napiecia, które jest bardziej dodatnie niz potencjal anody pierwszego przela¬ cznika. Jesli drugi przelacznik jest w stanie wla¬ czenia, to potencjal bramki pierwszego przelacz¬ nika (równiez katody drugiego przelacznika) jest bardziej dodatni niz potencjal anody pierwszego przelacznika, a drugi przelacznik jest zdolny do¬ starczac wystarczajacy dodatni prad, tak ze pier¬ wszy przelacznik zostaje przelaczony do stanu za¬ blokowania, lub w nim pozostaje.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony w przykladach wykonania na rysunku, na którym fig, 1 przedstawia bramkowany przelacznik diodo- 20 & 35 40 50 55 60 65 dzielony od obydwu przez objetosciowe czesci kor¬ pusu 16. Rezystywnosci obszarów 18, 20 i 24 sa mniej¬ sze w porównaniu z rezystywnoscia czesci objeto¬ sciowych korpusu 16. Rezystywnosc obszaru 22 jest posrednia pomiedzy rezystywnoscia obszaru kato¬ dy 24 a rezystywnoscia objetosciowej czesci korpu¬ su 16.Elektrody 28, 30 i 32 sa przewodnikami, które daja niska rezystancje styku z powierzchnia cze¬ sci obszarów 18, 20 i 24. Dielektryczna warstwa 26 pokrywa powierzchnie glówna 11 tak, aby izolo¬ wac elektrody 28, 30 i 32 od wszystkich obszarów innych niz te którymi maja pozostawac w styku elektrycznym. Elektroda 36 zabezpiecza styk o nis¬ kiej rezystancji z podlozem 12 poprzez wysoko domieszkowany obszar 31, który jest tego samego typu przewodnictwa co podloze 12.Korzystnie, podloze 12 i korpus 16 sa wykonane z krzemu, a podloze 12 moze byc przewodnosci typu n lub typu p. Kazda z elektrod 28, 30 i 32 korzystnie czesciowo pokrywa pólprzewodni¬ kowy obszar, z którym tworzy styk o niskiej rezystancji. Elektroda 32 równiez czesciowo pokry¬ wa obszar 22, To czesciowe pokrywanie, które jest znane jako pokrywanie pola, pozwala na dzialanie wysokiego napiecia, poniewaz powoduje wzrost napiecia przy którym nastepuje przebicie.Wiele oddzielnych korpusów 16 moze byc for¬ mowanych na wspólnym podlozu 12, co zapewnia otrzymanie wiele przelaczników.Struktura 10 jest zazwyczaj wykorzystywana jako przelacznik charakteryzujacy sie niska impedancja przejscia pomiedzy obszarem anody 18 a obsza¬ rem katody 24 w stanie wlaczenia (przewodzenia) oraz wysoka impedancja pomiedzy tymi dwoma obszarami w stanie wylaczenia (blokowania). Napie¬ cie doprowadzone do obszaru bramki 20 determi¬ nuje stan przelacznika. Przewodzenie pomiedzy ob¬ szarem anody 18 a obszarem katody 24 wystepuje jesli potencjal obszaru bramki 20 jest nizszy od potencjalu obszaru anody l&i obszaru katody 24. W stanie wlaczenia dziury sa wstrzykiwane do korpu¬ su 16 z obszarem anody 18, a elektrony sa wstrzyki¬ wane do korpusu 16 z obszaru katody 241 Dziury i ele¬ ktrony moga byc w ilosciach wystarczajacych dla utworzenia plazmy, która moduluje przewodnoscic- wo korpus 16. To skutecznie zmniejsza rezystan¬ cje korpusu 16, tak ze rezyistancja pomiedzy obsza¬ rem anody 18 a obszarem katody 24 jest stosunko¬ wo mala, gdy struktura 10 znajduje sie w stanie -wlaczenia. Ten rodzaj pracy okreslany jest jako podwójne wstrzykiwanie nosników.Obszar 22 ogranicza przebicie skrosne warstwy zubozonej utworzonej podczas wpóldzialania obsza¬ ru bramki 20 i obszaru katody 24 i hamuje two¬ rzenie sie powierzchniowej warstwy inwersyjnej pomiedzy tymi dwoma obszarami. Ponadto powo¬ duje to, ze obszar bramki 20 i obszar katody 24 sa wzglednie scisle rozmieszczone przestrzennie. Za¬ pewnia to równiez wzglednie niska rezystancje po¬ miedzy obszarem anody 18 a obszarem katody 20 w stanie wlaczenia.Podloze 12 jest zwykle utrzymywane na najbar¬ dziej dodatnim mozliwym poziomie potencjalu.Przewodzenie pomiedzy obszarem anody 18 a ob-*127 058 *5 szarem katody 24 jest hamowane lub odciete, jesli potencjal obszaru bramki 20 jest znacznie bardziej dodatni niz potencjal obszaru anody 18, obszaru katody 24 i obszaru 22. Wartosc przekroczenia do¬ datniego potencjalu potrzebne do zahamowania lub odciecia przewodzenia jest funkcja geometrii i kon¬ centracji domieszek (domieszkowania) poziomów struktury 10.Dodatni potencjal bramki powoduje pionowy przekrój poprzeczny czesci korpusu 16 pomiedzy obszarem bramki 20 a czescia dielektrycznej war¬ stwy 14 ponizej tej, która ma byc zubozona, a po¬ tencjal tej czesci korpusu 16 ma byc bardziej do¬ datni niz potencjal obszaru anody 18, obszaru ka¬ tody 24 i obszaru 