PL357699A1 - Sposób usuwania zanieczyszczeń z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal - Google Patents

Sposób usuwania zanieczyszczeń z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Info

Publication number
PL357699A1
PL357699A1 PL02357699A PL35769902A PL357699A1 PL 357699 A1 PL357699 A1 PL 357699A1 PL 02357699 A PL02357699 A PL 02357699A PL 35769902 A PL35769902 A PL 35769902A PL 357699 A1 PL357699 A1 PL 357699A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
voluminal
mono
removing impurities
nitride containing
containing gallium
Prior art date
Application number
PL02357699A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL02357699A priority Critical patent/PL357699A1/pl
Priority to PL379547A priority patent/PL224993B1/pl
Priority to AU2003285767A priority patent/AU2003285767A1/en
Priority to KR1020057010667A priority patent/KR101088991B1/ko
Priority to JP2004558481A priority patent/JP4824313B2/ja
Priority to EP03778841.1A priority patent/EP1590509B1/en
Priority to PCT/JP2003/015904 priority patent/WO2004053206A1/en
Priority to TW092135281A priority patent/TWI334890B/zh
Priority to US10/537,804 priority patent/US7811380B2/en
Publication of PL357699A1 publication Critical patent/PL357699A1/pl

Links

PL02357699A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób usuwania zanieczyszczeń z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal PL357699A1 (pl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357699A PL357699A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób usuwania zanieczyszczeń z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL379547A PL224993B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
AU2003285767A AU2003285767A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
KR1020057010667A KR101088991B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
JP2004558481A JP4824313B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
EP03778841.1A EP1590509B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
PCT/JP2003/015904 WO2004053206A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
TW092135281A TWI334890B (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
US10/537,804 US7811380B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357699A PL357699A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób usuwania zanieczyszczeń z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL357699A1 true PL357699A1 (pl) 2004-06-14

Family

ID=32733399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL02357699A PL357699A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób usuwania zanieczyszczeń z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL357699A1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2408737B (en) Method of removing organic impurities from water
AU2003255613A8 (en) Method for epitaxial growth of a gallium nitride film separated from its substrate
AU2003285767A8 (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
AU2002323010A1 (en) Process of removing oxygenated contaminants from an olefin composition
AU2003238980A8 (en) Process for obtaining of bulk monocrystallline gallium-containing nitride
AU2002322105A1 (en) Method of selective removal of sige alloys
AU2003205952A1 (en) Method of removing casting defects
AU2003286625A1 (en) Method of forming semiconductor devices through epitaxy
AU2003302085A1 (en) Method for removing metals from acid mine drainage
EP1541721A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON MONOCRYSTAL
PL379548A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego krystalicznego azotku zawierającego gal
TWI309074B (en) Method of forming semiconductor device
AU2003270827A1 (en) Apparatus for installing and removing sink strainer nuts
AU2002359585A1 (en) Method of extracting contaminants from solid matter
AU2003255925A1 (en) Apparatus for separating water from oil
EP1663435B8 (en) Method and equipment for purifying an extraction solution from aqueous entrainment and impurities
EP1199387A4 (en) PROCESS FOR PREPARING SINGLE CRYSTALS FOR SEMICONDUCTORS
EP1569264A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A SILICON PITAXIAL WAFER
PL357699A1 (pl) Sposób usuwania zanieczyszczeń z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
EP1500705A4 (en) PROCESS FOR SEPARATING POLY-3-HYDROXYALKANOIC ACID
PL357704A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL357702A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL357698A1 (pl) Sposób otrzymywania podłoża z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
GB0200793D0 (en) Potted plant remover
PL357703A1 (pl) Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal

Legal Events

Date Code Title Description
REFS Decisions on refusal to grant patents (taken after the publication of the particulars of the applications)