PL425218A1 - Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych - Google Patents
Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznychInfo
- Publication number
- PL425218A1 PL425218A1 PL425218A PL42521818A PL425218A1 PL 425218 A1 PL425218 A1 PL 425218A1 PL 425218 A PL425218 A PL 425218A PL 42521818 A PL42521818 A PL 42521818A PL 425218 A1 PL425218 A1 PL 425218A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silicon photovoltaic
- layer
- photovoltaic cell
- zno
- producing
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne, zawierające półprzewodnikowe podłoże typu p, na którego tylnej warstwie znajduje się struktura PERC z warstwą pasywującą AlOx i SiNx oraz tylnymi elektrycznymi kontaktami omowymi, charakteryzuje się tym, że na przedniej części podłoża krzemowego (24) znajduje się warstwa tunelująca (25), na której znajduje się warstwa nanosłupków ZnO o wysokości od 10 nm do 2000 nm pokryta warstwą ZnO:Mg o grubości od 1 nm do 2000 nm (26), która jest pokryta przezroczystą warstwą przewodzącą ZnO:Al (27), na której nałożone są przednie elektryczne kontakty omowe (28).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL425218A PL425218A1 (pl) | 2018-04-13 | 2018-04-13 | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL425218A PL425218A1 (pl) | 2018-04-13 | 2018-04-13 | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL425218A1 true PL425218A1 (pl) | 2019-10-21 |
Family
ID=68238664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL425218A PL425218A1 (pl) | 2018-04-13 | 2018-04-13 | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL425218A1 (pl) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100180950A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-07-22 | University Of Connecticut | Low-temperature surface doping/alloying/coating of large scale semiconductor nanowire arrays |
| PL407336A1 (pl) * | 2014-02-27 | 2015-08-31 | Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |
| PL412250A1 (pl) * | 2015-05-08 | 2016-11-21 | Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |
| PL419727A1 (pl) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
| PL420300A1 (pl) * | 2017-01-25 | 2018-07-30 | Saule Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej |
-
2018
- 2018-04-13 PL PL425218A patent/PL425218A1/pl unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100180950A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-07-22 | University Of Connecticut | Low-temperature surface doping/alloying/coating of large scale semiconductor nanowire arrays |
| PL407336A1 (pl) * | 2014-02-27 | 2015-08-31 | Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |
| PL412250A1 (pl) * | 2015-05-08 | 2016-11-21 | Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego |
| PL419727A1 (pl) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
| PL420300A1 (pl) * | 2017-01-25 | 2018-07-30 | Saule Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| RAF AL PIETRUSZKA, PHOTOVOLTAIC PROPERTIES OF ZNO NANORODS/PTYPE SI HETEROJUNCTION STRUCTURES, 2014 * |
| RAFAŁ ADAM PIETRUSZKA, OTRZYMYWANIE I CHARAKTERYZACJA OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH ZAWIERAJĄCYCH CIENKIE WARSTWY ORAZ NANOSŁUPKI TLENKU CYNKU, 2015 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY206809A (en) | Solar cell emitter region fabrication with differentiated p-type and n-type region architectures | |
| WO2018147739A8 (en) | A method of manufacturing a passivated solar cell and resulting passivated solar cell | |
| WO2009012345A3 (en) | Hybrid multi-junction photovoltaic cells and associated methods | |
| TW200501432A (en) | Back-contacted solar cells with integral conductive vias and method of making | |
| EA201492235A1 (ru) | Солнечные элементы | |
| MY201253A (en) | Photovoltaic device with transparent tunnel junction | |
| TW200717824A (en) | Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles | |
| GB2452434A (en) | Manufactue of CDTE photovoltaic cells using MOCVD | |
| US11211508B2 (en) | Thin-film solar module with improved shunt resistance | |
| Chang et al. | Graphene/SiO2/p‐GaN Diodes: An Advanced Economical Alternative for Electrically Tunable Light Emitters | |
| PL412250A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| US10026853B2 (en) | Solar cell | |
| Haque et al. | Composition‐Dependent High‐Performance Phototransistors Based on Solution Processed CH3NH3PbI3/ZnO Heterostructures | |
| CN104103514A (zh) | 一种垂直沟道恒流二极管制造方法 | |
| PL407336A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| WO2010096433A3 (en) | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells | |
| PL425218A1 (pl) | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych | |
| Jang et al. | Low-resistive high-work-function gate electrode for transparent a-IGZO TFTs | |
| CN105374886A (zh) | 钝化方法 | |
| Sugiura | Materials in Electrical and Electronic Devices: A Review for Multidisciplinary Fields—Part II: Insulators and Conductors | |
| TW201242039A (en) | Power-generating module with solar cell and method for fabricating the same | |
| TWI753084B (zh) | 太陽能電池 | |
| KR101186242B1 (ko) | 입체 패턴을 갖는 광전 소자 및 이의 제조 방법 | |
| CN102368507A (zh) | 一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法 | |
| US20100139757A1 (en) | Photovoltaic cell structure |