PL241410B1 - Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu<sub>₂</sub>SnZnS<sub>₄</sub> - Google Patents
Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu<sub>₂</sub>SnZnS<sub>₄</sub> Download PDFInfo
- Publication number
- PL241410B1 PL241410B1 PL428878A PL42887819A PL241410B1 PL 241410 B1 PL241410 B1 PL 241410B1 PL 428878 A PL428878 A PL 428878A PL 42887819 A PL42887819 A PL 42887819A PL 241410 B1 PL241410 B1 PL 241410B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- kesterite
- hours
- cu2snzns4
- liquid
- amount
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 7
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002475 Cu2ZnSnS4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 metallic Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, który polega na tym, że odważa się proszki metali Cu, Sn i Zn w proporcji molowej Cu:Sn:Zn = 2:1:1 i miesza w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna od 200 do 1100 obr/min, po czym do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4 i dalej mieli przez okres od 30 minut do 100 godzin przy prędkości obrotowej młyna kulowego od 200 do 1100 obr/min, następnie odparowuje się ciecz dyspergującą, a uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych.
Znane i najczęściej produkowane obecnie cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne, są zwykle oparte na chalkogenkach takich jak mieszanina miedzi, indu, galu i selenu (fotoogniwa CIGS), czy też zbudowane w oparciu o tellurek kadmu (fotoogniwa CdTe). Niedogodnością fotoogniw CIGS jest obecność drogich i deficytowych pierwiastków: indu i telluru, natomiast fotoogniwa CdTe ze względu na zawartość toksycznego kadmu muszą podlegać specjalnemu procesowi utylizacji, co powoduje, że są poszukiwane inne rozwiązania materiałowe.
Jak opisano w publikacji J. Paier i in. pt.: „Cu2ZnSnS4 as a potential photovoltaic material: A hybrid Hartree-Fock density functional theory study”, Phys. Rev. B 79 (2009) 115126 prowadzone są badania nad zastąpieniem fotoogniw CIGS, ogniwami zawierającymi jako warstwę czynną kesteryty tj. materiały o właściwościach półprzewodnikowych składające się głównie z miedzi, cynku, cyny oraz siarki i/lub selenu. Kesteryty charakteryzuje się strukturą krystaliczną bardzo zbliżoną do CIGS, dużym współczynnikiem absorpcji promieniowania w szerokim zakresie światła widzialnego (W^cm-1) i szerokością przerwy energetycznej odpowiednią do zastosowań fotowoltaicznych (Eg = 1,4-1,5 eV), a ponadto dobrą sprawnością konwersji energii promieniowania na energię elektryczną, stosunkowo prostym sposobem wytwarzania i, co ważne, szeroką dostępnością oraz nietoksycznością pierwiastkowych substratów (Cu, Zn, Sn, S, Se).
Znany jest ze zgłoszenia patentowego US8440497 B2 sposób wytwarzania kesterytowych ogniw fotowoltaicznych metodą termicznego naparowywania na podłoże. W pierwszym etapie procesu, w warunkach wysokiej próżni, na podłożu molibdenowym osadzana jest warstwa metali Cu, Sn, Zn metodą naparowania. Dobór czasu naparowania poszczególnych metali pozwala uzyskać warstwę o składzie stechiometrycznym, występującym w kesterycie. W kolejnym etapie w temperaturze ponad 300°C, nad warstwą metali przepuszcza się pary siarki i/lub selenu (alternatywnie H2S lub H2Se), tworzące z warstwą metaliczną strukturę kesterytową o grubości 650-3000 nm. Ostatnim etapem procesu jest wygrzewanie warstwy kesterytowej w atmosferze gazu obojętnego w temperaturach 300-600°C w ciągu 5-30 minut.
W opisie patentowym US8366975 B2 przedstawiono metodę otrzymywania kompozycji kesterytowych z wykorzystaniem szeregu organicznych kompleksów metali. Kompleksy te tworzą zawiesinę w wysokowrzących rozpuszczalnikach w rodzaju amin i/lub rozpuszczalników heteroaromatycznych. Zawiesiną są pokrywane różne podłoża np. metaliczne, szkło, tworzywa sztuczne, po czym następuje odparowanie rozpuszczalnika i wygrzewanie powstałej warstwy w temperaturach zależnych od rodzaju podłoża i układu prekursorowego, w zakresie 80-350°C.
W opisie patentowym CN102500293 B ujawniono syntezę proszkowego kesterytu z użyciem jako substratów chlorków metali oraz pierwiastkowej siarki. Odpowiednio dobrane proporcje molowe prekursorów metali i siarki rozpuszczano w trietylenotetraminie, otrzymując po kilkuminutowym mieszaniu czerwony roztwór, który poddawano ogrzewaniu w łaźni olejowej w temperaturze 120-240°C przez czas 0,5-12 godzin. Po ochłodzeniu mieszaniny, odfiltrowaniu otrzymanego produktu i przemyciu go etanolem, wodą destylowaną i wysuszeniu, otrzymano mikrokrystaliczny kesteryt odpowiedni do produkcji warstwy czynnej w ogniwach fotowoltaicznych.