22. Dodatnia bariera potencjalo¬ wa powstrzymuje przewodzenie dziur od obszaru anody 18 do*obszaru katody 24. To skutecznie od¬ cina korpus 16 przy warstwie dieelektryka 14 po¬ nizej obszaru bramki 20 i siega w dól do warstwy dieelektryka 14. Sluzy to równiez do zbierania elek¬ tronów emitowanych w obszarze katody 24 zanim moga one osiagnac obszar anody 18. Stan bloko¬ wania (nieprzewodzenia) jest stanem wylaczenia.Na fig. 2 przedstawiono uklad sterujacy 210 (zamkniety w kwadracie ograniczonym linia prze¬ rywana), który jest polaczony z bramkowanym przelacznikiem diodowym GDS1, w rodzaju przed¬ stawionego na fig. 1, który ma zaciski anody, katody i bramki. Przelacznik GDS1 jest przedsta¬ wiony za pomoca elektronicznego symbolu, który zostal przyjety do oznaczania róznych odmian bramkowanego przelacznika diodowego.Uklad sterujacy 210 zawiera bramkowany przela¬ cznik diodowy GDS2, który równiez moze byc przelacznikiem typu przedstawionego na fig. 1, który ma zaciski anody, katody i bramki, uklad ponadto zawiera dwa ograniczniki pradu CLI, CL2, tranzystor n-p-n Ql, diody p-n- Dl, D2, D3, rezy¬ story Rl, R2, R3 i kondensator Cl. Anody diod Dl i D3 oraz pierwszy zacisk ogranicznika pradu CLI sa polaczone z zaciskiem 212. Kolektor tranzystora Ql jest polaczony z katoda diody D3 i zacis¬ kiem 211. Katoda diody Dl jest polaczona z bramka przelacznika GDS2 i zaciskiem 220. Baza tranzy¬ stora Ql jest polaczona do zacisku wejsciowego 216 przez diode D2. Emiter tranzystora Ql jest dola¬ czony do jednej koncówki rezystora Rl i zacis¬ ku 217. Druga koncówka rezystora Rl jest polaczo¬ na z zaciskiem 218 zródlem zasilania VSS. Drugi zacisk ogranicznika pradu CLI jest dolaczony do zródla zasilania +V1 i zacisku 214. Drugi ogranicz¬ nik pradu CL2 jest polaczony pierwszym zaciskiem z katoda przelacznika GDS2, bramka sterowaneigo przelacznika GDS1 oraz z zaciskiem 222. Drugi ogranicznik pradu CL2 jest dolaczony drugim za¬ ciskiem do zródla zasilania —V3 i do zacisku 228.Trzeci ogranicznik pradu CL3 jest polaczony pier¬ wszym swoim zaciskiem z zaciskiem 220, a drugim zaciskiem ze zródlem zasilania — V4 i zaciskiem 226.Trzeci ogranicznik pradu CL3 oraz zródlo zasila¬ nia —V4 sa dowolnie dobrane. Zródlo zasila¬ nia —V4 moze miec to samo napiecie jak zródlo VSS lub -V3.Anoda przelacznika GDS2 jest polaczona z kon¬ cówka rezystora R3 i zaciskiem 221. Druga kon- . cówka rezystora R3 jest polaczona z pierwsza kon¬ cówka rezystora R2, zaciskiem 223 oraz pierwszym zaciskiem kondensatora Cl. Druga koncówka rezy¬ stora R2 jest polaczona ze zródlem zasilania +V2 5 i zaciskiem 224. Drugi zacisk kondensatora Cl jest polaczony z zaciskiem 218. Zródlo zasilania +V1 jest tak dobrane, ze jego napiecie jest bardziej dodatnie niz napiecie zródla zasilania +V2.Polaczenie elementów Dl, D2, D3, Ql, CLI, Rl io i CL3 (na fig. 2 maly prostokat ograniczony przery¬ wana linia A) stanowi odgaleziony obwód sterowa¬ nia napieciowego i sluzy do ustalenia potencjalu zacisku 220 (zacisk bramki przelacznika GDS2, tak aby sterowac stanem przelacznika GDS2. Konden- 15 sator Cl i rezystor R3 sa odpowiednio dobrane. Bez tych elementów Cl i R3 zaciski 221 i 223 bylyby bez¬ posrednio polaczone ze soba. KondensatorCl sluzy jako ograniczone zródlo ladunku, zastosowane jako pomocnicze przy przelaczaniu przelacznika GDS1 20 do stanu zablokowania. Bez kondensatora Cl na¬ lezaloby zapewnic wiekszy prad stanu ustalonego, plynacy przez przelacznik GDS2 kiedy jest on; w stanie wlaczenia, aby zapewnic odpowiedni osia¬ galny prad, który moze byc dostarczony do bram- 25 ki przelacznika GDS1, aby ten przelacznik GDS1 wylaczyc.Zasada dzialania jest nastepujaca: Przyjmujac, ze zaciski anody i katody przelacznika GDS1 sa do- lazcone odpowiednio do napiec zasilajacych+220 i 30 —220 V, przewodzenie moze wystepowac pomiedzy anoda i katoda, jesli bramka (zacisk 222) jest mniej dodatnia niz napiecie +220 V. Przewodzenie zosta¬ je odciete (przerwane) z powodu wzrostu potencja¬ lu bramki (zacisk 222) powyzej +220 V i przez 35 zastosowanie zródla dodatniego pradu plynacego do bramki przelacznika GDS1 (zacisk 222). Przy +V1 = +280V, VSS = OV, +V2 = +250V, -V3 = .