PL398029A1 - Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych - Google Patents
Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowychInfo
- Publication number
- PL398029A1 PL398029A1 PL398029A PL39802912A PL398029A1 PL 398029 A1 PL398029 A1 PL 398029A1 PL 398029 A PL398029 A PL 398029A PL 39802912 A PL39802912 A PL 39802912A PL 398029 A1 PL398029 A1 PL 398029A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- semiconductor substrates
- zno nano
- hydrothermal process
- nano pillars
- producing zno
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 4
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 title abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych, a zwłaszcza na podłożach z arsenku galu. Sposób charakteryzuje się tym, że najpierw podłoże półprzewodnikowe zawierające eutektyczne kulki zarodkujące wzrost umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH wynoszącym 7-12. Mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik co najmniej jeden prekursor tlenu i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny podnosi się do temperatury 60-95°C i przy ciśnieniu atmosferycznym, przez co najmniej 5 minut prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL398029A PL225326B1 (pl) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL398029A PL225326B1 (pl) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL398029A1 true PL398029A1 (pl) | 2013-08-19 |
| PL225326B1 PL225326B1 (pl) | 2017-03-31 |
Family
ID=58408231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL398029A PL225326B1 (pl) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL225326B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL241026B1 (pl) * | 2019-02-26 | 2022-07-18 | Inst Fizyki Polskiej Akademii Nauk | Hydrotermalny sposób wytwarzania warstwy CuO na podłożu |
-
2012
- 2012-02-06 PL PL398029A patent/PL225326B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL225326B1 (pl) | 2017-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2012094537A3 (en) | Multi-nary group ib and via based semiconductor | |
| EA201890238A1 (ru) | Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках | |
| EP2548999A4 (en) | GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, NITRIDE CRYSTAL OF GROUP 13 ELEMENT, CRYSTALLINE SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF | |
| SG136030A1 (en) | Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate | |
| JP2012084860A5 (pl) | ||
| JP2015091740A5 (pl) | ||
| MX2015006843A (es) | Composiciones de liberacion controlada y metodos para su uso. | |
| GR1008013B (el) | Μεθοδος ετεροεπιταξιακης αναπτυξης ιιι-νιτριδιων, πολικοτητας μετωπου-μεταλλου ιιι, πανω σε υποστρωματα αδαμαντα | |
| MY174160A (en) | Polyvinylidene fluoride resin particles and method for producing same | |
| AU2014246723A8 (en) | A method of preparing pure precious metal nanoparticles with large fraction of (100) facets, nanoparticles obtained by this method and their use | |
| AR085349A1 (es) | Metodo para preparar un precursor de catalizador y proceso de sintesis de hidrocarburos | |
| WO2010060630A3 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von reinstsilzium | |
| WO2020223739A3 (en) | Manufacturing process for producing ammonia from anaerobic digestate liquid | |
| WO2014008453A3 (en) | Controlled epitaxial boron nitride growth for graphene based transistors | |
| PL398029A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych | |
| GB2498854B (en) | Semiconductor substrates using bandgap material between III-V channel material and insulator layer | |
| WO2009075321A1 (ja) | ＧａＮ層含有積層基板及びその製造方法並びにデバイス | |
| MD4280B1 (en) | pInP-nCdS structure growth method | |
| WO2014176186A3 (en) | Microbial alkanes from c-1 substrate | |
| WO2013126540A9 (en) | Closed-space sublimation process for production of czts thin-films | |
| FI20115255A0 (fi) | Yhdistelmäpuolijohdesubstraatti, puolijohdelaite, ja valmistusmenetelmä | |
| PL400284A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanoslupków ZnO na podlozu | |
| PL402753A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO | |
| PL419727A1 (pl) | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury | |
| PL402755A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu |