PL424714A1 - Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni - Google Patents

Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni

Info

Publication number
PL424714A1
PL424714A1 PL424714A PL42471418A PL424714A1 PL 424714 A1 PL424714 A1 PL 424714A1 PL 424714 A PL424714 A PL 424714A PL 42471418 A PL42471418 A PL 42471418A PL 424714 A1 PL424714 A1 PL 424714A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
photoactive
highly developed
composite
developed surface
electrochemical deposition
Prior art date
Application number
PL424714A
Other languages
English (en)
Other versions
PL247491B1 (pl
Inventor
Andreas Hänel
Jan Hupka
Original Assignee
Politechnika Gdańska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Gdańska filed Critical Politechnika Gdańska
Priority to PL424714A priority Critical patent/PL247491B1/pl
Publication of PL424714A1 publication Critical patent/PL424714A1/pl
Publication of PL247491B1 publication Critical patent/PL247491B1/pl

Links

Landscapes

  • Catalysts (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

Zgłoszenie dotyczy sposobu otrzymywania kompozytu, obejmującego nośnik przewodzący, fotoaktywny substrat drobnocząstkowy i warstwę wiążącą. Sposób ten polega na immobilizacji drobnocząstkowego substratu wykazującego fotoaktywność w warstwie wiążącej na nośniku przewodzącym przy zastosowaniu metody osadzania elektrochemicznego na katodzie. Zgłoszenie dotyczy również kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni tj. powierzchni chropowatej i/lub porowatej zbudowanej z agregatów substratu fotoaktywnego o wielkości ≤ 400 nm. Jako substrat fotoaktywny stosuje się TiO2 i/lub ZnO i/lub Cu2O i/lub WO3 i/lub SnO2 i/lub ZrO2 i/lub Fe2O3 i/lub V2O5 i/lub ZnS i/lub CdS lub ich mieszaniny domieszkowane metalami, półmetalami i/lub niemetalami. Stosuje się taki prekursor warstwy wiążącej aby uzyskać warstwę wiążącą taką jak TiO2 i/lub ZnO i/lub Cu2O i/lub WO3 i/lub Fe2O3, zaś jako nośnik przewodzący stosuje się metal, półmetal, węgiel, grafit lub półprzewodnik dowolnego rodzaju. Elektrochemiczne osadzanie przeprowadzane jest na co najmniej jednej powierzchni nośnika przewodzącego metodą galwanostatyczną lub galwanodynamiczną lub pulsacyjno-galwanostatyczną albo metodą potencjostatyczną, pulsacyjno-potencjostatyczną lub potencjodynamiczną. Po zakończeniu osadzania elektrochemicznego uzyskany produkt obmywa się, a następnie poddaje się obróbce cieplnej.
PL424714A 2018-02-28 2018-02-28 Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni PL247491B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424714A PL247491B1 (pl) 2018-02-28 2018-02-28 Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424714A PL247491B1 (pl) 2018-02-28 2018-02-28 Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL424714A1 true PL424714A1 (pl) 2019-09-09
PL247491B1 PL247491B1 (pl) 2025-07-14

Family

ID=67844640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL424714A PL247491B1 (pl) 2018-02-28 2018-02-28 Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL247491B1 (pl)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL387402A1 (pl) * 2009-03-04 2010-09-13 Politechnika Poznańska Sposób osadzania hydroksyapatytu na powierzchni tytanu i jego stopów
PL392892A1 (pl) * 2010-11-08 2012-05-21 Politechnika Poznańska Sposób otrzymywania implantów hydroksyapatytowo-tytanowych

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL387402A1 (pl) * 2009-03-04 2010-09-13 Politechnika Poznańska Sposób osadzania hydroksyapatytu na powierzchni tytanu i jego stopów
PL392892A1 (pl) * 2010-11-08 2012-05-21 Politechnika Poznańska Sposób otrzymywania implantów hydroksyapatytowo-tytanowych

Also Published As

Publication number Publication date
PL247491B1 (pl) 2025-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Carrete et al. Antimony-based ligand exchange to promote crystallization in spray-deposited Cu2ZnSnSe4 solar cells
Grave et al. The “Rust” challenge: on the correlations between electronic structure, excited state dynamics, and photoelectrochemical performance of hematite photoanodes for solar water splitting
Platzman et al. Oxidation of polycrystalline copper thin films at ambient conditions
Pawar et al. Electrosynthesis and characterization of iron selenide thin films
Keeling et al. Collective coherence in planar semiconductor microcavities
Nan et al. Soft hydrogen plasma induced phase transition in monolayer and few-layer MoTe2
Escax et al. Nature of the Long-Range Structural Changes Induced by the Molecular Photoexcitation and by the Relaxation in the Prussian Blue Analogue Rb1. 8Co4 [Fe (CN) 6] 3.3⊙ 13H2O. A Synchrotron X-ray Diffraction Study
Avellaneda et al. Thin films of tin sulfides: Structure, composition and optoelectronic properties
Cao et al. Photocatalytic activity and photocorrosion of atomic layer deposited ZnO ultrathin films for the degradation of methylene blue
ATE510044T1 (de) Verfahren zur präzisionsbearbeitung von substraten und dessen verwendung
Zhang et al. Hole carriers doping effect on the metal–insulator transition of N-incorporated vanadium dioxide thin films
Jeong et al. Rapid surface reconstruction of In2S3 photoanode via flame treatment for enhanced photoelectrochemical performance
MX391294B (es) Un proceso para recubrir superficies metálicas de sustratos con composiciones acuosas en forma de una dispersión y/o una suspensión que contiene por lo menos un aglutinante estabilizado.
CN104561937A (zh) 原子层沉积制备具有固体润滑作用的ws2薄膜方法
Osherov et al. Role of solution chemistry in determining the morphology and photoconductivity of electrodeposited cuprous oxide films
Viezbicke et al. Solvothermal synthesis of Cu3BiS3 enabled by precursor complexing
Zhu et al. Seed layer-assisted chemical bath deposition of CuO films on ITO-coated glass substrates with tunable crystallinity and morphology
Boubaker The Lattice Compatibility Theory: Arguments for Recorded I‐III‐O2 Ternary Oxide Ceramics Instability at Low Temperatures beside Ternary Telluride and Sulphide Ceramics
Qi et al. Thermal annealing effects on the electrophysical characteristics of sputtered MoS2 thin films by Hall effect measurements
JP2008280207A (ja) ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
Lu et al. Atomic structure and electronic structure of disordered graphitic carbon nitride
Lü et al. Wafer‐Scale Growth and Transfer of High‐Quality MoS2 Array by Interface Design for High‐Stability Flexible Photosensitive Device
Shinagawa et al. Size-controllable growth of vertical ZnO nanorod arrays by a Pd-catalyzed chemical solution process
PL424714A1 (pl) Sposób wytwarzania kompozytu fotoaktywnego o wysoce rozwiniętej powierzchni oraz kompozyt fotoaktywny o wysoce rozwiniętej powierzchni
Ben Messaoud et al. Structural and optothermal properties of iron ditelluride layered structures in the framework of the lattice compatibility theory