PL424714A1 - Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni - Google Patents
Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchniInfo
- Publication number
- PL424714A1 PL424714A1 PL424714A PL42471418A PL424714A1 PL 424714 A1 PL424714 A1 PL 424714A1 PL 424714 A PL424714 A PL 424714A PL 42471418 A PL42471418 A PL 42471418A PL 424714 A1 PL424714 A1 PL 424714A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- photoactive
- highly developed
- composite
- developed surface
- electrochemical deposition
- Prior art date
Links
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
Zgłoszenie dotyczy sposobu otrzymywania kompozytu, obejmującego nośnik przewodzący, fotoaktywny substrat drobnocząstkowy i warstwę wiążącą. Sposób ten polega na immobilizacji drobnocząstkowego substratu wykazującego fotoaktywność w warstwie wiążącej na nośniku przewodzącym przy zastosowaniu metody osadzania elektrochemicznego na katodzie. Zgłoszenie dotyczy również kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni tj. powierzchni chropowatej i/lub porowatej zbudowanej z agregatów substratu fotoaktywnego o wielkości ≤ 400 nm. Jako substrat fotoaktywny stosuje się TiO2 i/lub ZnO i/lub Cu2O i/lub WO3 i/lub SnO2 i/lub ZrO2 i/lub Fe2O3 i/lub V2O5 i/lub ZnS i/lub CdS lub ich mieszaniny domieszkowane metalami, półmetalami i/lub niemetalami. Stosuje się taki prekursor warstwy wiążącej aby uzyskać warstwę wiążącą taką jak TiO2 i/lub ZnO i/lub Cu2O i/lub WO3 i/lub Fe2O3, zaś jako nośnik przewodzący stosuje się metal, półmetal, węgiel, grafit lub półprzewodnik dowolnego rodzaju. Elektrochemiczne osadzanie przeprowadzane jest na co najmniej jednej powierzchni nośnika przewodzącego metodą galwanostatyczną lub galwanodynamiczną lub pulsacyjno-galwanostatyczną albo metodą potencjostatyczną, pulsacyjno-potencjostatyczną lub potencjodynamiczną. Po zakończeniu osadzania elektrochemicznego uzyskany produkt obmywa się, a następnie poddaje się obróbce cieplnej.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL424714A PL247491B1 (pl) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL424714A PL247491B1 (pl) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL424714A1 true PL424714A1 (pl) | 2019-09-09 |
| PL247491B1 PL247491B1 (pl) | 2025-07-14 |
Family
ID=67844640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL424714A PL247491B1 (pl) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL247491B1 (pl) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL387402A1 (pl) * | 2009-03-04 | 2010-09-13 | Politechnika Poznańska | Sposób osadzania hydroksyapatytu na powierzchni tytanu i jego stopów |
| PL392892A1 (pl) * | 2010-11-08 | 2012-05-21 | Politechnika Poznańska | Sposób otrzymywania implantów hydroksyapatytowo-tytanowych |
-
2018
- 2018-02-28 PL PL424714A patent/PL247491B1/pl unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL387402A1 (pl) * | 2009-03-04 | 2010-09-13 | Politechnika Poznańska | Sposób osadzania hydroksyapatytu na powierzchni tytanu i jego stopów |
| PL392892A1 (pl) * | 2010-11-08 | 2012-05-21 | Politechnika Poznańska | Sposób otrzymywania implantów hydroksyapatytowo-tytanowych |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL247491B1 (pl) | 2025-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lin et al. | Preparation, characterization, and electrophysical properties of nanostructured BiPO4 and Bi2Se3 derived from a structurally characterized, single-source precursor Bi [Se2P (O i Pr) 2] 3 | |
| Grave et al. | The “Rust” challenge: on the correlations between electronic structure, excited state dynamics, and photoelectrochemical performance of hematite photoanodes for solar water splitting | |
| Nandhakumar et al. | Electrodeposition of nanostructured mesoporous selenium films (HI-eSe) | |
| Keeling et al. | Collective coherence in planar semiconductor microcavities | |
| Shao et al. | Copper nanoparticles grafted on a silicon wafer and their excellent surface‐enhanced Raman scattering | |
| Deville et al. | Influence of particle size on ice nucleation and growth during the ice‐templating process | |
| Escax et al. | Nature of the Long-Range Structural Changes Induced by the Molecular Photoexcitation and by the Relaxation in the Prussian Blue Analogue Rb1. 8Co4 [Fe (CN) 6] 3.3⊙ 13H2O. A Synchrotron X-ray Diffraction Study | |
| ATE510044T1 (de) | Verfahren zur präzisionsbearbeitung von substraten und dessen verwendung | |
| Zhang et al. | Hole carriers doping effect on the metal–insulator transition of N-incorporated vanadium dioxide thin films | |
| Jeong et al. | Rapid surface reconstruction of In2S3 photoanode via flame treatment for enhanced photoelectrochemical performance | |
| MX391294B (es) | Un proceso para recubrir superficies metálicas de sustratos con composiciones acuosas en forma de una dispersión y/o una suspensión que contiene por lo menos un aglutinante estabilizado. | |
| Wang et al. | Electrodeposition of oriented cerium oxide films | |
| CN104561937A (zh) | 原子层沉积制备具有固体润滑作用的ws2薄膜方法 | |
| Ramadan et al. | Unravelling the improved electronic and structural properties of methylammonium lead iodide deposited from acetonitrile | |
| Osherov et al. | Role of solution chemistry in determining the morphology and photoconductivity of electrodeposited cuprous oxide films | |
| RU2011107880A (ru) | Способ получения неприлипающего покрытия на основе карбида кремния | |
| Boubaker | The Lattice Compatibility Theory: Arguments for Recorded I‐III‐O2 Ternary Oxide Ceramics Instability at Low Temperatures beside Ternary Telluride and Sulphide Ceramics | |
| Qi et al. | Thermal annealing effects on the electrophysical characteristics of sputtered MoS2 thin films by Hall effect measurements | |
| Lu et al. | Atomic structure and electronic structure of disordered graphitic carbon nitride | |
| Lü et al. | Wafer‐Scale Growth and Transfer of High‐Quality MoS2 Array by Interface Design for High‐Stability Flexible Photosensitive Device | |
| PL424714A1 (pl) | Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni | |
| Lorenz et al. | Highly textured fresnoite thin films synthesized in situ by pulsed laser deposition with CO2 laser direct heating | |
| Ben Messaoud et al. | Structural and optothermal properties of iron ditelluride layered structures in the framework of the lattice compatibility theory | |
| Graaf et al. | Structural changes of electrodeposited ZnO matrices for dye-sensitized solar cells during preparation | |
| Zeng et al. | ZnO thin films prepared on titanium substrate by PLD technique at different substrate temperatures |