PL446023A1 - Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma - Google Patents

Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma

Info

Publication number
PL446023A1
PL446023A1 PL446023A PL44602323A PL446023A1 PL 446023 A1 PL446023 A1 PL 446023A1 PL 446023 A PL446023 A PL 446023A PL 44602323 A PL44602323 A PL 44602323A PL 446023 A1 PL446023 A1 PL 446023A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
line
coupled
pair
lines
capacitive diode
Prior art date
Application number
PL446023A
Other languages
English (en)
Inventor
Mirosław Magnuski
Dariusz Wójcik
Maciej Surma
Artur Noga
Original Assignee
Politechnika Śląska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Śląska filed Critical Politechnika Śląska
Priority to PL446023A priority Critical patent/PL446023A1/pl
Publication of PL446023A1 publication Critical patent/PL446023A1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

Układ dwuobwodowy przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma, charakteryzuje się tym, że wykonany jest w technice mikropaskowej jako dwuwarstwowy obwód drukowany i zbudowany jest z sześciu odcinków mikropaskowych linii transmisyjnych: (L1, L2, L3, L4, L5, L6) o korzystnie dobranych impedancjach charakterystycznych i długościach, dwóch par mikropaskowych linii sprzężonych o korzystnie dobranych impedancjach charakterystycznych i impedancjach wzajemnych: pierwszej pary linii sprzężonych (PLS1) składającej się z linii (LS1, LS2) oraz drugiej pary linii sprzężonych (PLS2) składającej się z linii (LS3, LS4), ośmiu diod pojemnościowych: (D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7, D8), czterech przelotek łączących do masy: (V1, V2, V3, V4) i czterech rezystorów: (R1, R2, R3, R4), elementy filtru rozmieszczone są na jednej warstwie obwodu drukowanego, drugą metalizowaną warstwę stanowi masa układu, przy czym wrota wejściowe (WWE) stanowi pierwszy koniec (KL1-1) pierwszej linii (L1), której drugi koniec (KL1-2) dołączony jest do pierwszego końca (KL2-1) drugiej linii (L2) oraz do pierwszego końca (KLS1-1) pierwszej linii sprzężonej (LS1) wchodzącej w skład pierwszej pary linii sprzężonych (PLS1), przy czym drugi koniec (KLS1-2) pierwszej linii sprzężonej (LS1) jest dołączony do masy układu za pomocą pierwszej przelotki (V1), drugi koniec (KL2-2) drugiej linii (L2) dołączony jest do anody szóstej diody pojemnościowej (D6), której katoda (D6) dołączona jest do katody piątej diody pojemnościowej (D5) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR3-1) trzeciego rezystora (R3), anoda piątej diody pojemnościowej (D5) dołączona jest do pierwszego końca (KL3-1) trzeciej linii (L3), której drugi koniec (KL3-2) dołączony jest do pierwszego końca (KLS3-1) trzeciej linii sprzężonej (LS3) wchodzącej w skład drugiej pary linii sprzężonych (PLS2), drugi koniec (KLS3-2) trzeciej linii sprzężonej (LS3) dołączony jest do masy układu za pomocą przelotki (V3), trzecia linia (L3) jest zagięta pod katem prostym, natomiast wrota wyjściowe (WWY) stanowi drugi koniec (KL6-2) szóstej linii (L6), której pierwszy koniec (KL6-1) dołączony jest do drugiego końca (KL5-2) piątej linii (L5) oraz do pierwszego końca (KLS4-1) czwartej linii sprzężonej (LS4) wchodzącej w skład drugiej pary linii sprzężonych (PLS2), drugi koniec (KLS4-2) czwartej linii sprzężonej (LS4) jest dołączony do masy układu za pomocą pierwszej przelotki (V4), pierwszy koniec (KL5-1) piątej linii (L5) dołączony jest do anody siódmej diody pojemnościowej (D7), której katoda (D7) dołączona jest do katody ósmej diody pojemnościowej (D8) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR4-1) czwartego rezystora (R4), a anoda ósmej diody pojemnościowej (D8) dołączona jest do drugiego końca (KL4-2) czwartej linii (L4), przy czym pierwszy koniec (KL4-1) czwartej linii (L4) dołączony jest do pierwszego końca (KLS2-1) drugiej linii sprzężonej (LS2) wchodzącej w skład pierwszej pary linii sprzężonych (PLS1), drugi koniec (KLS2-2) drugiej linii sprzężonej (LS2) dołączony jest do masy układu za pomocą przelotki (V2), czwarta linia (L4) jest zagięta pod katem prostym, anoda pierwszej diody pojemnościowej (D1) dołączona jest do węzła (P1) należącego do drugiej linii sprzężonej (LS2) wchodzącej w skład pierwszej pary linii sprzężonych (PLS1), której katoda (D1) dołączona jest do katody drugiej diody pojemnościowej (D2) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR1-1) pierwszego rezystora (R1), anoda drugiej diody pojemnościowej (D2) dołączona jest do węzła (P2) należącego do pierwszej linii sprzężonej (LS1) wchodzącej w skład pierwszej pary linii sprzężonych (PLS1), anoda trzeciej diody pojemnościowej (D3) dołączona jest do węzła (P3) należącego do czwartej linii sprzężonej (LS4) wchodzącej w skład drugiej pary linii sprzężonych (PLS2), katoda trzeciej diody pojemnościowej (D3) dołączona jest do katody czwartej diody pojemnościowej (D4) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR2-1) drugiego rezystora (R2), anoda czwartej diody pojemnościowej (D4) dołączona jest do węzła (P4) należącego do trzeciej linii sprzężonej (LS3) wchodzącej w skład drugiej pary linii sprzężonych (PLS2), drugie doprowadzenie (KR1-2) pierwszego rezystora (R1) oraz drugie doprowadzenie (KR2-2) drugiego rezystora (R2) dołączone są do napięcia sterującego (VD)), a drugie doprowadzenie (KR3-2) trzeciego rezystora (R3) oraz drugie doprowadzenie (KR4-2) czwartego rezystora (R4) dołączone są do napięcia sterującego (VS).
PL446023A 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma PL446023A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL446023A PL446023A1 (pl) 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL446023A PL446023A1 (pl) 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL446023A1 true PL446023A1 (pl) 2025-03-10

