PL402753A1 - Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO - Google Patents
Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnOInfo
- Publication number
- PL402753A1 PL402753A1 PL402753A PL40275313A PL402753A1 PL 402753 A1 PL402753 A1 PL 402753A1 PL 402753 A PL402753 A PL 402753A PL 40275313 A PL40275313 A PL 40275313A PL 402753 A1 PL402753 A1 PL 402753A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- nanopillars
- hydrothermal method
- substrate
- zno
- Prior art date
Links
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 title abstract 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu, zawierającym warstwę zarodkującą wzrost. W sposobie tym, warstwą zarodkującą wzrost jest warstwa ZnO, którą osadza się na podłożu w co najmniej jednym cyklu metodą osadzania warstw atomowych (ALD). Następnie podłoże z taką warstwą umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH od 6,5 do 12, zawierającej co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, temperaturę mieszaniny podnosi się powyżej 25°C, i przez co najmniej 1 sekundę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402753A PL226486B1 (pl) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402753A PL226486B1 (pl) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL402753A1 true PL402753A1 (pl) | 2014-08-18 |
| PL226486B1 PL226486B1 (pl) | 2017-07-31 |
Family
ID=51302479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL402753A PL226486B1 (pl) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL226486B1 (pl) |
-
2013
- 2013-02-13 PL PL402753A patent/PL226486B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL226486B1 (pl) | 2017-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2966474B1 (fr) | Procede de fabrication d'un materiau nanocristallin | |
| WO2012094537A3 (en) | Multi-nary group ib and via based semiconductor | |
| WO2013177269A3 (en) | Zirconium-containing precursors for vapor deposition | |
| RU2016116523A (ru) | Комбинированные составы бифентрина, включающие высокоплавкие средства защиты растений, для применения с жидкими удобрениями | |
| WO2015091781A3 (en) | Method of producing transition metal dichalcogenide layer | |
| IN2014CN03353A (pl) | ||
| GB2563520A (en) | Method providing for a storage element | |
| SG10201806569PA (en) | Pecvd microcrystalline silicon germanium (sige) | |
| MX389406B (es) | Pelicula delgada hibrida organica-inorganica y metodo para su preparacion. | |
| GB201100974D0 (en) | Metamorphic substrate system and method of manufacture of same | |
| JP2015079946A5 (pl) | ||
| SG10201809273VA (en) | Light wave separation lattices and methods of forming light wave separation lattices | |
| TW201612956A (en) | Method of depositing a layer, method of manufacturing a transistor, layer stack for an electronic device, and an electronic device | |
| WO2014008453A3 (en) | Controlled epitaxial boron nitride growth for graphene based transistors | |
| SA515360699B1 (ar) | طريقة لترسيب سيليكون متعدد البللورات | |
| FR2968831B1 (fr) | Procedes de formation de materiaux massifs de nitrure iii sur des couches matricielles de croissance de nitrure de metal et structures formees par ces procedes | |
| PL402753A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO | |
| EP3042978A4 (en) | Method for depositing oxide layer, and layered substrate for epitaxial growth and process for producing same | |
| GB2541613A (en) | Chemical vapor deposition-modified polycrystalline diamond | |
| TW201614716A (en) | Atomic layer epitaxy for semiconductor gate stack layer for advanced channel devices | |
| PL400284A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanoslupków ZnO na podlozu | |
| PL402754A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania zorientowanych nanosłupków ZnO | |
| PL402755A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu | |
| PL398029A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych | |
| FR2981592B1 (fr) | Procede de fabrication par mecanosynthese d'une poudre de czts, son utilisation pour former une couche mince. |