= —250V, — V4 = —250V, przy ogranicznikach pra¬ du CLI, CL2 i CL3 ograniczajacych prad plynacy ¦w przez nie odpowiednio do 50 \iA, 5fiA i 5 uA, uklad 210 jest zdolny zabezpieczyc potrzebne potencjaly na zacisku 222 i zródle pradu do zacisku 222, niez¬ bedne do sterowania stanem przelacznika GDS1, Kontrukcja ograniczników pradu jest opisana na 45 przyklad w publikacji „Sourcebook of Electronic Circuits", John Markus, McGraw-Hill Book Co.. 1968 str. 171.Przypominajac po pierwsze, jako juz niezbedne, ze aby umozliwic przewodzenie przez przelacznik 50 GDS1, do zacisku 216 doprowadza sie sygnal wej¬ sciowy o napieciu od zera do 0,4V. To powoduje polaryzacje odciecia tranzystora Qli,pozwala zacis¬ kowi 212 przyjac potencjal zblizony do napiecia + VI (w przyblizeniu +280V). Bez obecnosci CL3, dioda 55 Dl przewodzi w przeciwnym kierunku az do mo¬ mentu gdy zacisk 220 osiaga w granicach kilku dziesiatych czesci wolta potencjal zacisku 212 i wówczas przerywa przewodzenie.Przy obecnosci CL3 wystepuje przeplyw pradu eo od zródla zasilania +V1 przez CLI, Dl, CL3 do zródla zasilania —V4. CLI i CL3 sa tak dobrane, ze napiecie pojawiajace sie na zacisku 220, przy pola¬ ryzacji odciecia tranzystora Ql, jest na poziomie, który jest znacznie bardziej podatni niz napiecie w zródla zasilania +V2, Dla tego przypadku, zaciskmts& 226 podobnie przyjmuje potencjal bliski napieciu +28«V. W takich warunkach przelacznik GDS2 zostaje spolaryzowany do stanu zablokowania i wówczas izoluje zacisk 222 od zródla napie¬ cia +V2, Napiecie zacisku 222 spada z powodu ujemnego napiecia zródla zasilania —V3 (—250V), az do momentu gdy zlacze bramka-anoda prze¬ lacznika GDS1 zostaje spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Zacisk 222 ustala sie teraz na poten¬ cjale przylegania, ale nie wiekszym niz potencjal anody przelacznika GDS1. Odpowiednio, GDS1 jest spolaryzowany do stanu wlaczenia, a przewodzenie wystepuje pomiedzy anoda a katoda tego przelacz¬ nika. Prad przeplywajacy od anody do bramki GDS1 jest ograniczony przez CL2 do znikomej czesci pradu anoda-katoda, plynacego przez GDS1.Jesli przelacznik GDS2 znajdowal sie w stanie wlaczenia przed doprowadzeniem wejsciowego napiecia o poziomie 0—0,4V do zacisku 216, wtedy pozytywny prad plynie od zródla zasilania +V1, przez diode Dl do bramki przelacznika GDS2.CLI jest dobrany tak aby przepuszczal wiekszy prad niz ten, który przeplywa przez CL2, aby za¬ bezpieczyc, ze osiaga sie wystarczajacy dodatni prad doplywajacy do bramki przelacznika GDS2, tak aby odciac przewodzenie pomiedzy jego anoda a katoda. Tylko wzglednie mala wartosc pozyty¬ wowego pradu musi wplynac do bramki przelacz¬ nika GDS2, aby odciac jego przewodzenie, ponie¬ waz przewodzenie przez GDS2 jest tylko 5|iA.Tak wiec nie Jest konieczne stosowanie urzadzen wysoko-pradowych aby " zabezpieczyc niezbedny prad powodujacy przejscie przelacznika GDS2 do stanu wylaczenia.Potencjal zacisku 216 podnosi sie do poziomu 2—5V powodujac przelaczenie przelacznika GDS1 do stanu1 wylaczenia (zablokowania). Ten poziom napiecia wejsciowego polaryzuje tranzystor Ql w kierunku przewodzenia i pozwala na prace w nasyceniu. Potencjal zacisku 212 spada do na¬ piecia w przyblizeniu +1,6V (przyjmujac napiecie wejsciowe na zacisku 216 na poziomie 2V, napie¬ cie nasycenia zlacza kolektor-emiter na poziomie 0,3V dla tranzystora Ql, a spadek napiecia na dio¬ dzie D5 na poziomie 0,7V). Potencjal zacisku 212 w tym czasie jest funkcja poziomu napiecia wej¬ sciowego, napiecia nasycenia zlacza kolektor- emiter tranzystora Ql i spadku napiecia w kierunku przewodzenia diody t3. Bez obecnosci CL3, za¬ cisk 22fc dazy do wartosci przylegania równej na¬ pieciu +V2 lub bardziej ujemnego potencjalu z powodu uplywu przez diode I1. Potencjal za¬ cisku 280 nie moze spasc ponizej spadku napiecia na diodzie, ponizej potencjalu anody przelacznika GDS2, poniewaz dioda zlaczowa obejmujaca anode i bramke GDS2 zostaje spolaryzowana w kierunku przewodzenia i podciaga potencjal zacisku 2G. Przy obecnosci CL3^ zacisk 22fr jest szybko i aktywnie utrzymywany na wartosci przylegania do spadku na diodzie, porazej potencjalu anoefy przelacznika GBJS2. W kazdym przypadku, powoduje to prze¬ laczenie GD63 do* stanu wlaczenia. Tb powoduje, ze potencjal zacisku 222 jest równy napieciu +V2 minus spadek napifcia na rezystorach 113 i R2 oraz minus spadek napiecia w kierunku przewo¬ dzenia zlacza anoda-kafcoda przelacznika GOS2.Spadki napiec na rezystorach R£, Itt i praelaca- niku