Family

ID=94868632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL446023A PL446023A1 (pl) 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL446023A1 (pl)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132201A (ja) * 1987-02-11 1989-05-24 Alcatel Thomson Faisceaux Hertziens 同調可能マイクロウェーブフィルタ
EP0471433A2 (en) * 1990-06-20 1992-02-19 Gpt Limited Voltage controlled oscillator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132201A (ja) * 1987-02-11 1989-05-24 Alcatel Thomson Faisceaux Hertziens 同調可能マイクロウェーブフィルタ
EP0471433A2 (en) * 1990-06-20 1992-02-19 Gpt Limited Voltage controlled oscillator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9438223B2 (en) Transistor based switch stack having filters for preserving AC equipotential nodes
CN103618528B (zh) 一种微波单刀多掷开关
CN109150122B (zh) 一种可重构的分布式放大器电路
CN108023572A (zh) 一种低相差cmos差分数控衰减器
PL446023A1 (pl) Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma
PL446022A1 (pl) Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego
US2131101A (en) Resistance attenuator
CN203788253U (zh) 一种微波单刀多掷开关
CN105356855A (zh) 一种可调的分布式放大器电路
PL442822A1 (pl) Trzyobwodowy przestrajany planarny mikrofalowy filtr pasmowoprzepustowy o zwiększonej stromości zboczy
KR890008999A (ko) 디지탈 집적회로
PL446024A1 (pl) Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo
CN105226368B (zh) 宽带定向耦合器
CN105322263B (zh) 微波一分n功率分配器
KR101591689B1 (ko) 반도체장치
US20070290762A1 (en) Two-port dual-gate HEMT for discrete device application
PL440488A1 (pl) Układ ogniwa mikrofalowego planarnego filtru pasmowoprzepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy
US3493901A (en) Gyrator type circuit
Prokopenko et al. The methods of the bandwidth enhancement of the flash ADC with the differential input
CN109492267B (zh) 一种soi工艺中的射频电阻模型
CN107896094A (zh) 一种分布式放大器电路及其实现方法
US3497836A (en) Nonreciprocal transistor network
GB1384942A (en) Admittance-matching network for the parallel connection of wide-band active power elements
KR101224487B1 (ko) 고 전력 비율을 갖는 비대칭 전력 분배기
Ettaghzouti et al. Novel second generation current conveyor and voltage mode universal filter application