PL446024A1 - Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo - Google Patents

Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo

Info

Publication number
PL446024A1
PL446024A1 PL446024A PL44602423A PL446024A1 PL 446024 A1 PL446024 A1 PL 446024A1 PL 446024 A PL446024 A PL 446024A PL 44602423 A PL44602423 A PL 44602423A PL 446024 A1 PL446024 A1 PL 446024A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
lead
line
resistor
capacitor
bent
Prior art date
Application number
PL446024A
Other languages
English (en)
Inventor
Dariusz Wójcik
Mirosław Magnuski
Maciej Surma
Artur Noga
Original Assignee
Politechnika Śląska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Śląska filed Critical Politechnika Śląska
Priority to PL446024A priority Critical patent/PL446024A1/pl
Publication of PL446024A1 publication Critical patent/PL446024A1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203Strip line filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo charakteryzuje się tym, że wykonany jest w technice mikropaskowej jako dwuwarstwowy obwód drukowany i zbudowany jest z dziesięciu odcinków mikropaskowych linii transmisyjnych: (L1), (L2), (L3), (L4), (L5), (L6), (L7), (L8), (L9), (L10) o korzystnie dobranych impedancjach charakterystycznych i długościach, sześciu diod pojemnościowych: (D1), (D2), (D3), (D4), (D5), (D6), sześciu kondensatorów (C1), (C2), (C3), (C4), (C5), (C6) i ośmiu rezystorów: (R1), (R2), (R3), (R4), (R5), (R6), (R7), (R8), elementy filtru rozmieszczone są na jednej warstwie obwodu drukowanego, drugą metalizowaną warstwę stanowi masa układu, przy czym wrota wejściowe (WWE) stanowi pierwsze doprowadzenie (KC1-1) pierwszego kondensatora (C1), drugie doprowadzenie (KC1- 2) pierwszego kondensatora (C1) dołączone jest jednocześnie do pierwszego końca (KL1-1) pierwszej linii (L1) oraz do pierwszego doprowadzenia (KC2-1) drugiego kondensatora (C2), drugie doprowadzenie (KC2-2) drugiego kondensatora (C2) jest dołączone jednocześnie do katody pierwszej diody pojemnościowej (D1) oraz do pierwszego doprowadzenia (KC3-1) trzeciego kondensatora (C3) oraz do drugiego doprowadzenia (KR1-2) pierwszego rezystora (R1), pierwsze doprowadzenie (KR1-1) pierwszego rezystora (R1) dołączone jest do napięcia sterującego (V2), anoda pierwszej diody pojemnościowej (D1) dołączona jest do pierwszego końca (KL9-1) dziewiątej linii transmisyjnej (L9), drugi koniec (KL9-2) dziewiątej linii transmisyjnej (L9) dołączony jest do masy układu, drugie doprowadzenie trzeciego kondensatora (C3) dołączone jest do drugiego końca (KL8-2) ósmej linii (L8), pierwszy koniec (KL8-1) ósmej linii (L8) dołączony jest jednocześnie do drugiego doprowadzenia (KR7-2) siódmego rezystora (R7) oraz do drugiego końca (KL7-2) siódmej linii (L7), pierwsze doprowadzenie (KR7-1) siódmego rezystora (R7) dołączone jest do masy układu, pierwszy koniec (KL7-1) siódmej linii (L7) dołączony jest do anody piątej diody pojemnościowej (D5), katoda piątej diody pojemnościowej (D5) dołączona jest jednocześnie do katody szóstej diody pojemnościowej (D6) oraz do drugiego doprowadzenia (KR4-2) czwartego rezystora (R4), pierwsze doprowadzenie (KR4-1) czwartego rezystora (R4) dołączone jest do napięcia sterującego (V1), anoda szóstej diody pojemnościowej (D6) dołączona jest do drugiego końca (KL6-2) szóstej linii (L6), pierwszy koniec (KL6-1) linii (L6) dołączony jest jednocześnie do drugiego doprowadzenia (KR8-2) ósmego rezystora (R8) oraz do drugiego końca (KL5-2) piątej linii (L5), pierwsze doprowadzenie (KR8-1) ósmego rezystora (R8) dołączone jest do masy układu, pierwszy koniec (KL5-1) piątej linii (L5) dołączony jest jednocześnie do drugiego doprowadzenia (KC4-2) czwartego kondensatora (C4) oraz do pierwszego doprowadzenia (KC5-1) piątego kondensatora (C5), drugie doprowadzenia (KC5-2) piątego kondensatora (C5) dołączone jest jednocześnie do katody drugiej diody pojemnościowej (D2) oraz do drugiego doprowadzenia (KR2-2) drugiego rezystora (R2) oraz do drugiego doprowadzenia (KC6-2) szóstego kondensatora (C6), anoda drugiej diody (D2) dołączona jest do pierwszego końca (KL10-1) dziesiątej linii transmisyjnej (L10), drugi koniec (KL10-2) dziesiątej linii transmisyjnej (L10) dołączony jest do masy układu, pierwsze doprowadzenie (KR2-1) drugiego rezystora (R2) dołączone jest do napięcia sterującego (V2), pierwsze doprowadzenie (KC4-1) czwartego kondensatora (C4) dołączone jest do wrót wyjściowych układu (WWY), pierwsze doprowadzenie (KC6-1) szóstego kondensatora (C6) dołączone jest do drugiego końca (KL4-2) czwartej linii (L4), pierwszy koniec (KL4-1) czwartej linii (L4) dołączony jest jednocześnie do drugiego doprowadzenia (KR6-2) szóstego rezystora (R6) oraz do drugiego końca (KL3-2) trzeciej linii (L3), pierwsze doprowadzenie (KR6-1) szóstego rezystora (R6) dołączone jest do masy układu, pierwszy koniec (KL3-1) trzeciej linii (L3) dołączony jest do anody czwartej diody pojemnościowej (D4), katoda czwartej diody pojemnościowej (D4) jest dołączona jednocześnie do katody trzeciej diody pojemnościowej (D3) oraz do drugiego doprowadzenia (KR3-2) trzeciego rezystora (R3), pierwsze doprowadzenie (KR3-1) trzeciego rezystora (R3) dołączone jest do napięcia sterującego (V1), anoda trzeciej diody (D3) dołączona jest do drugiego końca (KL2-2) drugiej linii (L2), pierwszy koniec (KL2-1) drugiej linii (L2) dołączony jest jednocześnie do drugiego doprowadzenia (KR5-2) piątego rezystora (R5) oraz do drugiego końca (KL1-2) pierwszej linii (L1), pierwsza linia (L1) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach, druga linia (L2) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach, trzecia linia (L3) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach, czwarta linia (L4) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach, piąta linia (L5) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach, szósta linia (L6) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach, siódma linia (L7) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach, ósma linia (L8) zagięta jest pod kątem prostym w trzech korzystnie dobranych punktach.
PL446024A 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo PL446024A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL446024A PL446024A1 (pl) 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL446024A PL446024A1 (pl) 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL446024A1 true PL446024A1 (pl) 2025-03-10

Family

ID=94868631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL446024A PL446024A1 (pl) 2023-09-04 2023-09-04 Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL446024A1 (pl)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132201A (ja) * 1987-02-11 1989-05-24 Alcatel Thomson Faisceaux Hertziens 同調可能マイクロウェーブフィルタ
EP0471433A2 (en) * 1990-06-20 1992-02-19 Gpt Limited Voltage controlled oscillator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132201A (ja) * 1987-02-11 1989-05-24 Alcatel Thomson Faisceaux Hertziens 同調可能マイクロウェーブフィルタ
EP0471433A2 (en) * 1990-06-20 1992-02-19 Gpt Limited Voltage controlled oscillator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103618528A (zh) 一种微波单刀多掷开关
CN105356623B (zh) 一种高效率整流电路
PL446024A1 (pl) Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego, mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego sprzężonego pojemnościowo
TWI257114B (en) Integrated capacitor
PL442822A1 (pl) Trzyobwodowy przestrajany planarny mikrofalowy filtr pasmowoprzepustowy o zwiększonej stromości zboczy
PL446022A1 (pl) Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego
PL446023A1 (pl) Układ dwuobwodowego, przestrajanego, planarnego mikrofalowego filtru pasmowoprzepustowego o regulowanej szerokości pasma
CN203027214U (zh) 射频可调衰减器
CN109495103B (zh) 一种集成了直流隔离的ic及其应用
CN205303640U (zh) 基于慢波结构的双频等分威尔金森功分器
CN206283480U (zh) 单刀八掷开关
CN208062233U (zh) 2-18GHz超宽带低插损0度功分器
TWI558124B (zh) 用於乙太網路之傳輸電路
PL440488A1 (pl) Układ ogniwa mikrofalowego planarnego filtru pasmowoprzepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy
CN106329052A (zh) 一种功率分配器
CN205212560U (zh) 一种高效率整流电路
CN105609915A (zh) 基于慢波结构的双频等分威尔金森功分器及设计方法
CN109492267B (zh) 一种soi工艺中的射频电阻模型
CN115622523A (zh) 一种基于ltcc的滤波器
CN106330167A (zh) 实现宽带耦合的集成电路
CN205646094U (zh) 一种小尺寸超宽带功分器
KR101224487B1 (ko) 고 전력 비율을 갖는 비대칭 전력 분배기
CN107612362B (zh) 一种宽输入功率范围的高效率整流电路
Chien et al. A single-element CMOS-based electronic de-embedding technique with TRL level of accuracy
JPS5549008A (en) High-frequency and high-output transistor amplifier