Znane metody otrzymywania kesterytu do zastosowań fotowoltaicznych, takie jak m.in. metoda termicznego naparowywania, wymagają skomplikowanej aparatury, są czasochłonne i kosztowne. Mniej skomplikowane metody np. osadzanie elektrochemiczne dają z kolei warstwy o gorszej jakości.
Celem wynalazku jest opracowanie prostego sposobu wytwarzania czystego proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych który nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury.
Istota sposobu wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, charakteryzuje się tym, że odważa się proszki metali Cu, Sn i Zn w proporcji molowej Cu:Sn:Zn=2:1:1, miesza i mieli w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen, w ilości co najmniej 50% wagowych cieczy w stosunku do masy mieszaniny proszków metali, przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna od 200 do 1100 obr./min. Następnie do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w sto
PL 241 410 B1 sunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4. W razie potrzeby uzupełnia się ciecz dyspergującą o ilość, która wyparowała w czasie gdy pokrywa młyna była otwarta i dalej mieli przez okres od 30 minut do 100 godzin przy prędkości obrotowej młyna kulowego od 200 do 1100 obr./min. Następnie odparowuje się ciecz dyspergującą i uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.
Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, według wynalazku jest prosty, nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury i jest nietoksyczny dla środowiska.
Przedmiot wynalazku objaśniono poniżej w praktycznym przykładzie realizacji sposobu wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4 i zobrazowano na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia rentgenogram proszkowego kesterytu wytworzonego jak opisano w przykładzie wykonania, a fig. 2 wykres funkcji Tauca obrazujący szerokość przerwy energetycznej tego kesterytu.
Przedstawionego przykładu nie należy uważać za ograniczający istotę lub zawężający zakres ochrony, gdyż stanowi on jedynie ilustrację wynalazku.
P r z y k ł a d
Odważono proszki metali Cu, Sn i Zn, w takiej ilości, aby uzyskać zawartości teoretyczne pojedynczych metali Cu, Zn i Sn występujących w kesterycie, w stosunku molowym Cu:Sn:Zn=2:1:1, a mianowicie 2,013 g Cu, 1,881 g Sn i 1,036 g Zn. Odważone proszki zmieszano i zmielono w wysokoenergetycznym planetarnym młynie kulowym Pulverisette 7 firmy Fritsch, dodając ksylenu jako cieczy dyspergującej, w ilości 7 cm3 (6 g). Misa i mielniki były wykonane z węglika wolframu. Prędkość obrotowa młyna kulowego wynosiła 900 obr./min., a czas mielenia 4 godziny.
Następnie otwarto pokrywę misy mielącej i do mieszaniny dodano siarkę elementarną w nadmiarze 2% molowych w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4 tj. 2,067 g, uzupełniono ciecz dyspergującą o 1 cm3 ilość, tj. o ilość, która wyparowała w czasie gdy pokrywa młyna była otwarta i dalej mielono składniki przez 10 godzin przy niezmienionej prędkości obrotowej młyna kulowego.
Po zakończeniu procesu otwarto pokrywę misy mielącej, odparowano ciecz dyspergującą i oddzielono mielniki od mieszaniny, którą następnie umieszczono w łódeczce kwarcowej i poddano ogrzewaniu w ceramicznym piecu rurowym w atmosferze czystego argonu, w temperaturze 550°C przez 6 godzin. Otrzymano czysty proszek kesterytu typu Cu2SnZnS4 o strukturze tetragonalnej i średniej wielkości krystalitów 190 nm, którego rentgenogram przedstawiono na fig. 1.
Badania spektroskopowe przeprowadzone techniką UV-Vis potwierdziły cechy półprzewodnikowe wytworzonego kesterytu. Wykorzystując transformację Kubelka-Munka i funkcję Tauca, na podstawie danych UV-Vis wyznaczono szerokość przerwy energetycznej badanego proszku Eg = 1,45 eV (fig. 2) charakterystyczną dla czystego kesterytu typu Cu2SnZnS4 i odpowiednią do zastosowań fotowoltaicznych.
