PL171855B1 - Sposób wytwarzania powłok z wysokotemperaturowego nadprzewodnika - Google Patents

Abstract

1. Sposób wytwarzania powłok z wysokotemperaturowego nadprzewodnika przez pokrywanie podłoży warstwami nadprzewodzącymi z temperaturą krytyczną większą niż 30 K przez wykonanie proszku z materiału wyjściowego oraz wykonania warstwy na podłożu, znamienny tym, że wprowadza się proszek materiału wyjściowego w obszar rozchodzenia się fali uderzeniowej powstałej ze spalania gazowej mieszanki detonacyjnej, gdzie ulega on nagrzaniu i rozpędzeniu i skierowanie go na podłoże, a następnie wygrzewa się warstwy w podwyższonej temperaturze do uzyskania struktury i własności nadprzewodnikowych warstwy o temperaturze krytycznej większej niż 30 K.

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania powłok z wysokotemperaturowego nadprzewodnika na różnorodnych podłożach i wielkiej powierzchni.

Nadprzewodnictwo zwykle definiowane jest jako całkowity zanik oporu elektrycznego materiału poniżej pewnej charakterystycznej dla danego materiału temperatury. Stan nadprzewodnictwa stwierdzoni w wielu metalach, ich stopach oraz związkach. W praktyce zjawisko nadprzewodnictwa można wykorzystać w konstrukcji energetycznych linii przemysłowych, szybkich elementach przełączających (złącza Josephson’a), ekranach magnetycznych i tym podobnych. Pomimo wielu atrakcyjnych możliwości zastosowania, większość znanych nadprzewodników charakteryzuje się bardzo niską temperaturą przejścia w stan nadprzewodnictwa. Temperatura ta zwana temperaturą krytyczną na przykład dla związku NbiGe wynosi około 23 K.

W publikacji J.G.Bednorz i K.A.Muller, Z.Phys. B64 str. 189 (1986 r.), opisali związek tlenków miedzi, baru i lantanu (La-Ba-Cu-O) charakteryzujący się temperaturą krytyczną powyżej 30 K.

Następnie opisano związek YiBa2Cu307-x, którego temperatura krytyczna wynosi 93 K, w publikacji M.K.Wu i inni, Phys.Rev.Lett. 58, str. 908 (1987 r.). Ponadto dokonano odkrycia kolejnych substancji charakteryzujących się coraz wyższą temperaturą krytyczną: Bi-Ca-Sr-CuO z temperaturą krytyczną 110 K, T12Ca2Ba2CusOio z temperaturą krytyczną 125 K, oraz Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O z temperaturą krytyczną równą 132 K.

Wszystkie nadprzewodniki z temperaturą krytyczna wyższą niż 30 K zwane są nadprzewodnikami wysokotemperaturowymi. Wymienione powyżej nadprzewodniki wysokotemperaturowe zalicza się do grupy tzw. miedziowców dziurowych. Nośnikami ładunku w tych materiałach w temperaturach wyższych od temperatury krytycznej są dziury.

Z polskiego opisu patentowego nr 152 290 znany jest materiał zaliczany do nadprzewodników wysokotemperaturowych oraz sposób jego wytwarzania.

171 855

Materiał ma skład nominalny wyznaczony wzorem:

L2-x(AyB_z)CudOfd w którym x=0,1-1,0<y< 1,0<z< 1, d= 1 lub 2, f=3-6, d=0,01-3, L-pierwiastek wybrany z III grupy układu okresowego, korzystnie La, Y, Sc lub Lu, A i B są jednakowe lub różne i oznaczają pierwiastki wybrane z II grupy układu okresowego, korzystnie Sr, Ba lub Ca.

Znane są także materiały będące nadprzewodnikami wysokotemperaturowymi z opisu patentowego nr EP 0292340A1. W tym opisie patentowym podano następujący skład materiału nadprzewodnikowego:

A_nBvC_wD_xE_y gdzie: A jest pierwiastkiem z grupy IIa lub IIIa układu okresowego; B jest pierwiastkiem z grupy IIa lub IIIa układu okresowego; C jest przynajmniej jednym pierwiastkiem z grupy zawierającej wanad (V), tantal (Ta), niob (Nb), chrom (Cr), gal (Ga), ind (In), kadm (Cd), cynę (Sn), tal (Tl), ołów (Pb), molibden (Mo), wolfram (W), cynk (Zn); D jest pierwiastkiem z grupy Ib lub IIb lub IIIb lub VIII układu okresowego; E jest przynajmniej jednym pierwiastkiem z grupy zawierającej tlen (O), bor (B), węgiel (C), azot (N), fluor (F), siarkę (S).

