PL237260B1 - Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury - Google Patents
Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury Download PDFInfo
- Publication number
- PL237260B1 PL237260B1 PL419727A PL41972716A PL237260B1 PL 237260 B1 PL237260 B1 PL 237260B1 PL 419727 A PL419727 A PL 419727A PL 41972716 A PL41972716 A PL 41972716A PL 237260 B1 PL237260 B1 PL 237260B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- nanostructures
- znmgo
- zno
- substrate
- quantum
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 24
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 title claims description 19
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 12
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000549556 Nanos Species 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002078 nanoshell Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania struktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach z nanostrukturami w postaci nanosłupków czy nanodrutów ZnO za pomocą techniki MBE (z ang. Molecular Beam Epitaxy).
Struktury tego rodzaju wykorzystywane są w nanoelektronice i nanooptoelektronice, a ze względu na występujący w nich kwantowy efekt rozmiarowy mogą znaleźć zastosowanie także w urządzeniach wykorzystujących efektywne źródła światła przestrajalne w danym zakresie spektralnym.
Znanych jest wiele sposobów wytwarzania heterostruktur na nanosłupkach i nanodrutach ZnO. Na przykład w publikacji (Quantum Confinement Observed in ZnO/ZnMgO Nanorod Heterostructures, Advanced Materials 15, 526-529, 2003) opisany jest sposób wzrostu niskowymiarowych struktur kwantowych z wykorzystaniem techniki osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków mataloorganicznych w formie gazowej MOVPE (z ang. Metal Organic VaporPhaseEpitaxy).
W sposobie tym, heterostruktury ZnO/ZnMgO wzrastane były na nanosłupkach ZnO otrzymanych na podłożu szafirowym o orientacji c. Nanosłupki ZnO wzrastane były w reaktorze MOVPE przy użyciu dietylocynku (DEZn), jako prekursora cynku i tlenu będącego drugim substratem reakcji. Prekursorem Mg był bis-cyclopentadienyl-Mg (MeCp2Mg), gazem nośnym argon. Temperatura podłoża mieściła się w zakresie 400°C - 500°C. Przed wzrostem heterostruktur zastosowano cienki bufor ZnO. Struktury kwantowe otrzymane na nanosłupkach ZnO według opisanego sposobu charakteryzują się liniami emisyjnymi o szerokości połówkowej około 250 meV.
Z kolei autorzy publikacji (Core-shell multi-quantum wells in ZnO/ZnMgO nanowires with high optical efficiency AT room temperature. Nanotechnology 23. 085705. 2012) opisują sposób otrzymywania struktur kwantowych na nanodrutach/nanos łupkach w tzw. konfiguracji rdzeń-powłoka (z ang. CoreShell). W pierwszym etapie tego sposobu, przy użyciu techniki MOVPE na podłożu szafirowym wzrasta się/wytwarza nanodruty/nanos łupki ZnO stanowiące rdzeń struktury. W drugim etapie, również za pomocą procesu MOVPE, nanodruty/nanos łupki pokrywa się strukturą kwantową stanowiącą powłokę. W wyniku tego procesu uzyskuje się nanos łupki z heterostrukturą ZnO/ZnMgO w konfiguracji rdzeńpowłoka. Etap pierwszy prowadzony jest w temperaturze 850°C, pod ciśnieniem 10 kPa. z użyciem dietylocynku (DEZn) stanowiącego prekursor cynku, N2O będącego prekursorem tlenu oraz N2 jako gazu nośnego. Stosunek molowy tlenku azotu (I) do dietylocynku n(N2O)/n(DeZn) wynosi około 500. Etap pierwszy prowadzi do powstania cienkich rdzeni ZnO. Etap drugi, czyli pokrycie rdzeni strukturą ZnMgO/ZnO, prowadzony jest w temperaturze 500°C z użyciem prekursora Mg, którym jest MeCp2Mg.