G0S2 sa tak dobrane, ze potencjal zacisku 222 jest bardziej dodatni niz potencjal anody 5 przelacznikaGDS1 o wartosc wystarczajaca do prze¬ laczenia GDS1 do stanu wylaczenia (zablokowania).Ponadto wystepuje wystarczajacy pozytywowy prad plynacy do bramki GDS1 aby przelaczyc przelacz¬ nik do stanu wylaczenia Zaraz po przelaczeniu io przelacznika GOSI przestaje plynac prad do jego bramki.Geometria i koncentracje domieszek przelacz¬ nika GDS1 okreslaja dokladnie o ile bardziej do¬ datni potencjal musi wystepowac na bramce wzgle- 15 dem anody i katody aby przelaczyc przelacznik GDS1.Nosniki mniejszosciowe (t.j. elektrony) emitowane przy katodzie GDS1 i zbierane przy bramce sta¬ nowia odpowiednik pozytywowego pradu plynacego 20 od +V2 przez R2, R3, GDS2 i do bramki (HMSl.Ten przeplyw pradu moze byc rzeczywisty, a w wyniku, konieczne jest wysoko-napieciowe i "pra¬ dowe urzadzenie takie jak GDS2 aby przelaczyc GDS1 do stanu wylaczenia. Wysoko-napieciowy 25 i wysoko-pradowy tranzystor w tym sterujacym ukladzie bylby nadmiernie kosztowny.Rezystory R2 i R3 ograniczaja przeplyw pradu od zródla +V2, przez przelacznik GDS2 do bramki przelacznika GDS1. Ponadto rezystor R3 ogranicza 30 przeplyw pradu od kondensatora Cl. To pomaga zabezpieczyc przed zniszczeniem GDS1* i/lub GDS2. W wielu telefonicznych zastosowaniach przelacznik GDS1 pracuje przy napieciu 48V po¬ miedzy anoda a katoda, w stanie wylaczenia, 50 jednakze mozliwe jest ze napiecie +220V wystepuje na anodzie i/lub katodzie, stosownie do dzwo¬ nienia, tekstowania, regulacji aparatów telefonicz¬ nych wrzutowych, a indukowane napiecie 60 Hz i odpowiednio obwód sterujacy 210 jest pfzeznaczo- 40 ny do blokowania tych wysokich napiec.Jesli Ql pracuje w nasyceniu, jego zlacze baza- kolektor jest potencjalnie spolaryzowane w kierun¬ ku przewodzenia. Dioda D3 sluzy do zabezpiecze¬ nia przeplywu pradu od wejsciowego zacisku 216, 45 przez zlacze kolektor-baza tranzystora Ql i naste¬ pnie przez diode Dl.Obwód z fig. 2 obejmujacy CL3, R2, R3 i Cl jest wykonany jako pojedynczy obwód scalony z GDS1 i GDS2, które sa typu przedstawionego na 50 fig. 1. Wytwarzane uklady sterujace zdolne sa do blokowania napiecia 500V pomiedzy anoda a ka¬ toda GDSI i odciecia (przerwania) pradu 100 mA.Jest to prad o wiele wiekszy niz móglby byc przepuszczany przez obwód sterowania napiecio*- 55 wego A elementami skladowymi latwo dostepnymi lub nadajacymi sie do wytwarzania ukladtów scalonych. Wartosc rezystancji rezystorów KI i H3 wynosi odpowiednio 1000 omów i 3000 omów, bez stosowania Cl i R2, przy czym K3 jest dolaczony 610 bezposrednio do zródla napiecia +T2. Cl i K2, jesli sa zastosowane, "redukuja czas potrzebny do przelaczenia GDSI ze stanu wlaczenia do stanu wylaczenia. Korzystna wielkoscia Cl jest 0,1 pF przy 111 = 1000 omów, HT-ZKIO6 omów, 55 a R3 ¦* 3000 omów,¦* K« 3i&. 3 przedstawiony jest uklad sterujacy 3tt, k%$ry jfcst potacsohy z bramkowanym przelaczni¬ kiem diodowym tifeKsl majacym za tod i bramki. tJklad sterujacy IM Jest podobny do ukladu 216 e fig. Z, z tym, &e diody ftl i DS sa wyeliminowane, a zastosowany jest pradowy uklad „zwierciadlany" zawierajacy tranzystory p-n-p <$2 i ^Cz&jaeymi, których bazy moga byc oznaczone Jako 4aCiski sterujace, a kolektory i emitery moga b#£ oznafcfeone odpowiednio jako pierwsze i drugie naciski wyjsciowe* Emitery tranzystorów Q2 i Q3 sa polaczone z za- Cwkiem IM i zródlem zasilania +V3i. Bazy tran¬ zystorów 4t'i 4M sa polaczone z kolektorem tran¬ zystora 4J£, pierwszym zaciskiem Ogranicznika pradu CL*t i ^Ciskiem li* Kolektor tranzystora 4£ je*rt pol^bny k bramka pniel^cznika GDS31 pte^Ws^m **Ciftktem Ogratticinika pradu CL33 i •ttcuMtien^^wodu 3*0. Wstystki* inne etementy SkladowefMen wiajemnepolaczenia sa podobne m^rM^ia^mnytht^ fig. 2.