Omawiane materiały nadprzewodnikowe wysokotemperaturowe wykonywane są zwykle w postaci spieków, charakteryzujących się znaczna kruchością. Aby uzyskać materiał nadprzewodnikowy wysokotemperaturowy w postaci nadającej się do praktycznego zastosowania wykorzystuje się różne sposoby nanoszenia warstw, takie jak elektroosadzanie podane w opisie patentowym USA nr 4870051, naparowanie próżniowe podane w Europejskim opisie patentowym nr 0326087 A3, nakładanie past ujawnione w Europejskim opisie patentowym nr 0284088 A3, nakładanie plazmowe podane w Europejskim opisie patentowym nr 0288711 A3.

W wielu zastosowaniach takich jak na przykład wytwarzanie ekranów magnetycznych celowe jest wykorzystanie sposobu umożliwiającego szybkie i wydajne pokrycie dużych powierzchni o złożonych kształtach.

Sposób wytwarzania powłok nadprzewodzących zgodnie z wynalazkiem zawiera dwa etapy: pierwszy to nakładanie metodą gazodetonacyjną powłok o składzie nadprzewodnika wysokotemperaturowego i strukturze amorficznej lub drobnokrystalicznej, drugi to wygrzewanie prowadzące do rekrystalizacji, która daje strukturę nadprzewodzącą.

Materiał wyjściowy w postaci spieku tlenków, węglików, lub azotków metali o właściwie dobranych proporcjach jest proszkowany do wymiarów cząstek 1 gm - 80 gm. Zalecane jest ograniczenie rozrzutu wymiarów cząstek. Proszek jest następnie przenoszony do obszaru rozchodzenia się fali uderzeniowej detonującej mieszaniny gazowej gdzie jest nagrzewany i rozpędzany w kierunku pokrywanego podłoża. Podłoże pokrywa się warstwą o grubości od 1 gm do 2000 gm. Warstwa pokrycia po nałożeniu na podłoże uzyskuje strukturę amorficzną lub drobnokrystaliczna. Następnie warstwę poddaje się procesowi obróbki termicznej w celu uzyskania właściwości nadprzewodzących.

Materiał wyjściowy przygotowuje się w postaci spieku tlenków, azotków, węglików, borków lub fluorków metali o ogólnym wzorze A_xB_yC_zDn, gdzie:

A - przynajmniej jeden pierwiastek z grupy la, IIa, IIIb układu okresowego,

B - przynajmniej jeden pierwiastek z grupy Ib, IIb, IIIa układu okresowego,

C - przynajmniej jeden pierwiastek z grupy zawierającej wanad, niob, tal, chrom, gal, ind, kadm, cynę, tal, ołów, molibden, walfram, cynk, bizmut,

D -przynajmniej jeden pierwiastek z grupy zawierającej tlen, fluor, azot, węgiel, brom, siarkę, przy czym: 0<xŁ2;0<yŁ 2;

z - przyjmuje wartości od 0 do 2, n - przyjmuje wartości od 1 do 8, przy czym jako A korzystnie stosuje się kombinację wapnia, strontu, baru, itru, lantanu; jako B - kombinację miedzi i srebra; jako C - kombinację ołowiu i bizmutu; jako D - tlen.

171 855

Otrzymany spiek poddaje się wygrzewaniu w temperaturze 450-950°C w czasie od 10 do 800 minut w atmosferze zawierającej pierwiastek D. W szczególności gdy otrzymany spiek jest materiałem tlenkowym wygrzewanie korzystnie prowadzi się w atmosferze zawierającej tlen. Wytworzony w ten sposób materiał posiada cechy nadprzewodnika wysokotemperaturowego.