Z publikacji (Spatialfluctuations of opticalemission from single ZnO/MgZnO nanowire quantum wells, Nanotechnology 19, 115202, 2008) znany jest sposób opierający się na technice PLD (z ang. Pulse Laser Deposition) i wysokociśnieniowym wzroście nanodrutów ZnO z wykorzystaniem zarodków złota osadzonych na podłożu AI2O3 o orientacji a. Pierwszy etap procesu, czyli wzrost nanodrutów, prowadzono w temperaturze 820°C, podciśnieniem 7.5-10 kPa, w atmosferze argonu. W sposobie tym wykorzystano mechanizm wzrostu para-ciało stałe, w którym nanodrut rośnie na złocie, a nie jak w przypadku mechanizmu VLS (z ang. Vapour - Liquid Solid) pod zarodkiem złota. Metoda VLS jest również bardzo często wykorzystywana w procesach wzrostu nanosłupków, w tym również ZnO. W drugim etapie procesu, również za pomocą techniki PLD. prowadzono wzrost struktury kwantowej ZnO/ZnMgO na nanodrutach ZnO, w temperaturze 670°C. Reasumując, znane sposoby wytwarzania heterostruktur tego typu są na ogół dwuetapowe. W pierwszym etapie na różnych podłożach np. na szafirze, krzemie, arsenku galu wytwarza się/wzrasta się za pomocą różnych technik, nanostruktury, najczęściej w postaci kolumn czy nanodrutów, a w drugim etapie na wytworzonych nanostrukturach osadza się /nakłada/prowadzi się wzrost określonych warstw struktury kwantowej. Podstawowym problemem w wytwarzanych w pierwszym etapie nanostrukturach jest ich chaotyczne rozmieszczenie, różna gęstość zarodkowania i różna wielkość.
Celem wynalazku jest opracowanie takiego sposobu wytwarzania struktur kwantowych/heterostruktur, który byłby prosty, powtarzalny i umożliwił uzyskanie struktur o polepszonych parametrach emisyjnych (ostre, wąskie linie emisyjne) w widmie fotoluminescencji.
Sposób wytwarzania struktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury jest dwuetapowy. W pierwszym etapie, na podłożu wytwarza się nanostruktury, w postaci kolumn lub drutów, a w drugim etapie na tych nanostrukturach prowadzi się wzrost warstw struktur kwantowych/heterostruktur. Według sposobu, w pierwszym etapie, podłoże z azotku galu (GaN) o orientacji c lub podłoże z warstwą GaN o strukturze wurcytu umieszcza
PL 237 260 B1 się w komorze reakcyjnej reaktora hydrotermalnego w mieszaninie reakcyjnej. Mieszanina reakcyjna zawiera co najmniej jeden prekursor tlenu w postaci wody, i co najmniej jeden prekursor cynku w postaci octanu cynku, przy czym stężenie cynku w mieszaninie wynosi ok. 0.2 mol/dm3, a pH zawiera się w przedziale 6.5-12. Następnie mieszaninę z podłożem podgrzewa się mikrofalowo, do temperatury od 60-120°C, przy ciśnieniu atmosferycznym, i utrzymuje w tej temperaturze przez co najmniej 2 minuty. W drugim etapie otrzymane podłoże z nanostrukturami ZnO umieszcza się w reaktorze PA-MBE gdzie poddaje się je wygrzewaniu w temp. 150°C-700°C przez co najmniej 30 min, a następnie prowadzi się wzrost struktury kwantowej/heterostruktury ZnO/ZnMgO czy trójskładnikowych związków ZnMgO w temperaturze od 200°C do 900°C, przy ciśnieniu strumieni wiązek w granicach od 2,6*10’6 Pa do 1,4*10’6 Pa dla Mg oraz od 8*10-5 Pa do 2.7*10’4 Pa dla Zn oraz przy przepływie tlenu od 1 sccm do 4 sccm i mocy pobudzenia 200 W - 600 W.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania heterostruktury ZnO/ZnMgO (studni kwantowej ZnO/ZnMgO) na podłożu z azotku galu (GaN) o orientacji c. W przykładzie jest to objętościowy kryształ GaN, ale może być to także inne podłoże np. szafirowe pokryte warstwą GaN). Wzrost nanosłupków ZnO prowadzono na objętościowym azotku galu o grubości 330 pm uzyskanym przy użyciu metody HVPE (z ang. HalideVapor Phase Epitaxy).
