PL407110A1 - Sposób wytwarzania warstwy nawęglonej 3C-SiC na podłożu Si - Google Patents
Sposób wytwarzania warstwy nawęglonej 3C-SiC na podłożu SiInfo
- Publication number
- PL407110A1 PL407110A1 PL407110A PL40711014A PL407110A1 PL 407110 A1 PL407110 A1 PL 407110A1 PL 407110 A PL407110 A PL 407110A PL 40711014 A PL40711014 A PL 40711014A PL 407110 A1 PL407110 A1 PL 407110A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- flow
- substrate
- sic
- layer
- hydrogen
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 5
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 abstract 3
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 abstract 2
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania warstwy nawęglonej 3C-SiC na podłożu Si przez chemiczne osadzanie z fazy gazowej w reaktorze, obejmujący następujące kroki: a. trawienia podłoża Si w przepływie wodoru; b. nawęglania w przepływie wodoru i prekursora węgla z wytworzeniem warstwy 3C-SiC na podłożu Si; c. wygrzewania warstwy 3C-SiC w przepływie wodoru. Sposób charakteryzuje się tym, że krok wygrzewania następuje bezpośrednio po kroku nawęglania, zasadniczo w tych samych warunkach temperaturowych co krok nawęglania, przy czym w kroku wygrzewania jednocześnie z przepływem wodoru stosuje się przepływ prekursora krzemu i steruje się przepływem wodoru i przepływem prekursora krzemu tak, aby nad powierzchnią warstwy 3C-SiC na podłożu Si otrzymać warstwę "stojących" gazów o przepływie lateralnym, ukierunkowanym na poziomie makroskopowym (ang. "stagnant layer") i zatrzymać sublimację Si z warstwy 3C-SiC.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL407110A PL407110A1 (pl) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | Sposób wytwarzania warstwy nawęglonej 3C-SiC na podłożu Si |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL407110A PL407110A1 (pl) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | Sposób wytwarzania warstwy nawęglonej 3C-SiC na podłożu Si |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL407110A1 true PL407110A1 (pl) | 2015-08-17 |
Family
ID=53786645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL407110A PL407110A1 (pl) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | Sposób wytwarzania warstwy nawęglonej 3C-SiC na podłożu Si |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL407110A1 (pl) |
-
2014
- 2014-02-07 PL PL407110A patent/PL407110A1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SG10201802228YA (en) | Selective growth of silicon nitride | |
| TW200943389A (en) | Selective formation of silicon carbon epitaxial layer | |
| JP2013545275A5 (pl) | ||
| PL391416A1 (pl) | Sposób wytwarzania grafenu | |
| SG136030A1 (en) | Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate | |
| GB2531453A (en) | Formation of heteroepitaxial layers with rapid thermal processing to remove lattice dislocations | |
| TW201612352A (en) | Method for hydrophobization of surface of silicon-containing film by ALD | |
| BRPI0909305A2 (pt) | Processo e sistema de depósito de um metal ou metaloide sobre nanotubos de carbono | |
| ATE495282T1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden kristalliner schichten wahlweise mittels mocvd oder hvpe | |
| WO2013036376A3 (en) | Methods for the epitaxial growth of silicon carbide | |
| WO2012002995A3 (en) | Thin films and methods of making them using cyclohexasilane | |
| MX2010011611A (es) | Metodo de recubrimiento de zinc por difusion. | |
| WO2012071163A3 (en) | Composite removable hardmask | |
| SG157279A1 (en) | Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer | |
| JP2011233932A5 (pl) | ||
| FI3114248T3 (fi) | Germaniumin tai germaniumoksidin atomikerroskasvatus | |
| WO2012170511A3 (en) | Methods for cleaning a surface of a substrate using a hot wire chemical vapor deposition (hwcvd) chamber | |
| GB0509499D0 (en) | Use of thermal barrier for low temperature growth of nanostructures using top-down heating approach | |
| NZ609295A (en) | Method for treating semiconductor substrates and a semiconductor substrate | |
| MX2012006821A (es) | Celula solar de pelicula fina de silicio que tiene turbidez mejorada y metodos de fabricacion de la misma. | |
| WO2017122963A3 (ko) | 에피텍셜 웨이퍼 제조 방법 | |
| WO2016191194A8 (en) | Pentachlorodisilane | |
| FI20115321A0 (fi) | Menetelmä yhden tai useamman monikiteisen piikerroksen kerrrostamiseksi substraatille | |
| PL407110A1 (pl) | Sposób wytwarzania warstwy nawęglonej 3C-SiC na podłożu Si | |
| JP2016082010A5 (pl) |