Otrzymany w powyższy sposób spiek następnie rozdrabnia się do postaci proszku o wymiarach ziaren od 1 pm do 80 pm. Korzystnie wyselekcjonowuje się frakcję z możliwie małym rozrzutem wymiarów ziaren. Proszek małymi porcjami podawany jest do obszaru rozchodzenia się fali uderzeniowej powstałej na skutek spalania gazowej mieszanki detonacyjnej. Skład gazowej mieszanki detonacyjnej określa się ogólnym wzorem:

XO2 + YH₂ + ZE + UG

O2 - tlen; H 2 - wodór; E - co najmniej jeden związek z grupy zawierającej acetylen, propan-butan, etan, tlenek węgla; G - co najmniej jeden gaz z grupy zawierającej azot, argon, hel. Proporcje składników mieszanki detonującej opisują zależności:

0,1 < X / (Y+Z) < 0,9;

O Ł Y / (Y+Z) Ł 1;

O Ł U / (X+Y+Z) Ł 0,8.

Oddziaływanie fali uderzeniowej na proszek powoduje zarówno nagrzewanie go do temperatury mogącej wywołać lokalne powierzchniowe nadtopienie materiału, jak i nadaje mu przyspieszenie w kierunku pokrywanego podłoża. Detonacyjny sposób nakładania warstw ma charakter impulsowy i zwykle wymaga wielokrotnego powtarzania cyklu dozowania proszku i rozpędzania go w fali uderzeniowej aby uzyskać pokrycie o wymaganej grubości.

Powtarzanie procesów nakładania zachodzi z częstotliwością nie mniejszą niż 1 Hz. Uzyskane pokrycie ma strukturę silnie rozdrobnioną amorficzną lub drobnoksystaliczną. Wygrzewanie warstw wraz z podłożem prowadzi sie w atmosferze zawierającej pierwiastek D zastosowanego związku nadprzewodzącego. W szczególności gdy nadprzewodnik jest materiałem tlenkowym wygrzewanie prowadzi się w atmosferze zawierającej tlen w ilości od 20 do 100%. Korzystne jest zastosowanie helu jako składnika mieszanki gazowej przy wygrzewaniu. Korzystne jest zastosowanie wstępnego wygrzewania w atmosferze obojętnej w temperaturze od 450 do 1050°C. Wygrzewanie właściwe prowadzi się w temperaturze z zakresu 850-1010°C w czasie od 5 do 400 minut. Po wygrzewaniu warstwa wraz z podłożem jest powoli studzona. Szybkość studzenia utrzymywana jest w garnicach od 30 do 600°C/h.

Korzystnie jest jeżeli warstwa jest nakładana na długą taśmę metaliczną przesuwaną w czasie nakładania.

Korzystnie jest jeżeli warstwa nakładana jest na powierzchnię boczną rurki o dowolnym przekroju przesuwanej i/lub obracanej w czasie pokrywania.

Korzystnie jest jeżeli warstwa nakładana jest na długą taśmę metaliczną w miejscu jej zgięcia w czasie nawijania na rdzeń kształtowy tworząc element o licznych zwojach.

Warstwa wytworzona w sposób zgodny z wynalazkiem posiada strukturę oraz własności nadprzewodnika wysokotemperaturowego. Ponadto odznacza się dobrym związkiem z podłożem.

Warstwa wytworzona w opisany powyżej sposób dzięki silnemu rozdrobnieniu w procesie nakładania rekrystalizuje w czasie wygrzewania dając materiał o wysoce jednorodnej strukturze z bardzo dobrze związanymi ziarnami. Własności elektryczne tak wytworzonych warstw w temperaturach poniżej temperatury krytycznej są zwykle lepsze niż nadprzewodnika o analogicznym składzie wytworzonego metodą wielokrotnego mielenia 1 spiekania składników wyjściowych.

Sposób wytwarzania warstw z nadprzewodnika wysokotemperaturowego będący przedmiotem wynalazku umożliwia wytwarzanie powłok nadprzewodzących na elementach o złożonych kształtach i wymiarach nie ograniczonych metodą poprzez odpowiednie ustawianie,

171 855 przesuwanie względem siebie pokrywanego podłoża i strumienia cząstek pokrycia rozpędzonych falą detonacyjną.

W praktyce metoda będąca przedmiotem wynalazku umożliwia wytworzenie następujących praktycznie użytecznych wyrobów:

wielkowymiarowych paneli pokrytych powierzchniowo warstwą nadprzewodnika wysokotemperaturowego;

długich taśm, rurek z pokryciem oraz elementów wielozwojowych.

Sposób według wynalazku zostanie bliżej wyjaśniony w przykładzie wykonania.

