PL354740A1 - Podłoże do epitaksjiPodłoże do epitaksji - Google Patents
Podłoże do epitaksjiPodłoże do epitaksjiInfo
- Publication number
- PL354740A1 PL354740A1 PL02354740A PL35474002A PL354740A1 PL 354740 A1 PL354740 A1 PL 354740A1 PL 02354740 A PL02354740 A PL 02354740A PL 35474002 A PL35474002 A PL 35474002A PL 354740 A1 PL354740 A1 PL 354740A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- nitride
- sub
- layer
- monocrystalline
- lateral growth
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 title abstract 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest podłoże do epitaksji, zawierające monokrystaliczną warstwę azotkową wytworzoną poprzez boczne narastanie azotku pierwiastków grupy XIII (IUPAC, 1989) w środowisku nadkrytycznego roztworu zawierającego amoniak, na wielu odpowiednio oddalonych od siebie powierzchniach rozmieszczonych na podłożu pierwotnym, podatnych na boczne narastanie azotków. Azotek tworzący warstwę monokrystaliczną ma korzystnie wzór ogólny Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N, gdzie 0<$E<<=>x+y<$E<<=>1, zaś 0<$E<<=>x<$E<<=>1 i 0<$E<<=>y<$E<<=>1, a w szczególności jest azotkiem galu ľ GaN. Korzystnie podłoże pierwotne ukształtowane jest z krystalicznego azotu pierwiastków grupy XIII, zwłaszcza z krystalicznego azotku galu ľ GaN bądź wytworzone z materiału krystalicznego, takiego jak szafir, spinel, ZnO, SiC lub Si, przy czym materiały reagujące z nadkrytycznym roztworem zawierającym amoniak pokryte są przed wytworzeniem monokrystalicznej warstwy azotkowej, przynajmniej na jednej stronie, warstwą ochronną, korzystnie azotku pierwiastków grupy XIII. W podłożu do epitaksji monokrystaliczna warstwa azotkowa, wytworzona w wyniku bocznego narastania w temperaturze niższej niż 600ºC, ma grubość powyżej 1 <$Emu>m, korzystnie powyżej 10 <$Emu>m, przy czym ze wzrostem grubości jakość tej warstwy jest taka sama lub lepsza.
Priority Applications (38)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL354740A PL205838B1 (pl) | 2002-06-26 | 2002-06-26 | Podłoże do epitaksji |
| PCT/PL2002/000077 WO2003035945A2 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrate for epitaxy |
| AT02783869T ATE452999T1 (de) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrat für epitaxie |
| RU2004116073/15A RU2312176C2 (ru) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Подложка для эпитаксии (варианты) |
| US10/493,747 US7132730B2 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Bulk nitride mono-crystal including substrate for epitaxy |
| UA20040503964A UA82180C2 (uk) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Об'ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії |
| IL16142002A IL161420A0 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrate for epitaxy |
| CNB028212363A CN1316070C (zh) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | 取向生长用基底 |
| TW091125039A TWI231321B (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrate for epitaxy |
| HU0401882A HUP0401882A3 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrate for epitaxy |
| AU2002347692A AU2002347692C1 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Bulk monocrystalline gallium nitride |
| PL373986A PL225235B1 (pl) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Objętościowy monokryształ azotkowy oraz jego zastosowanie jako podłoże do epitaksji |
| EP02783869A EP1442162B1 (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrate for epitaxy |
| JP2003538438A JP4693351B2 (ja) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | エピタキシャル成長用基板 |
| KR1020047006223A KR100904501B1 (ko) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | 에피택시용 기판 |
| CA2464083A CA2464083C (en) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrate for epitaxy |
| DE60234856T DE60234856D1 (de) | 2001-10-26 | 2002-10-25 | Substrat für epitaxie |
| AU2003238980A AU2003238980A1 (en) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | Process for obtaining of bulk monocrystallline gallium-containing nitride |
| KR1020047021345A KR100971851B1 (ko) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정 |
| EP03733682.3A EP1518009B1 (en) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
| PL377151A PL225422B1 (pl) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | Sposób otrzymywania objętościowych monokryształów azotku zawierającego gal |
| CNB038147939A CN100339512C (zh) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进 |
| US10/519,141 US7364619B2 (en) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
| PCT/PL2003/000040 WO2004003261A1 (en) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | Process for obtaining of bulk monocrystallline gallium-containing nitride |