W pierwszym etapie sposobu prowadzono wzrost nano- i mikrosłupków ZnO metodą hydrotermalną wspomaganą mikrofalowo. Zastosowanie mikrofal podyktowane jest koniecznością równomiernego ogrzewania mieszaniny reakcyjnej. W przypadku wzrostu nanosłupków ZnO na dopasowanym sieciowo podłożu z GaN nie ma potrzeby wcześniejszego wytworzenia zarodków służących do zapoczątkowania procesu, dzięki czemu otrzymane nanosłupki są zorientowane pionowo do podłoża. Mieszaninę reakcyjną stanowił wodny roztwór dwuwodnego octanu cynku. 2 g dwuwodnego octanu cynku rozpuszczono w 70 ml wody dejonizowanej. pH mieszaniny równe 7.0 uzyskano poprzez strącanie wodorotlenkiem sodu (ilość mieszaniny uzależniona jest od rozmiarów komory reakcyjnej, przy czym podłoża powinny być w całości zanurzone w roztworze). Do przygotowanej w ten sposób mieszaniny reakcyjnej włożono podłoże z GaN o orientacji c, a następnie całość została umieszczona w reaktorze mikrofalowym. Wzrost przeprowadzono w temperaturze 70°C, w ciśnieniu atmosferycznym, w czasie 4 minut. Średnica otrzymanych słupków zawiera się w przedziale 200 nm - 800 nm, natomiast ich wysokość 1 pm - 2 pm. Liczba słupków ZnO na pm2 wynosiła około 1.25 pm. Wartość pH i stężenie prekursora cynku są głównymi czynnikami determinującymi wielkość nanosłupków ZnO. Im wyższa wartość pH i niższe stężenie dwuwodnego octanu cynku, tym słupki ZnO są mniejsze. Ze względu na efekty kwantowe obserwowane w nanostrukturach, pożądane są jak najmniejsze nanosłupki. Najmniejsze otrzymane słupki miały średnicę około 90 nm, natomiast ich wysokość wynosiła około 500 nm. W drugim etapie sposobu według wynalazku podłoże GaN z nanosłupkami ZnO umieszczono w reaktorze PAMBE i poddano termicznemu oczyszczeniu. Oczyszczanie to prowadzono najpierw w komorze załadowczej przez 30 min w temperaturze 150°C, a następnie w komorze buforowej przez 60 min w temperaturze 700°C. Po wytworzeniu warstwy buforowej ZnO przeprowadzono wzrost hetero struktury ZnO/ZnMgO w następujących warunkach: Ciśnienie wiązki molekularnej Mg na poziomie 3.09*10’6 Pa, ciśnienie wiązki molekularnej Zn na poziomie 8.05*10-5Pa, przepływ tlenu 2.8 sccm/min, moc pobudzenia 350 W. Temperatura podłoża z nanosłupkami ZnO mierzona pirometrem wynosiła 560°C, a ciśnienie w komorze wzrostu 1.06*10’3 Pa. Po wykonaniu buforu ZnO przeprowadzono wzrost heterostruktury w konfiguracji: bariera ZnMgO, studnia ZnO, bariera ZnMgO.
Sposób wytwarzania struktur kwantowych według wynalazku (czyli skojarzenie wspomnianego mikrofalowo hydrotermalnego sposobu wytwarzania nanostruktur ZnO z nanoszeniem warstw heterostruktury technologii MBE) jest znacznie krótszy niż sposoby oparte na jednej technologii wzrostu, a jednocześnie pozwala na uzyskanie wysokiej jakości struktur kwantowych.