W praktyce przemysłowej metoda gazodetonacyjnego nanoszenia pokryć jest znana i stosowana, a jej opis można znalezć w publikacjach: R.F.Bunshah i inni, Deposition Technologies for Films and Coatings. Noyes Publications, Parkridge, New Jersey, 1982; James H.Clare i inni, Metals Handbook, 9,1-T'd. Vol. 5, publ. American Soc. Met. Metals Park, Ohio, 1982.

Przykład I. Kompozycję Y2O3, BaCO3 i CuO w proporcjach wagowych 1:4.7:3.2 dokładnie wymieszano oraz wygrzano w temperaturze 900°C przez 600 minut w tlenie. Otrzymany spiek rozdrobniono i przesiano uzyskując proszek o granulacji 20-60 pm. Proszek ten nałożono na podłoże metodą gazodetonacyjną to znaczy: wprowadzono małymi porcjami w obszar rozchodzenia się fali uderzeniowej powstałej ze spalania mieszanki detonacyjnej i rozpędzony skierowano na pokrywane podłoże. Podłożem była płytka płaska z AI2O3. Gazowa mieszanka detonacyjna miała skład: 72% O2, 18% C2H2, 10% N2.

Otrzymano warstwę o grubości 150 pm dzięki 60 krotnemu powtarzaniu procesu nakładania z częstotliwością 6 Hz na każdy punkt podłoża. Warstwę tę wygrzewano w temperaturze 950°C przez 180 minut w powietrzu. Studzenie prowadzono z szybkością 60°C/h.

Uzyskano warstwę bardzo dobrze związaną z podłożem charakteryzującą się temperaturą krytyczną przejścia w nadprzewodnictwo wynoszącą 87 K.

Przykład II. Kompozycję Y2O3, BaCO3 i CuO w proporcjach wagowych 1:4.7:3.2 wymieszano oraz wygrzano w temperaturze 900°C przez 600 minut w tlenie. Otrzymany spiek rozdrobniono 1 przesiano uzyskując proszek o granulacji 10-20pm. Proszek ten wprowadzano małymi porcjami do obszaru rozchodzenia się fali uderzeniowej powstałej ze spalania mieszanki detonacyjnej o składzie: 72% O2, 18% H2, 10% C2H2 (Metoda gazodetonacyjna). Rozpędzony proszek kierowano na podłoże z Ak O 3 o kształcie płaskiej prostokątnej płytki. Podłoże studzono wodą od przeciwnej strony w trakcie procesu nakładania. Warstwę wytworzono powtarzając 80 razy impulsy nakładające z częstotliwością 10 Hz na każdy punkt podłoża. Powstała warstwa miała grubość 150 pm. Warstwa wygrzewano w temperaturze 980°C w argonie w czasie 1 h po czym warstwę wygrzewano w temperaturze 950°C w tlenie w czasie 1 h, a następnie studzono w tlenie z szybkością 6°C/min.

Uzyskano warstwę o bardzo jednorodnej strukturze charakteryzującą się temperaturą krytyczna przejścia w nadprzewodnictwo wynoszącą 87 K.

Przykład III. Kompozycję Y2 O 3, BaCCk, CuO wymieszano w proporcjach wagowych 1:4.7:3.2 oraz wygrzano w temperaturze 900°C przez 600 minut w powietrzu. Otrzymany spiek rozdrobniono i przesiano uzyskując proszek o granulacji 5-10pm. Proszek ten wprowadzono małymi porcjami do obszaru rozchodzenia się fali uderzeniowej uzyskanej ze spalania mieszanki detonacyjnej o składzie 60% O2, 20% H2. 20% N2. Rozpędzony proszek kierowano na podłoże w postaci płytki niklowej. Płytkę nagrzano do temperatury 400°C i przesuwano w trakcie procesu nakładania. Warstwę wytworzono powtarzając 100 razy impulsy nakładające z częstotliwością 10 Hz na każdy punkt podłoża. Powstała warstwa miała grubość 100 pm. Warstwę wygrzano w temperaturze 450°C w powietrzu przez 200 minut a następnie w 930°C przez 60 minut w tlenie. Warstwę studzono z szybkością 12°C/min.

Uzyskano warstwę o jednorodnej strukturze dobrze związaną z podłożem charakteryzującą się temperaturą krytyczną wynoszącą 95 K.

Przykład IV. Mieszaninę Y2O3, BaCCb i CuO w proporcjach wagowych 1:5:4.1 o granulacji 3-5 pm wprowadzono małymi porcjami do obszaru rozchodzenia się fali uderzeniowej uzyskanej ze spalania mieszanki detonacyjnej o składzie 80% O2, 20% C2H2. Rozpędzony proszek kierowano na długą taśmę niklową.