Claims (1)
- Zastrzeżenie patentowe1. Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, znamienny tym, że odważa się proszki metali Cu, Sn i Zn w proporcji molowej Cu:Sn:Zn=2:1:1, miesza i mieli w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych, wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen, w ilości co najmniej 50% wagowych cieczy w stosunku do masy mieszaniny proszków metali, przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna od 200 do 1100 obr./min., po czym do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4, w razie potrzeby uzupełnia ciecz dyspergującą o ilość, która wyparowała w czasie gdy pokrywa młyna była otwarta i dalej mieli przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna kulowego od 200 do 1100 obr./min., a następnie odparowuje się ciecz dyspergującą i uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez ok res od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL428878A PL241410B1 (pl) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu<sub>₂</sub>SnZnS<sub>₄</sub> |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL428878A PL241410B1 (pl) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu<sub>₂</sub>SnZnS<sub>₄</sub> |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL428878A1 PL428878A1 (pl) | 2019-10-21 |
| PL241410B1 true PL241410B1 (pl) | 2022-09-26 |
Family
ID=68238701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL428878A PL241410B1 (pl) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu<sub>₂</sub>SnZnS<sub>₄</sub> |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL241410B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL441793A1 (pl) * | 2022-07-20 | 2023-07-03 | Akademia Górniczo-Hutnicza Im.Stanisława Staszica W Krakowie | Sposób wytwarzania spieków z nanoproszków półprzewodnika typu kesterytu Cu2ZnSnS4 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012527523A (ja) * | 2009-05-21 | 2012-11-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 銅スズ硫化物および銅亜鉛スズ硫化物インク組成物 |
| US20120055554A1 (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Copper zinc tin chalcogenide nanoparticles |
| US8366975B2 (en) * | 2010-05-21 | 2013-02-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Atypical kesterite compositions |
| US8440497B2 (en) * | 2010-10-26 | 2013-05-14 | International Business Machines Corporation | Fabricating kesterite solar cells and parts thereof |
| US20130037111A1 (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | International Business Machines Corporation | Process for Preparation of Elemental Chalcogen Solutions and Method of Employing Said Solutions in Preparation of Kesterite Films |
| PL406175A1 (pl) * | 2013-11-21 | 2015-05-25 | Stanley Aleksander Rokicki | Kompozyt nośny ogniw fotowoltaicznych |
| PL229752B1 (pl) * | 2014-10-27 | 2018-08-31 | Politechnika Slaska | Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania |
| US10570015B2 (en) * | 2016-09-02 | 2020-02-25 | International Business Machines Corporation | Minimizing tin loss during thermal processing of kesterite films |
| EP3523248A1 (en) * | 2016-10-07 | 2019-08-14 | Haldor Topsøe A/S | KESTERITE MATERIAL OF CZTS, CZTSe OR CZTSSe TYPE |
-
2019
- 2019-02-11 PL PL428878A patent/PL241410B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL428878A1 (pl) | 2019-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | Direct hydrothermal deposition of antimony triselenide films for efficient planar heterojunction solar cells | |
| Timoumi et al. | Fabrication and characterization of In2S3 thin films deposited by thermal evaporation technique | |
| Hsu et al. | Benign solutions and innovative sequential annealing processes for high performance Cu2ZnSn (Se, S) 4 photovoltaics | |
| Nehra et al. | Effect of thermal annealing on physical properties of vacuum evaporated In2S3 buffer layer for eco-friendly photovoltaic applications | |
| Agawane et al. | Fabrication of Cu2 (ZnxMg1-x) SnS4 thin films by pulsed laser deposition technique for solar cell applications | |
| Chen et al. | Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using oxides nanoparticles ink for solar cell | |
| Carter et al. | Cu2ZnSn (S, Se) 4 solar cells from inks of heterogeneous Cu–Zn–Sn–S nanocrystals | |
| Agawane et al. | Synthesis of simple, low cost and benign sol–gel Cu2ZnSnS4 thin films: influence of different annealing atmospheres | |
| Liu et al. | Butyldithiocarbamate acid solution processing: its fundamentals and applications in chalcogenide thin film solar cells | |
| Yang et al. | A general water-based precursor solution approach to deposit earth abundant Cu2ZnSn (S, Se) 4 thin film solar cells | |
| TWI609840B (zh) | 用於薄膜光伏打裝置之無機鹽－奈米粒子墨水及相關方法 | |
| Chalapathi et al. | Two-stage processed CuSbS2 thin films for photovoltaics: effect of Cu/Sb ratio | |
| Liu et al. | Fabrication of Cu2SnS3 thin film solar cells via a sol-gel technique in air | |
| Nilange et al. | Growth and characterization of spray deposited quaternary Cu2FeSnS4 semiconductor thin films | |
| Deshmukh et al. | Enabling fine-grain free 2-micron thick CISe/CIGSe film fabrication via a non-hydrazine based solution processing route | |
| Albalawneh et al. | solution processing of CIGSe solar cells using simple thiol-amine solvents mixture: a review | |
| Delmonte et al. | Metastable (CuAu-type) CuInS2 phase: high-pressure synthesis and structure determination | |
| Kumar et al. | Effect of substrate temperature on properties of co-evaporated copper antimony sulfide thin films | |
| Chen et al. | Low cost oxide-based deposition of Cu2FeSnS4 thin films for photovoltaic absorbers | |
| Peng et al. | Solvothermal synthesis of Cu2Zn (Sn1− xGex) S4 and Cu2 (Sn1− xGex) S3 nanoparticles with tunable band gap energies | |
| JPWO2012090938A1 (ja) | 化合物半導体薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| Li et al. | Fabrication, characterization and application of Cu2ZnSn (S, Se) 4 absorber layer via a hybrid ink containing ball milled powders | |
| Cherian et al. | Role of chlorine on the opto-electronic properties of β-In2S3 thin films | |
| Shrotriya et al. | Low cost sprayed CuIn (SxSe1− x) 2 thin films for photovoltaic applications | |
| Das et al. | Growth and characterization of kesterite Cu2ZnSn (SxSe1− x) 4 crystals for photovoltaic applications |