#Ofc#te*ie eletnentOw Btt, Q91, JUl, Q2, Q3, Otftl i €L9* (aainaCzone prostokatem ograniczo¬ nym pr**yw*na linia BJ jest o^uicaaae jako od- gaiationy' tibWGd stea*#ania napieciowego i jest pmeznacittmKdo ustawiania potencjalu aHfcisfcu 9i§, aby sterowal stanem przelacznika ODS92; Przy odpowiednio wysokim poziornle napicia (zwykle +* do +3V) dópróWadzdhegO dó zaci¬ sku 314! tranzystor 01 jest spolaryzowany W kie¬ runku przewodzenia i prad przeplyWa Od zródla zasilania ^Vll, przez Q2, CLSi* Qll, Mi do zródla zasilania VS#0. Tranzystory 02 i 03 sa rzeczywi¬ scie identyczne. Znanym jest, ze takie itolaczisenie Q2 i 03 zapewnia taki sant przeplyw pradu prz^z H*,j|afc ipfzezCja.Przy polaryzacji QM W Miertinku przewodzenia potencjal zacisku 3*0 jest równy po¬ tencjalowi zródla +V3l rhihtts napiecie fcolektór^e- nliter tranzystora Ol Przy niskim poz-ióniie wejscio¬ wego sygnalu M«, zostaje zablokowany tranzystor Q31 i prad przez ttlegtf rtie plynie. Wówczas nie przewodni foWriiez tranzystor Q3. Zacisk 320 jest dopfoWadzafty W przyblizeniu do potencjalu zródla —V34 az zla¬ cze anoda^bramka przelacznika GDS31 zOstaje spolaryzowane W kierunku przewodzenia, co po¬ woduje ze zacisk 32d przyjmuje potencjal bliski p$tgtic}&lOWi mnie) dodatniemu" niz potencjal zró¬ dla zasilania +V32. ftoteacjal +YI1 jest dobrany jako bardziej doda- m niz* potencja* +VZ2, a potencjal -V34 jest bar¬ dzie) ttjemny niz potencjal +V9L- Dzialanie prze- ftfcezftika 0&S31 sterujace stanem przelacznika 609H jes* takie samo jak to opisano W przypadku pttelaczrrik* G©W z fig. 3L Zródlo zasilania z lig 3 stosuja te same potencjaly co zródla zasilania przedstawione na fig. 1, co w ukladzie powoduje ulatwienie sterowania stanu przelacznika GDS31 napieciem ±21W na anodzie r/rub katodzie. Zmiana pfrteTECJahr zacisku 38fr powoduje, ze przelacznik GM£* dzlafcr w taki sam sposób jak przelacznik 4HM£2 z fig. I. Tak wiec stan G&S31 jest stero¬ wany w teii sato sposób jak ©»S* z fig. 2r, lecz przy przeciwnej polaryzacji sygnalu wejsciowego. 10 15 20 kóm*Hem%nfert*e trahzystoly ^Sl i t^2 lub *13 mofea stahdWiic taki sam obwód scalony jak 00532 przy fcfcydwfc sthtkttattMch ufermoWahych z zastoso¬ waniem dielektrycznej tóolacji.Nil fi*. 4 p«te«s!baWli(Wb dwukiferdhkbWy i^e- laczhlk l»jiWiera|^y ^ramteoWalife przelaczniki d«c^oWS4 i polaceOha jiest z katoda OB&4; katoda GDS3 po- laccfetta jest fc ahdda isMl, a bramki orzeczników sa p«dlaCzohfe. Zaleta tfcamfcoWanfcgb ^rifeliiicznika dittdttwe^o z fig. 1, te mttga tty^ lackie ptatefciw- r^whofóg»s dwa przeiafezhiki W ten sp&sob, ze niO- zna ciagife pWhosi€ Wysokie napija bez laWlhó- W&fr przebicia. Bramki GDS3 i 0*84 mbga byc pblafezblie z zaciskiem ttt sterlija^ego óbwbdU z fig. 2, lub z zaciskierh 9i2 t fig. 3, dla sterowania W sposób wcziesttiej Opisaity. Tak Wiefc stan G3ttS3 i GDS4 moze byc sterowany w ten sam sposób jak tlMl z fig. 2 i OW531 e fig. 3.MOzUwe sa rbwhie"* fdzhe rribdyfikafcje ukladu.Na grzyktód r^ihe ilinte Obwbdy sttSrfcjacfe rridga zastapi te przedstawione, dblaczbfce odpowietink) do bramek dtlSt i Ott&3 t fig. 2 i 3, aby zabez- Pie^cl^ pOzi^ttiy napieciowe i stterOWaiiie pradowe nietbedne dd sterowania stanem przelacznika. Po- ttidto trarttystOry rt^n moga »ye zastapidrie przez tritttzystOry p-ri^l, przy 2ap*WnieniU Odpowiedniej i^4flfTyza^r fe#del sasila^ac^h. Rezystory Rl i tUi rm$a by€ rezystorami prasoWanHrti. Emitery 01 iHti tttoga ty* odpowtHlfHt* polacfc«ne bezposred¬ nio z nepiaeidmi V«S i VsSO. W takim przypadku elementy ograniczaSlce prad, zwykle retystor móglby by€ wproW«tdzdny W *c£reg « odpowiedni¬ mi eeciskami wejsciowymi 21i i 916.Na fig: ^^rzedstawidrW Iriny przyklad wykonania ukladu ste?4tjatego 9M, któtjr jest dolaczony do zacisku bramki S» braTOktrWailegtf przelacznika diodowego OtteSi. Uklad sterujacy BH sluzy do sterowania s4attti GtiAti, a Obejmuje tranzystory MSI i 49*, diody 091 i i*9£* bramkoWariy przelacz¬ nik diodowy O0A5i, ogratttezftiki pradu €L91 i ttM Oraz rezystory Ml i R5L Elementy zam¬ kniete W prostokacie ograniczonym przerywana linia 5A sluza do sterowania potencjalu anotfa- katoda G0S52. Rezystor Rd£,jest niekonieczny i mozna go wyeliminowac.Przyjmujac, ze anoda i katoda GDS51 sa dola- czd«e ódpOWiedftio dO nalJi^ +%&V t -220¥, przewodzeitie' odbywa sia porm^ctey anoda a kato* da, jesli fcfcamfca GDS^I (zacisk 5S8) jest mniej dodatnur mi +2&V. Przewodzenie jest odciete (przerwane? przy W«o*exe p^fencja*st bramki pb- Wyaej +»2^V draz ptzck zaWe^iieczerfie zródla pra¬ du Wplywaj*fcgfl do bratnki (iacisk S2&) przelacz- nika ODSSt Pfzp naciach -+V« W.