171 855

Taśmę niklową przesuwano w trakcie procesu. Warstwę o grubości 50μιη uzyskano powtarzając z częstotliwością 6 Hz 80 razy impulsy nakładające na każdy punkt podłoża. Warstwę wygrzano w tlenie w temperaturze 910°C w czasie 30 minut, czas rozgrzania 10 minut, po czym studzono w tlenie z szybkością 3°C/min.

Uzyskano ciągłą dobrze związaną z podłożem warstwę nadprzewodzącą w temperaturach niższych niz temperatura krytyczna wynoszącą 95 K.

Przykład V. Mieszaninę Y2O3, BaCC3, CuO wymieszano w proporcjach wagowych

1.4.7.3.2 oraz wygrzano w temperaturze 900°C przez 600 minut w powietrzu po czym rozdrobniono 1 przesiano uzyskując proszek o granulacji 20-40μπι. Proszek ten wprowadzono małymi porcjami do obszaru rozchodzenia się fali uderzeniowej uzyskanej ze spalania mieszanki detonacyjnej o składzie 60% O 2, 20% H2. 20% N 2. Rozpędzony proszek kierowano na podłoże w postaci rurki niklowej. Rurkę w czasie nakładania obracano oraz przesuwano wzdłuż osi. Przesuw i obroty rurki dobrano tak aby przy częstotliwości impulsów nakładających warstwę 6 Hz uzyskać około 10 impulsów na każdy punkt powierzchni. Uzyskaną warstwę o grubości około 10 μm wygrzano wraz z podłożem w temperaturze 930°C przez 60 minut w tlenie i studzono z szybkością 30°C/min.

Uzyskano wyrób w postaci rurki niklowej pokrytej warstwą nadprzewodzącą w temperaturach niższych niż temperatura krytyczna 95 K.

Przykład VI. Mieszaninę Y2O3, BaCO3, CuO wymieszano w proporcjach wagowych 1:4.7:3.2 oraz wygrzano w temperaturze 900°C przez 600 minut w powietrzu po czym rozdrobniono 1 przesiano uzyskując proszek o granulacji 20-40μιη. Proszek ten wprowadzono małymi porcjami do obszaru rozchodzenia się fali uderzeniowej uzyskanej ze spalania mieszanki detonacyjnej o składzie 60% O2, 20% H2. 20% N2. Rozpędzony proszek kierowano na taśmę niklową w miejscu jej zgięcia w czasie nawijania na rdzeń kształtowy. Prędkość nawijania taśmy dobrano tak aby przy częstotliwości impulsów nakładających 6 Hz uzyskać około 4 impulsy nakładające na każdy punkt powierzchni taśmy. Uzyskano warstwę o grubości 4 μm. Zwiniętą taśmę wraz z rdzeniem (wykonanym z niklu) wygrzewano w temperaturze 930°C przez 60 minut w tlenie i studzono z szybkością 30°C/min. Po wystudzeniu rdzeń niklowy usunięto uzyskując wielozwojowy element indukcyjny z materiału będącego nadprzewodnikiem wysokotemperaturowym.

171 855

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz. Cena 2,00 zł

Claims (23)