Claims (1)
1. Sposób wytwarzania struktur kwantowych/hetero struktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury, w którego pierwszym etapie wytwarza się na podłożu nanostruktury, w postaci kolumn lub drutów, a w drugim etapie na tych nanostrukturach prowadzi się wzrost warstw struktur kwantowych/hetero struktur, znamienny tym, że w pierwszym etapie podłoże z azotku galu (GaN) o orientacji c lub podłoże z warstwą GaN
PL 237 260 B1 o strukturze wurcytu umieszcza się w komorze reakcyjnej reaktora hydrotermalnego, w mieszaninie reakcyjnej zawierającej co najmniej jeden prekursor tlenu w postaci wody, i co najmniej jeden prekursor cynku w postaci octanu cynku, przy czym stężenie cynku w mieszaninie wynosi ok. 0.2 mol/dm3 a pH zawiera się w przedziale 6.5-12, następnie mieszaninę z podłożem podgrzewa się mikrofalowo, do temperatury od 60-120°C, przy ciśnieniu atmosferycznym, i utrzymuje w tej temperaturze przez co najmniej 2 minuty, w drugim etapie otrzymane podłoże z nanostrukturami ZnO umieszcza się w reaktorze PA-MBE gdzie poddaje się je wygrzewaniu w temp. 150°C-700°C przez co najmniej 30 min, a następnie prowadzi się wzrost struktury kwantowej/heterostruktury ZnO/ZnMgO czy trójskładnikowych związków ZnMgO w temperaturze od 200°C a 900°C, przy ciśnieniu strumieni wiązek w granicach od 2.6*10-6 Pa do 1.4*10-6 Pa dla Mg oraz od 8*10-5 Pa do 2.7*10-4 Pa dla Zn oraz przy przepływie tlenu od 1 sccm do 4 sccm i mocy pobudzenia 200 W - 600 W.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL419727A1 PL419727A1 (pl) | 2018-06-18 |
| PL237260B1 true PL237260B1 (pl) | 2021-03-22 |
Family
ID=62554065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL237260B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL425218A1 (pl) * | 2018-04-13 | 2019-10-21 | Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
-
2016
- 2016-12-07 PL PL419727A patent/PL237260B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL419727A1 (pl) | 2018-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101467231B (zh) | 在外延横向过度生长氮化镓模板上生长氧化锌膜的方法 | |
| Liu et al. | Growth mechanism and properties of ZnO nanorods synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| US9627199B2 (en) | Methods of fabricating micro- and nanostructure arrays and structures formed therefrom | |
| CN100352004C (zh) | 用于生长氮化镓的基片和制备氮化镓基片的方法 | |
| US6852161B2 (en) | Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device | |
| JP4648907B2 (ja) | シリコン基板上でのＵＶレーザー用ＺｎＯナノ−アレイ及びＺｎＯナノウォールアレイの形成方法 | |
| US8299502B2 (en) | Semiconductor heterostructures and manufacturing therof | |
| KR20090101075A (ko) | 나노구조 템플릿을 사용한 단결정 반도체 물질의 제조 | |
| JP2006253628A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP6947746B2 (ja) | 複合ＧａＮナノカラムの製造方法 | |
| DE10196361B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkristalls | |
| Li et al. | Silane controlled three dimensional GaN growth and recovery stages on a cone-shape nanoscale patterned sapphire substrate by MOCVD | |
| JP2009208991A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| CN105612276B (zh) | 外延生长用模板以及其制作方法、和氮化物半导体装置 | |
| KR20020065892A (ko) | 3족 질화물 반도체 결정 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 발광 소자, 및 반도체발광 소자를 이용한 광원 | |
| PL237260B1 (pl) | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury | |
| KR101433895B1 (ko) | 나노와이어 제조 방법 | |
| Le et al. | Nanorod assisted lateral epitaxial overgrowth of ZnO films in water at 90° C | |
| KR101840534B1 (ko) | 반응기 | |
| KR101851842B1 (ko) | 필름, 필름의 제조방법 및 상기 필름을 포함하는 발광 다이오드 | |
| JP5488562B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| Bakin et al. | Fabrication of ZnO nanostructures | |
| KR20110131062A (ko) | 산화아연 트리를 가지는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | |
| KR20100022663A (ko) | 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법 | |
| Orlov et al. | ZnO nanostructures via hydrothermal synthesis on atomic layer deposited seed-layers |