-+.2SW, tSS = # woltóW, -V92 = 2S0V i practóe ograni¬ czonym odpowiednio do 50fcA i 5(iA przez ogramezrri- fei€tóli€L2», uklad 510 zabezpiecza napicia na zar • cisku 528 i odpowiednia wydajnosc pcfadowa, niez¬ bedne do sterowania stanu przelacznika GDS51.Jeslt naieiy pbzwofóc na przewodzenie przez GB8&1, do zacisku wejsciowego 5*6 doprowadzany jest sygnal wejsciowy fr do 0,4V. To daje polaryza¬ cje odciecia tranzystora (grl,- a zacisk 51« przyj¬ muje potencjal: w przyblizeniu równy +V51. Ten 35 49 5« 55 69 6a11 127 058 12 Warunek daje polaryzacje odciecia tranzystora Q52 i wynikiem jest obwód otwarty pomiedzy zródlem +V51 a zaciskiem 526 (anoda GDS52). Tak wiec przelacznik GDS52 pozostaje w stanie wylaczenia dopóki nie plynie prad pomiedzy jego anoda a ka¬ toda. Przy stanie wylaczenia GDS52 zacisk 528 jest odseparowany od zródla +V51 i dazy do ujemnego potencjalu zródla —V52 (^250V) az potencjal zla¬ cza bramka-anoda spowoduje polaryzacje w kierun¬ ku przewodzenia przelacznika GDS51. Potencjal zacisku 528 podnosi sie do potencjalu nizszego, lecz bardzo bliskiego do potencjalu anody przelacznika GDS51. Odpowiednio, GDS51 jest spo¬ laryzowany do stanu wlaczenia i przewodzenie nastepuje pomiedzy anoda a katoda tego przelacz¬ nika. Prad plynacy od anody do bramki przelacz¬ nika GDS51 jest ograniczony przez ogranicznik CL52.Potencjal zacisku 516 wynosi teraz 3 do 5V. To powoduje przelaczenie GDS51 do stanu wylaczenia (zablokowania). Tranzystor Q51 jest spolaryzowany w kierunku przewodzenia i pracuje w nasyceniu.To powoduje, ze dioda D51 oraz zlacze emiter- baza tranzystora Q52 sa spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Tak wiec tranzystor Q52 jest spola¬ ryzowany w kierunku przewodzenia, a przeplyw pradu odbywa sie od -kV51 przez zlacze emiter- kolektor Q52, zlacze anoda-katoda GDS52 i CL52 do zródla —V52. Napiecie kolektor-emiter tran¬ zystora Q52 przy jego polaryzacji w kierunku prze¬ wodzenia ma nizsza wartosc-niz spadek napiecia na przewodzacej diodzie D52. To powoduje, ze potencjal anody (zacisk 526) jest bardziej dodatni niz potencjal bramki (zacisk 524), tak ze GDS52 pozostaje w stanie wlaczenia. Przy GDS52 znaj¬ dujacym sie w stanie wlaczenia, zacisk 528 przyj¬ muje napiecie bliskie poziomowi +V51. Ten po¬ ziom potencjalu jest istotnie bardziej dodatni niz poziom potencjalu na anodzie- GDS51, aby prze¬ laczyc GDS51 do stanu wylaczenia. Geometria oraz koncentracje . domieszek przelacznika GDS51 scisle determinuje o ile bardziej dodatni musi byc potencjal bramki wzgledem potencjalu anody, aby przelaczyc GDS51.Aby przelaczyc GDS51 do stanu wylaczenia ko¬ nieczne jest nie tylko doprowadzenie potrzebnego poziomu napiecia do bramki GDS51, ale ponadto nalezy wywolac przeplyw pradu do bramki GDS51 o wielkosci porównywalnej z wielkoscia pradu plynacego pomiedzy anoda a katoda GDS51. Wie¬ ksza czesc doplywajacego do bramki GDT51 pradu plynie od zródla+V51, przez D52, a nastepnie przez bramke i katode GDS52. Reszta plynie od zródla ¦fV51 przez zlacze kolektor-emiter Q52 i nastepnie przez zlacze anoda-katoda GDS52. Ten pszeplyw pradu moze byc znaczny i w< rezultacie nalezy dy¬ sponowac urzadzeniem w^soko-napiediowym i pra¬ dowym, takim jak GDS52, aby przelaczyc GDS51 do stanu wylaczenia.^Wzmocnienie pradowe Q52 sluzy do ograniczenia przeplywu pradu do bramki GDS51 od GDS52.To zapewnia zabezpieczenie przez przepaleniem GDS51 i/lub GDS52. W wielu telefonicznych za¬ stosowaniach przelacznik GDS51 pracuje przy na¬ pieciu 48 V pomiedzy anoda a katoda w stanie wylaczenia, jednakze mozliwe jest ze wystepuje na anodzie i/lub katodzie napiecie ±220V niez¬ bedne do dzwonienia i indukowanego napiecia 60 Hz, a odpowiednio, uklad 510 jest zaprojekto- 5 wany do blokowania tych wysokich napiec.Na fig. 6 przedstawiono uklad sterujacy 610, który jest dolaczony do zacisku bramki bramko¬ wanego przelacznika diodowego GDS61. Uklad sterjacy 610 jest podobny do ukladu sterujacego 10 510 z fig. 5, za wyjatkiem dodatkowych tranzysto¬ rów n-p-n Q63 i Q64 oraz diod p-n D63 i D64.Tranzystory Q63 i Q64 polaczone sa w ukladzie Darlingtona, ze wspólnym kolektorem dolaczonym do zacisku 620, a emiter Q63 jest polaczony z baza 15 Q64 i zaciskiem 634. Kolektor Q62 jest polaczony z baza Q63 i zaciskiem 632. Emiter Q62 jest po¬ laczony z zaciskiem 620. Emiter Q64 jest polaczo¬ ny z anoda GDS62 i zaciskiem 626. Diody D62 D63 i D64 sa polaczone szeregowo pomiedzy zacis- 20 kami 620 i 624, przy czym anoda D62 jest pola¬ czona z zaciskiem 620, a katoda D64 z zacis¬ kiem 624. Elementy Q61, CL61, D61, Q62, Q63, Q64, D62, D63, D64, R81 i