1. Zastrzeżenia patentowe

   1. Sposób wytwarzania powłok z wysokotemperaturowego nadprzewodnika przez pokrywanie podłoży warstwami nadprzewodzącymi z temperaturą krytyczną większą niż 30 K przez wykonanie proszku z materiału wyjściowego oraz wykonania warstwy na podłożu, znamienny tym, że wprowadza się proszek materiału wyjściowego w obszar rozchodzenia się fali uderzeniowej powstałej ze spalania gazowej mieszanki detonacyjnej, gdzie ulega on nagrzaniu i rozpędzeniu i skierowanie go na podłoże, a następnie wygrzewa się warstwy w podwyższonej temperaturze do uzyskania struktury i własności nadprzewodnikowych warstwy o temperaturze krytycznej większej niz 30 K.
2. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że proszek z materiału wyjściowego ma skład określony wzorem A_xB_yC ₇ D_n gdzie A oznacza co najmniej jeden pierwiastek z grupy la, IIa, Illb układu okresowego; B oznacza co najmniej jeden pierwiastek z grupy Ib, Ilb, IIIa układu okresowego; C oznacza co najmniej jeden pierwiastek z grupy zawierającej wanad, niob, tal, chrom, gal, ind, kadm, cynę, tal, ołów, molibden, wolfram, cynk, bizmut; D oznacza co najmniej jeden pierwiastek z grupy zawierającej tlen, fluor, azot, węgiel, brom, siarkę; x, y, z przyjmują wartości od 0 do 2, n przyjmuje wartość od 1 do 8.
3. 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że proszek materiału wyjściowego, ma skład określony wzorem A_xB_yC_zDn, gdzie: A oznacza kombinację co najmniej dwóch pierwiastków z grupy zawierającej wapń, stront, bar, itr, lantan: B oznacza miedź; C oznacza kombinację ołowiu i bizmutu; D oznacza tlen.
4. 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że proszek materiału wyjściowego ma skład określony wzorem A_xByDn, gdzie: A oznacza kombinację co najmniej dwóch pierwiastków z grupy zawierającej wapń, stront, bar, itr, lantan: B oznacza miedź; D oznacza tlen.
5. 5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że proszek materiału wyjściowego ulega w procesie grzania w obszarze oddziaływania fali uderzeniowej co najwyżej powierzchniowemu stopieniu.
6. 6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że temperatura gazów fali uderzeniowej nie przekracza temperatury 3000°C.
7. 7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że grubość uzyskiwanej warstwy zawiera się w granicach od 1 pm do 2000 μ.
8. 8. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwa bezpośrednio po nałożeniu ma strukturę silnie rozdrobnioną amorficzną lub drobnokrystaliczną.
9. 9. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że warstwa po nałożeniu jest wygrzewana w temperaturze od 450°C do 1015°C.
10. 10. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że warstwa jest wygrzewana w czasie od 5 min do 400 min.
11. 11. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że wygrzewanie prowadzi się w atmosferze zawierającej pierwiastek D.
12. 12. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że wygrzewanie prowadzi się w atmosferze zawierającej tlen w koncentracji od 20% do 100%.
13. 13. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że warstwa po nałożeniu jest wygrzewana w temperaturze od 450°C do 1015°C w atmosferze obojętnej w czasie od 5 do 120 min.
14. 14. Sposób według zastrz. 13, znamienny tym, że warstwa jest wygrzewana w atmosferze utleniającej zawierającej od 20% do 100% tlenu.
15. 15. Sposób według zastrz. 9, znamienny tym, że warstwa po wygrzewaniu jest studzona z szybkością od 30°C/h do 600°C/h.

    171 855
16. 16. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, ze proszek materiału wyjściowego jest grzany i rozpędzany przez falę uderzeniową powstałą na skutek spalenia gazowej mieszanki detonującej o składzie określonym wzorem XO2+YH2+ZE+UG, gdzie O2 oznacza tlen; H2 oznacza wodór; E oznacza przynajmniej jeden związek z grupy zawierającej acetylen, propanbutan, etan, tlenek węgla; G oznacza co najmniej jeden gaz z grupy zawierającej azot, argon, hel, a proporcje pomiędzy składnikami wyznaczając zależności: 0,1 <X/(Y+Z)<0,9; OŁY/(Y+Z)Ł1; OŁU/(X+Y+Z)ŁO,8.
17. 17. Sposób według zastrz. 16, znamienny tym, że skład mieszanki detonującej określony jest wzorem: XOi+YIHi+Z^IU), gdzie wartości parametrów opisują zależności: 0,1 <X/(Y+Z)<0,9; OŁY/(Y+Z)Ł1; OŁU/(X+Y+Z^)1O,8.
18. 18. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że podłoże ogrzewa się w temperaturze od 200°C do 900°C; utrzymuje w tej samej temperaturze w czasie nakładania warstwy.
19. 19. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że podłoże studzi się w trakcie nakładania warstwy.
20. 20. Sposób według zastrz. 19, znamienny tym, że stosuje się chłodziwo ciekłe w czasie studzenia podłoża.
21. 21. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwa osadzona jest na powierzchni taśmy przesuwanej w czasie nakładania.
22. 22. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwa osadzona jest na powierzchni bocznej metalowej rurki przesuwanej i/lub obracanej w czasie nakładania..
23. 23. Sposób według zastrz. 21, znamienny tym, że warstwa osadzona jest na powierzchni taśmy metalowej w miejscu jej zgięcia w czasie nawijania na rdzeniu kształtowym.