PL357702A1 - Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal - Google Patents

Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Info

Publication number
PL357702A1
PL357702A1 PL02357702A PL35770202A PL357702A1 PL 357702 A1 PL357702 A1 PL 357702A1 PL 02357702 A PL02357702 A PL 02357702A PL 35770202 A PL35770202 A PL 35770202A PL 357702 A1 PL357702 A1 PL 357702A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
voluminal
mono
obtaining
nitride containing
containing gallium
Prior art date
Application number
PL02357702A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL02357702A priority Critical patent/PL357702A1/pl
Priority to PL379547A priority patent/PL224993B1/pl
Priority to AU2003285767A priority patent/AU2003285767A1/en
Priority to KR1020057010667A priority patent/KR101088991B1/ko
Priority to JP2004558481A priority patent/JP4824313B2/ja
Priority to EP03778841.1A priority patent/EP1590509B1/en
Priority to PCT/JP2003/015904 priority patent/WO2004053206A1/en
Priority to TW092135281A priority patent/TWI334890B/zh
Priority to US10/537,804 priority patent/US7811380B2/en
Publication of PL357702A1 publication Critical patent/PL357702A1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
PL02357702A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal PL357702A1 (pl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357702A PL357702A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL379547A PL224993B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
AU2003285767A AU2003285767A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
KR1020057010667A KR101088991B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
JP2004558481A JP4824313B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
EP03778841.1A EP1590509B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
PCT/JP2003/015904 WO2004053206A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
TW092135281A TWI334890B (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
US10/537,804 US7811380B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL02357702A PL357702A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL357702A1 true PL357702A1 (pl) 2004-06-14

Family

ID=32733402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL02357702A PL357702A1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL357702A1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AUPS240402A0 (en) Gallium nitride
PL1769105T3 (pl) Objętościowy monokrystaliczny azotek galu oraz sposób jego wytwarzania
AU2002363469A1 (en) Sintered polycrystalline gallium nitride
AU2003285767A8 (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
AU2003286625A1 (en) Method of forming semiconductor devices through epitaxy
IL159165A0 (en) Process and apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium containing nitride
AU2003255613A8 (en) Method for epitaxial growth of a gallium nitride film separated from its substrate
AU2003299899A1 (en) Gallium nitride crystal, homoepitaxial gallium-nitride-based devices and method for producing same
EP1734158A4 (en) METHOD OF PULLING GALLIUM NITRIDE CRYSTALS AND GALLIUM NITRIDE CRYSTAL
TWI309074B (en) Method of forming semiconductor device
GB2392676B (en) Method of depositing aluminium nitride
EP1702632A4 (en) HAIR GROWTH PROCESS
EP1541721A4 (en) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON MONOCRYSTAL
AU2003285766A8 (en) Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride
EP1577280A4 (en) DEUTERATION PROCESS
AU2002359527A1 (en) Circuit synthesis method using technology parameters extracting circuit
AU2003250710A8 (en) Sampling method
PL357704A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL357702A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL357701A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL357698A1 (pl) Sposób otrzymywania podłoża z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL368483A1 (pl) Monokryształy azotku zawierającego gal oraz jego zastosowanie
AU2003276825A8 (en) Method of immunotherapy
PL357703A1 (pl) Sposób zmniejszania poziomu zanieczyszczeń w objętościowym monokrystalicznym azotku zawierającym gal
AU2002351532A1 (en) Method of sampling