PL419727A1 - Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury - Google Patents
Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostrukturyInfo
- Publication number
- PL419727A1 PL419727A1 PL419727A PL41972716A PL419727A1 PL 419727 A1 PL419727 A1 PL 419727A1 PL 419727 A PL419727 A PL 419727A PL 41972716 A PL41972716 A PL 41972716A PL 419727 A1 PL419727 A1 PL 419727A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- nanostructures
- znmgo
- nanowires
- zno
- compounds
- Prior art date
Links
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 title abstract 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 abstract 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 abstract 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania struktur kwantowych ZnO/ZnMgO oraz trójskładnikowych związków ZnMgO wytwarzanych w technologii MBE (z ang. Molecular Beam Epitaxy) na nanosłupkach, nanodrutach, ZnO wytwarzanych metodą hydrotermalną wspomaganą mikrofalowo. W sposobie tym wzrost prowadzony jest w 2 etapach. Pierwszy etap to wytworzenie nanosłupków, nanodrutów, ZnO na podłożu GaN o orientacji c za pomocą metody hydrotermalnej wspomaganej mikrofalowo. Etap drugi to wzrost struktury kwantowej ZnO/ZnMgO w technologii MBE prowadzony w temperaturach z zakresu: 200°C - 900°C oraz ciśnieniach strumieni wiązek w granicach: 2,6*10-6 Pa do 1,4*10-6 Pa dla Mg oraz 8*10-5 Pa do 2,7*10-4 Pa dla Zn. Warunki tlenowe w granicach: przepływ 1 sccm do 4 sccm i mocy pobudzenia 200 W - 600 W.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL419727A1 true PL419727A1 (pl) | 2018-06-18 |
| PL237260B1 PL237260B1 (pl) | 2021-03-22 |
Family
ID=62554065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL237260B1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL425218A1 (pl) * | 2018-04-13 | 2019-10-21 | Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
-
2016
- 2016-12-07 PL PL419727A patent/PL237260B1/pl unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL425218A1 (pl) * | 2018-04-13 | 2019-10-21 | Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL237260B1 (pl) | 2021-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA201890238A1 (ru) | Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках | |
| Yang et al. | Hexagonal boron nitride on III–V compounds: a review of the synthesis and applications | |
| BR112014031949A2 (pt) | células solares | |
| EA201390802A1 (ru) | Эпитаксиальное выращивание нанопроволоки на графитовой подложке | |
| CN103489968B (zh) | 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 | |
| CN105190915A (zh) | 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底及其制备方法 | |
| GR1008013B (el) | Μεθοδος ετεροεπιταξιακης αναπτυξης ιιι-νιτριδιων, πολικοτητας μετωπου-μεταλλου ιιι, πανω σε υποστρωματα αδαμαντα | |
| EA201592260A1 (ru) | Полупроводниковые пленки из соединения iii-v или ii-vi на графитовых подложках | |
| CN105789394A (zh) | 一种GaN基LED外延结构及其制备方法 | |
| CN104282808A (zh) | 一种紫外led外延有源区结构生长方法 | |
| WO2017016527A3 (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 | |
| WO2009134687A3 (en) | Method of fabricating a planar semiconductor nanowire | |
| CN104659164A (zh) | 一种使用两步法生长光电材料和器件的方法 | |
| CN104465910A (zh) | 一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构及其制作方法 | |
| CN105390577B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制作方法 | |
| PL419727A1 (pl) | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury | |
| CN103165434A (zh) | 一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法 | |
| CN103996766B (zh) | 氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| Wu et al. | Van der waals self-assembled silica-nanosphere/graphene buffer layer for high-quality gallium nitride growth | |
| JP2017152542A5 (pl) | ||
| CN104900729A (zh) | 横向GeSn/SiGeSn量子阱光电发光器件及其制备方法 | |
| MD4280B1 (en) | pInP-nCdS structure growth method | |
| CN208256686U (zh) | 一种用于生长半导体材料的衬底结构 | |
| CN203367344U (zh) | 一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片 | |
| Han et al. | Threading dislocation reduction in epitaxial GaN using V-groove patterned sapphire substrate with embedded silica nanospheres |