R62 stanowia sterujacy obwód odgalezny (zawarty w prostokacie ograni- 25 czonym linia przerywana 6A), który sluzy do re¬ gulacji napiecia anody GDS20 wzgledem napiecia katody. Rezystor R62 nie jest niezbedny i moze byc wyeliminowany.W pewnych technologiach pólprzewodnikowych 30 trudno jest uzyskac tranzystor p-n-p o duzym wzmocnieniu pradowym. Polaczenie tranzystorów Q62, Q63 i Q64 stanowi równowaznik tranzystora p-n-p, który charakteryzuje sie wzglednie wyso¬ kim wzmocnieniem pradowym. W ten sposób tran- 33 zystcwry Q62, Q63 i Q64 spelniaja te sama funkcje co tranzystor Q62 z fig. 5. Diody D63 i D64 sa potrzebne aby przesunac dodatkowe spadki napiec emiter-baza tranzystorów Q63 i Q64. Gdy tran¬ zystory Q62, Q63 i Q64 sa spolaryzowane przewo- 40 dzaco, napiecie bramki przelacznika GDS62 (za¬ cisk 624) jest mniej dodatnie niz napiecie anody tego przelacznika (zacisk 626.) To pomaga w za¬ bezpieczeniu, ze przelacznik GDS62 pozostaje w stanie wlaczenia. 45 Uklad wedlug fig. 6, wylaczajac rezystor R62, zostal skonstruowany i zbadany. Ten uklad ste¬ rujacy 610 pozwala na blokowanie napiecia 500 V na anodzie i katodzie GDS61 i na odcinanie (prze¬ rywanie) pradu plynacego przez ten przelacznik 50 o natezeniu 100 mA.Przyklady opisane przedstawiaja glówne idee rozwiazania wedlug wynalazku. Mozliwe sa rózne modyfikacje zgodne z istota wynalazku. Na przy¬ klad inne urzadzenia przelaczajace, takie jak tran- 55 zystory MOS, moga byc zastosowane zamiast tranzystorów bipolarnych, zas dostarczane napiecia odpowiedniej wartosci i polaryzacji dostosowuje sie w znany sposób. 69 Zastrzezenia patentowe 1. Uklad sterujacy bramkowanego przelacznika diodowego, który to sterowany przelacznik glówny stanowi strukture pólprzewodnikowa, której czesc objetosciowa korpusu ma wzglednie wysoka rezy- 85 stywnosc, przy czym w korpusie utworzony jest127 058 ii pierwszy obszar o przewodnictwie pierwszego typu i wzglednie niskiej rezystywnosci, drugi ob¬ szar o przewodnictwie drugiego typu, przeciwnym do przewodnictwa pierwszego obszaru oraz obszar bramki o przewodnictwie drugiego typu, które 5 to obszary pierwszy i drugi oraz obszar bramki sa wzajemnie oddzielone od siebie przez czesc objetosciowa pólprzewodnikowego korpusu, ponad¬ to obszary pierwszy i drugi sa dolaczone do za¬ cisków wyjsciowych przelacznika glównego, przy io czym po doprowadzeniu pierwszego napiecia do obszaru bramki, w korpusie pólprzewodnikowym wystepuje obszar zubozony, zabezpieczajacy przed przeplywem pradu pomiedzy obszarami pierwszym i drugim, a po doprowadzeniu do obszaru bramki 15 drugiego napiecia i przy doprowadzonych odpowied¬ nich napieciach do pierwszego i drugiego obszaru, pomiedzy tymi obszarami pierwszym i drugim wystepuje przeplyw pradu przy wzglednie niskiej rezystancji w wyniku podwójnego wstrzykiwania 20 nosników, znamienny tym, ze zawiera pomocniczy bramkowany przelacznik diodowy (GDS2, GDS52, GDS62) ^takiego rodzaju jak przelacznik glówny (GDS1, GDS31, GDS51, GDS61), przy czym obszar katody przelacznika pomocniczego (GDS2, GDS32, GDS52, GDS62) polaczony z zaciskiem wyjsciowym (222, 322, 528, 628) ukladu sterujacego (210, 310, 510, 610) jest dolaczony do obszaru bramki stero¬ wanego przelacznika glównego (GDS1, GDS31, GDS51, GDS61), a obszar bramki przelacznika po¬ mocniczego (GDS2, GDS32, GDS52, GDS62) dola¬ czony jest do wyjscia (220, 320, 524, 624) obwodu sterowania napieciowego (A, B, 5A, 6A), ponadto zacisk wyjsciowy (222, 322, 528, 628) ukladu ste¬ rujacego jest polaczony z pierwszym zródlem 34 ujemnego napiecia (-V3, -V33, -V52, -V62) po¬ przez ogranicznik pradu (CL2, CL32, CL52, CL62), ograniczajacy natezenie maksymalnego pradu ply¬ nacego przez przelacznik pomocniczy (GDS2, GDS32, GDS52, GDS62) do wartosci mniejszej od 49 natezenia maksymalnego pradu plynacego przez przelacznik glówny (GDS1, GDS31, GDS51, GDS61). 14 25 30 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze. obwód sterowania napieciowego (A) zawiera element przelaczajacy (Ql), którego wyjscie (211) jest polaczone z wyjsciem sterujacym obwodu sterowania napieciowego (A) oraz polaczone z pier¬ wszym zródlem dodatniego napiecia (+V1) po¬ przez drugi ogranicznik pradu (CLI), przy czym pierwszy ogranicznik pradu (CL2) ogranicza prad do znacznie mniejszej wartosci niz drugi ogra¬ nicznik pradu (CU). 