| JP2004517422A JP4663319B2 (ja) | 2002-06-26 | 2003-04-17 | ガリウム含有窒化物バルク単結晶の製造方法 |
| JP2004517425A JP2005531154A (ja) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | 窒化物半導体レーザ素子及びその性能を向上させる方法 |
| AU2003258919A AU2003258919A1 (en) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance |
| CNB038150077A CN100550543C (zh) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | 氮化物半导体激光装置及其制造方法 |
| PL376672A PL216522B1 (pl) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | Azotkowe półprzewodnikowe urządzenie laserowe oraz sposób wytwarzania półprzewodnikowego urządzenia laserowego |
| EP03761877A EP1520329A2 (en) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance |
| PCT/PL2003/000061 WO2004004085A2 (en) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance |
| KR1020047020979A KR20050054482A (ko) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | 질화물 반도체 레이저 디바이스 및 그의 성능을향상시키기 위한 방법 |
| US10/519,501 US7315559B2 (en) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance |
| IL161420A IL161420A (en) | 2001-10-26 | 2004-04-15 | Substrate for epitaxy |
| NO20042119A NO20042119L (no) | 2001-10-26 | 2004-05-24 | Substrat for epitaksi |
| US11/589,058 US7420261B2 (en) | 2001-10-26 | 2006-10-30 | Bulk nitride mono-crystal including substrate for epitaxy |
| US11/976,167 US20080050855A1 (en) | 2002-06-26 | 2007-10-22 | Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance |
| JP2010105636A JP5123984B2 (ja) | 2001-10-26 | 2010-04-30 | エピタキシャル成長用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL354740A PL205838B1 (pl) | 2002-06-26 | 2002-06-26 | Podłoże do epitaksji |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL354740A1 true PL354740A1 (pl) | 2003-12-29 |
| PL205838B1 PL205838B1 (pl) | 2010-06-30 |
Family
ID=30768635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL354740A PL205838B1 (pl) | 2001-10-26 | 2002-06-26 | Podłoże do epitaksji |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL205838B1 (pl) |
-
2002
- 2002-06-26 PL PL354740A patent/PL205838B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL205838B1 (pl) | 2010-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yonenaga | Thermo-mechanical stability of wide-bandgap semiconductors: high temperature hardness of SiC, AlN, GaN, ZnO and ZnSe | |
| EP0711853B1 (en) | Method for growing gallium nitride compound semiconductor crystal, and gallium nitride compound semiconductor device | |
| TW200518197A (en) | Substrate for nitride semiconductor growth | |
| TWI263387B (en) | Light emitting device structure provided with nitride bulk mono-crystal layers | |
| GB0515760D0 (en) | Buffer structure for modifying a silicon substrate | |
| US8846504B1 (en) | GaN on Si(100) substrate using epi-twist | |
| JPWO1995027815A1 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法及び窒化ガリウム系化合物半導体装置 | |
| PL375580A1 (pl) | Monokrystaliczne podłoże luminoforowe, sposób jego wytwarzania oraz azotkowe urządzenie półprzewodnikowe wykorzystujące to podłoże | |
| EP1111663A3 (en) | GaN-based compound semiconductor device and method of producing the same | |
| WO2004051707A3 (en) | Gallium nitride-based devices and manufacturing process | |
| TW200516649A (en) | GaN substrate, and manufacturing method for the same, nitride semiconductor device, and manufacturing method for the same | |
| WO2004006327A3 (en) | Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer | |
| TW200518198A (en) | Method for fabricating GaN-based nitride layer | |
| US9236249B2 (en) | III-N material grown on REN epitaxial buffer on Si substrate | |
| CA2412419A1 (en) | Improved buffer for growth of gan on sapphire | |
| WO2009136718A3 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2005225681A5 (pl) | ||
| CN109616561A (zh) | 深紫外led芯片、深紫外led外延片及其制备方法 | |
| TW429553B (en) | Nitride semiconductor device and a method of growing nitride semiconductor crystal | |
| GB0208076D0 (en) | Method of fabricating group-III nitride semiconductor crystal,metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor,gallium nitride-based compound | |
| TW200631079A (en) | Growth process of a crystalline gallium nitride based compound and semiconductor device including gallium nitride based compound | |
| PL354740A1 (pl) | Podłoże do epitaksjiPodłoże do epitaksji | |
| WO2007030709A3 (en) | METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMI-POLAR (Al, In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION | |
| TW200603445A (en) | Gallium nitride-based semiconductor stacked structure, production method thereof, and compound semiconductor and light-emitting device each using the stacked structure | |
| US7023025B2 (en) | Crystal growth method of nitride semiconductor |