PL357696A1 - Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o wysokiej jakościstrukturalnej - Google Patents

Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o wysokiej jakościstrukturalnej

Info

Publication number
PL357696A1
PL357696A1 PL02357696A PL35769602A PL357696A1 PL 357696 A1 PL357696 A1 PL 357696A1 PL 02357696 A PL02357696 A PL 02357696A PL 35769602 A PL35769602 A PL 35769602A PL 357696 A1 PL357696 A1 PL 357696A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gallium
containing gallium
nitride
solution
voluminal
Prior art date
Application number
PL02357696A
Other languages
English (en)
Other versions
PL225423B1 (pl
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL357696A priority Critical patent/PL225423B1/pl
Priority to KR1020057010670A priority patent/KR101060073B1/ko
Priority to JP2004558483A priority patent/JP4860927B2/ja
Priority to HK06102217.7A priority patent/HK1083030B/xx
Priority to KR1020057010733A priority patent/KR100789889B1/ko
Priority to PCT/JP2003/015906 priority patent/WO2004053210A1/en
Priority to PL379546A priority patent/PL224992B1/pl
Priority to US10/538,654 priority patent/US7410539B2/en
Priority to DE60331245T priority patent/DE60331245D1/de
Priority to AU2003285768A priority patent/AU2003285768A1/en
Priority to PCT/JP2003/015905 priority patent/WO2004053209A1/en
Priority to PL379545A priority patent/PL224991B1/pl
Priority to CNB2003801056254A priority patent/CN100415946C/zh
Priority to JP2004558482A priority patent/JP4558502B2/ja
Priority to US10/538,407 priority patent/US7387677B2/en
Priority to EP03778843A priority patent/EP1576210B1/en
Priority to AT03778843T priority patent/ATE457372T1/de
Priority to EP03778842A priority patent/EP1581675B1/en
Priority to DE60329713T priority patent/DE60329713D1/de
Priority to AU2003285769A priority patent/AU2003285769A1/en
Priority to TW092135267A priority patent/TWI352434B/zh
Priority to TW092135277A priority patent/TWI334229B/zh
Priority to AT03778842T priority patent/ATE445722T1/de
Priority to CNB200380105624XA priority patent/CN1329561C/zh
Publication of PL357696A1 publication Critical patent/PL357696A1/pl
Priority to US12/213,212 priority patent/US8110848B2/en
Publication of PL225423B1 publication Critical patent/PL225423B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/005—Epitaxial layer growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, znamienny tym, że w autoklawie, w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego zawierającego jony metali alkalicznych rozpuszcza się materiał źródłowy zawierający gal i krystalizuje azotek zawierający gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka z azotku zawierającego gal w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż przy rozpuszczaniu materiału źródłowego, uzyskując podłoże typu template o wysokiej jakości powierzchni pod epitaksję z monokrystalicznego objętościowego azotku zawierającego gal, które składa się z warstwy azotku zawierającego gal krystalizowanej z amoniakalnego roztworu nadkrytycznego oraz z warstwy azotu zawierającego gal krystalizowanej z fazy gazowej lub z roztworu w ciekłym metalu lub mieszaninach metali lub z roztworu w stopionych związkach azotowych metali.
PL357696A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal PL225423B1 (pl)

Priority Applications (25)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357696A PL225423B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
US10/538,407 US7387677B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Substrate for epitaxy and method of preparing the same
JP2004558482A JP4558502B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 テンプレート型基板の製造方法
HK06102217.7A HK1083030B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
KR1020057010733A KR100789889B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 에피택시용 기판 및 그 제조방법
PCT/JP2003/015906 WO2004053210A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
PL379546A PL224992B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Podłoże typu template dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
US10/538,654 US7410539B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Template type substrate and a method of preparing the same
DE60331245T DE60331245D1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung
AU2003285768A AU2003285768A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
PCT/JP2003/015905 WO2004053209A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
PL379545A PL224991B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Podłoże do stosowania dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
CNB2003801056254A CN100415946C (zh) 2002-12-11 2003-12-11 外延衬底及其制造方法
KR1020057010670A KR101060073B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 템플레이트 타입의 기판 및 그 제조 방법
CNB200380105624XA CN1329561C (zh) 2002-12-11 2003-12-11 模板型衬底及其制造方法
AU2003285769A AU2003285769A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
AT03778843T ATE457372T1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung
EP03778842A EP1581675B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
DE60329713T DE60329713D1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung
EP03778843A EP1576210B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
TW092135267A TWI352434B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing
TW092135277A TWI334229B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
AT03778842T ATE445722T1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung
JP2004558483A JP4860927B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 エピタキシ用基板及びその製造方法
US12/213,212 US8110848B2 (en) 2002-12-11 2008-06-16 Substrate for epitaxy and method of preparing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357696A PL225423B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL357696A1 true PL357696A1 (pl) 2004-06-14
PL225423B1 PL225423B1 (pl) 2017-04-28

Family

ID=32733396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL357696A PL225423B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Country Status (2)

Country Link
CN (2) CN1329561C (pl)
PL (1) PL225423B1 (pl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5899201B2 (ja) * 2011-03-18 2016-04-06 日本碍子株式会社 第１３族金属窒化物の製造方法およびこれに用いる種結晶基板
CN102409400B (zh) * 2011-11-21 2014-03-19 扬州乾照光电有限公司 Led外延生长装置
CN109449261B (zh) * 2018-09-10 2020-04-07 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片
CN109799251B (zh) * 2019-03-06 2021-01-12 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种可宏观识别晶片晶畴分布范围的检测方法
CN110195258A (zh) * 2019-07-10 2019-09-03 上海玺唐半导体科技有限公司 氮化镓晶体生长装置及其生长方法
CN110808319B (zh) * 2019-11-11 2021-08-17 中国科学院半导体研究所 反极性垂直发光二极管及其制备方法
CN114420787B (zh) * 2021-12-22 2024-06-14 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池退火方法及退火设备
CN117423612B (zh) * 2023-09-19 2024-12-03 深圳大学 一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU7346396A (en) * 1995-10-13 1997-04-30 Centrum Badan Wysokocisnieniowych Method of manufacturing epitaxial layers of gan or ga(a1,in)n on single crystal gan and mixed ga(a1,in)n substrates
GB2363518A (en) * 2000-06-17 2001-12-19 Sharp Kk A method of growing a nitride layer on a GaN substrate
US6488767B1 (en) * 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same

Also Published As

Publication number Publication date
PL225423B1 (pl) 2017-04-28
CN1723302A (zh) 2006-01-18
CN1329561C (zh) 2007-08-01
CN1723303A (zh) 2006-01-18
CN100415946C (zh) 2008-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7282381B2 (en) Method of producing self supporting substrates comprising III-nitrides by means of heteroepitaxy on a sacrificial layer
US7097707B2 (en) GaN boule grown from liquid melt using GaN seed wafers
MY141883A (en) Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
Yoshida et al. High-temperature acidic ammonothermal method for GaN crystal growth
CN101680114B (zh) GaN系氮化物半导体自立基板的制作方法
EP2333817B1 (en) Method for preparing compound semiconductor substrate
JP2006509708A5 (pl)
TW200741045A (en) Production methods of semiconductor crystal and semiconductor substrate
JP2001102316A5 (pl)
PL357696A1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o wysokiej jakościstrukturalnej
US20070144427A1 (en) METHOD FOR PRODUCING AlN SINGLE CRYSTAL AND AlN SINGLE CRYSTAL
Boćkowski et al. Directional crystallization of GaN on high-pressure solution grown substrates by growth from solution and HVPE
Boćkowski et al. Recent progress in crystal growth of bulk GaN
Hashimoto et al. Status and perspectives of the ammonothermal growth of GaN substrates
PL357697A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
KR100772776B1 (ko) 반도체 결정 제조 방법
EP1411153B1 (en) METHOD FOR PREPARING GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL
EP1498518A4 (en) SILICON CARBIDE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
PL357709A1 (pl) Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o podwyższonej wytrzymałości cieplnej
CN100532658C (zh) 半导体晶体的生产方法
JP4863264B2 (ja) 半導体結晶の製造方法
US11821108B2 (en) Method for reducing lateral growth of GaN crystals in an ammonothermal crystal growing process
EP2194169A1 (en) Method for growing group iii nitride crystal
JP2012041206A (ja) サセプタおよび種結晶の成長方法
PL357707A1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o żądanych własnościach elektrycznych