3. Uklad wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze element przelaczajacy (Ql) stanowi tranzystor zlaczowy, którego kolektor stanowi wyjscie (211), a emiter poprzez rezystor (Rl) dolaczony jest do zródla zasilania (VSS), do którego poprzez konden¬ sator (Cl) jest równiez dolaczony wspólny punkt (223) szeregowego polaczenia dwóch rezystorów (R2, R3), poprzez które obszar anody przelacznika pomocniczego (GDS2) polaczony jest drugim zró¬ dlem dodatniego napiecia (+V2), które to napiecie drugiego zródla (+V2) jest mniej dodatnie niz napiecie pierwszego zródla (+V). 45 50 55 60 60 4. Uklad wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze¬ wyjscie (220) obwodu sterowania napieciowego (A) jest poprzez trzeci ogranicznik pradu (CL3) pola¬ czone z drugim zródlem ujemnego napiecia (—V4) a z kolektorem tranzystora (Ql) poprzez pierwsza diode (Dl) i trzecia diode (D3), przy czym baza tego tranzystora (Ql) jest polaczona z wejsciowym zaciskiem (216) poprzez druga diode (D2). 5. Uklad wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze pierwsza dioda (Dl) ma swoja katode polaczona z bramka pomocniczego przelacznika (GDS2), a anode ma polaczona z anoda trzeciej diody (D3), której katoda jest polaczona z kolektorem tranzy¬ stora przelaczajacego (Ql). 6. Uklad wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze anoda drugiej diody (D2) stanowi zacisk wejscio¬ wy ukladu (216), a katoda tej diody (D2) polaczo¬ na jest z baza tranzystora przelaczajacego (Ql). 7. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym ze obwód sterowania napieciowego (B) zawiera dwa elementy przelaczajace (Q2, Q3), których jedne wyjscia polaczone sa w zacisku wyjsciowym (314) dolaczonym do zródla dodatniego napiecia (+V31), a drugie wyjscie pierwszego elementu przelaczaja¬ cego (Q2) wraz z wejsciami sterujacymi obydwu elementów przelaczajacych (Q2, Q3) polaczone sa z ogranicznikiem pradu (CL31), przy czym drugie wjscie (320) drugiego elementu przelaczajacego (Q3) jest polaczone z bramka glównego bramkowanego przelacznika diodowego (GDS32). 8. Uklad wedlug zastrz. \ znamienny tym, ze obwód sterowania napieciowego (5A) zawiera dwa elementy przelaczajace (Q51, Q52), przy czym zacisk sterujacy pierwszego elementu przelaczajacego (Q51) stanowi wejsciowy zacisk ukaldu (516), a zacisk sterujacy (518) drugiego elementu przelaczajace¬ go (Q52) polaczony jest z pierwszym zaciskiem wyjsciowym (512) pierwszego elementu przelacza¬ jacego (Q51) poprzez ogranicznik pradu (CL51), a ponadto pierwszy zacisk wyjsciowy (526) jest po¬ laczony z obszarem anodowym pomocniczego bramkowanego przelacznika diodowego (GDS52), a drugi zacisk wyjsciowy (520) drugiego elementu przelaczajacego (Q52) jest polaczony ze zródlem do¬ datniego napiecia (+V51) i jednoczesnie z galezia przesuwania poziomu (D52), której drugi zacisk (524) polaczony jest z bramka pomocniczego bramkowa¬ nego przelacznika diodowego (GDS52). 9. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze obwód sterowania napieciowego (6A) zawiera pierwszy element przelaczajacy, który stanowi tranzystor n-p-n (Q61) oraz drugi element przela¬ czajacy stanowiacy polaczenie tranzystora p-n-p (Q62), drugiego tranzystora n-p-n (Q63) i trzeciego tranzystora n-p-n (Q64), przy czym kolektor pier¬ wszego tranzystora n-p-n (Q61) jest polaczony z ba¬ za tranzystora p-n-p (Q62), kolektor tranzystora p-n-p (Q62) jest polaczony z baza drugiego tranzy¬ stora n-p-n (Q63), emiter drugiego tranzystora n-p-n (Q63) jest polaczony z baza trzeciego tran¬ zystora n-p-n (Q64), emiter trzeciego tranzystora n-p-n (Q64) jest polaczony z obszarem anody po¬ mocniczego bramkowanego przelacznika diodowe- wego (GDS62), a ponadto zacisk wyjsciowy (620) drugiego elementu przelaczajacego jest dolaczony127 058 15 ¦¦» do zródla dodatniego napiecia (+ V61) i jednoczes- D64), przy czym katoda pierwszej diody jest pola- nie z galezia przesuwania poziomu, która zawie- czona z anoda drugiej diody, a katoda drugiej ra trzy polaczone szeregowo diody p-n (D62, D63, diody z anoda trzeciej.FIG. I 36 34 _ ,llf26 1% „„ „30 32 24 Sil M i '.» 26 <" 20 \ 18 26 ,11 20 V 26 ,11 /ra* r 212- /7fi5 GOS5I FIGA ISl 53oJ-V5g] 522-ivss HAN* /TE 5 £!Q.FIG. 3 KITOM GD56I Mit* LZGraf. Z-d Nr 2 — 391/86 95 egz. A4 Cena 100 fi PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL