PL357709A1 - Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o podwyższonej wytrzymałości cieplnej - Google Patents
Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o podwyższonej wytrzymałości cieplnejInfo
- Publication number
- PL357709A1 PL357709A1 PL02357709A PL35770902A PL357709A1 PL 357709 A1 PL357709 A1 PL 357709A1 PL 02357709 A PL02357709 A PL 02357709A PL 35770902 A PL35770902 A PL 35770902A PL 357709 A1 PL357709 A1 PL 357709A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- sub
- gallium
- heat resistance
- crystallized
- solution
- Prior art date
Links
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title abstract 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, znamienny tym, że w autoklawie, w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego, zawierającego jony metali alkalicznych, rozpuszcza się materiał źródłowy zawierający gal i krystalizuje azotek zawierający gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka z azotku zawierającego gal w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż przy rozpuszczaniu materiału źródłowego, a na tak otrzymanej warstwie GaN nanosi się warstwę Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N (0<$E<<>x<$E<<=>1), w wyniku czego powstaje złożone podłoże typu template o podwyższonej wytrzymałości cieplnej, które składa się z warstwy Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0<sub>x</sub><$E<<=>1) krystalizowanej z amoniakalnego roztworu nadkrytycznego, z warstwy azotku zawierającego gal krystalizowanej z amoniakalnego roztworu nadkrytycznego oraz z warstwy azotku zawierającego gal krystalizowanej z fazy gazowej lub z roztworu w ciekłym metalu lub mieszaninach metali lub z roztworu w stopionych związkach azotowych metali.
Priority Applications (23)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL357709A PL225425B1 (pl) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template) z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal |
| AT03778843T ATE457372T1 (de) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung |
| PL379545A PL224991B1 (pl) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Podłoże do stosowania dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania |
| TW092135277A TWI334229B (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A template type substrate and a method of preparing the same |
| DE60329713T DE60329713D1 (de) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung |
| AU2003285768A AU2003285768A1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A template type substrate and a method of preparing the same |
| JP2004558482A JP4558502B2 (ja) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | テンプレート型基板の製造方法 |
| US10/538,654 US7410539B2 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Template type substrate and a method of preparing the same |
| EP03778843A EP1576210B1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A substrate for epitaxy and a method of preparing the same |
| TW092135267A TWI352434B (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A substrate for epitaxy and a method of preparing |
| US10/538,407 US7387677B2 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Substrate for epitaxy and method of preparing the same |
| JP2004558483A JP4860927B2 (ja) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | エピタキシ用基板及びその製造方法 |
| AU2003285769A AU2003285769A1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A substrate for epitaxy and a method of preparing the same |
| PL379546A PL224992B1 (pl) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Podłoże typu template dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania |
| PCT/JP2003/015905 WO2004053209A1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A template type substrate and a method of preparing the same |
| DE60331245T DE60331245D1 (de) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung |
| HK06102217.7A HK1083030B (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A substrate for epitaxy and a method of preparing the same |
| KR1020057010670A KR101060073B1 (ko) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | 템플레이트 타입의 기판 및 그 제조 방법 |
| EP03778842A EP1581675B1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A template type substrate and a method of preparing the same |
| KR1020057010733A KR100789889B1 (ko) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | 에피택시용 기판 및 그 제조방법 |
| PCT/JP2003/015906 WO2004053210A1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | A substrate for epitaxy and a method of preparing the same |
| AT03778842T ATE445722T1 (de) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung |
| US12/213,212 US8110848B2 (en) | 2002-12-11 | 2008-06-16 | Substrate for epitaxy and method of preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL357709A PL225425B1 (pl) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template) z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL357709A1 true PL357709A1 (pl) | 2004-06-14 |
| PL225425B1 PL225425B1 (pl) | 2017-04-28 |
Family
ID=32733409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL357709A PL225425B1 (pl) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template) z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL225425B1 (pl) |
-
2002
- 2002-12-11 PL PL357709A patent/PL225425B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL225425B1 (pl) | 2017-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kinoshita et al. | Zirconium diboride (0001) as an electrically conductive lattice-matched substrate for gallium nitride | |
| Fukuda et al. | Prospects for the ammonothermal growth of large GaN crystal | |
| Ehrentraut et al. | Technology of gallium nitride crystal growth | |
| Grzegory et al. | Mechanisms of crystallization of bulk GaN from the solution under high N2 pressure | |
| Cho et al. | Molecular beam homoepitaxy on bulk AlN enabled by aluminum-assisted surface cleaning | |
| US7803344B2 (en) | Method for growing group III-nitride crystals in a mixture of supercritical ammonia and nitrogen, and group III-nitride crystals grown thereby | |
| WO2018089579A2 (en) | Scandium-containing iii-n etch-stop layers for selective etching of iii-nitrides and related materials | |
| JP2001102316A5 (pl) | ||
| Wang et al. | High responsivity and low dark current nonpolar GaN-based ultraviolet photo-detectors | |
| US7449064B2 (en) | Method for producing AlN single crystal and AlN single crystal | |
| KR101380717B1 (ko) | 반도체 기판 및 수소화물-기상 에피택시에 의해자유-기립형 반도체 기판을 제조하기 위한 방법 및 마스크층 | |
| JP2001106600A (ja) | 炭化硅素結晶の液相成長方法 | |
| Ohnishi et al. | Reuse of ScAlMgO4 substrates utilized for halide vapor phase epitaxy of GaN | |
| WO2002082517A1 (en) | Production method for semiconductor substrate and semiconductor element | |
| PL357696A1 (pl) | Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o wysokiej jakościstrukturalnej | |
| JP2003206198A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物結晶成長方法およびｉｉｉ族窒化物結晶成長装置 | |
| EP2439317A1 (en) | Process and apparatus for production of crystals of compound of metal belonging to group-13 on periodic table | |
| WO2004025707A3 (en) | ACTIVE ELECTRONIC DEVICES BASED ON GALLIUM NITRIDE AND ITS ALLOYS GROWN ON SILICON SUBSTRATES WITH BUFFER LAYERS OF SiCAIN | |
| Mori et al. | Growth of bulk nitrides from a Na flux | |
| Martelli et al. | On the growth of InAs nanowires by molecular beam epitaxy | |
| KR20070047710A (ko) | 반도체 결정 제조 방법 | |
| PL357707A1 (pl) | Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o żądanych własnościach elektrycznych | |
| Dwikusuma et al. | Nucleation and initial growth kinetics of GaN on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy | |
| PL357695A1 (pl) | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal | |
| JP4016553B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法 |