RU2012141152A - Способ соединения, герметичная конструкция, изготовленная данным способом, и система герметичных конструкций - Google Patents

Способ соединения, герметичная конструкция, изготовленная данным способом, и система герметичных конструкций Download PDF

Info

Publication number
RU2012141152A
RU2012141152A RU2012141152/28A RU2012141152A RU2012141152A RU 2012141152 A RU2012141152 A RU 2012141152A RU 2012141152/28 A RU2012141152/28 A RU 2012141152/28A RU 2012141152 A RU2012141152 A RU 2012141152A RU 2012141152 A RU2012141152 A RU 2012141152A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metal
connection
temperature
zone
plate
Prior art date
Application number
RU2012141152/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2536076C2 (ru
Inventor
Нильс ХОЙВИК
Биргер СТАРК
Андерс ЭЛФИНГ
Кайин ВАН
Original Assignee
Сенсонор Ас
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сенсонор Ас filed Critical Сенсонор Ас
Publication of RU2012141152A publication Critical patent/RU2012141152A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2536076C2 publication Critical patent/RU2536076C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/60—Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/033—Thermal bonding
    • B81C2203/035—Soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01331—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition
    • H10W72/01333—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition in liquid form, e.g. spin coating, spray coating or immersion coating
    • H10W72/01335—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition in liquid form, e.g. spin coating, spray coating or immersion coating by plating, e.g. electroless plating or electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01351—Changing the shapes of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07302—Connecting or disconnecting of die-attach connectors using an auxiliary member
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07332—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07332—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07333—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07336—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
    • H10W72/322—Multilayered die-attach connectors, e.g. a coating on a top surface of a core
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/331—Shapes of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/60—Seals
    • H10W76/67—Seals characterised by their materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/722—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between stacked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/732—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between stacked chips
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

1. Способ соединения с применением взаимной диффузии металлов для формирования, на уровне пластин, герметичных корпусов для устройств на базе микроэлектромеханических систем (МЭМС), включающий следующие этапы:формирование на поверхности как первой пластины, так и второй пластины стопы из первого металла, подверженного окислению на воздухе;формирование на верхней поверхности каждой стопы из первого металла слоя второго металла, температура плавления у которого ниже, чем у первого металла, причем толщину слоя второго металла выбирают достаточной для предотвращения окисления верхней поверхности первого металла;приведение слоя второго металла на первой пластине в контакт со слоем второго металла на второй пластине, чтобы образовать зону соединения, иприложение к первой и второй пластинам давления соединения при температуре зоны соединения, которая ниже температуры плавления второго металла, чтобы инициировать соединение, причем давление соединения выбирают достаточным для деформирования слоев второго металла в зоне соединения.2. Способ по п.1, дополнительно включающий повышение температуры зоны соединения до температуры плавления второго металла для образования интерметаллида, который соединяет первую и вторую пластины.3. Способ по п.1, в котором первый металл является медью, а второй оловом.4. Способ по п.1, в котором, пока приложено усилие соединения, температуру зоны соединения повышают регулярным образом.5. Способ по п.1, в котором, пока приложено усилие соединения, температуру зоны соединения повышают нерегулярным образом.6. Способ по п.1, в котором, пока приложено усилие соединения, температура зоны со�

Claims (14)

1. Способ соединения с применением взаимной диффузии металлов для формирования, на уровне пластин, герметичных корпусов для устройств на базе микроэлектромеханических систем (МЭМС), включающий следующие этапы:
формирование на поверхности как первой пластины, так и второй пластины стопы из первого металла, подверженного окислению на воздухе;
формирование на верхней поверхности каждой стопы из первого металла слоя второго металла, температура плавления у которого ниже, чем у первого металла, причем толщину слоя второго металла выбирают достаточной для предотвращения окисления верхней поверхности первого металла;
приведение слоя второго металла на первой пластине в контакт со слоем второго металла на второй пластине, чтобы образовать зону соединения, и
приложение к первой и второй пластинам давления соединения при температуре зоны соединения, которая ниже температуры плавления второго металла, чтобы инициировать соединение, причем давление соединения выбирают достаточным для деформирования слоев второго металла в зоне соединения.
2. Способ по п.1, дополнительно включающий повышение температуры зоны соединения до температуры плавления второго металла для образования интерметаллида, который соединяет первую и вторую пластины.
3. Способ по п.1, в котором первый металл является медью, а второй оловом.
4. Способ по п.1, в котором, пока приложено усилие соединения, температуру зоны соединения повышают регулярным образом.
5. Способ по п.1, в котором, пока приложено усилие соединения, температуру зоны соединения повышают нерегулярным образом.
6. Способ по п.1, в котором, пока приложено усилие соединения, температура зоны соединения не превышает температуру плавления второго металла.
7. Способ по п.1, в котором давление соединения превышает 0,05 МПа.
8. Способ по п.7, в котором давление соединения составляет 5-50 МПа.
9. Способ по п.7, в котором давление соединения составляет 15-25 МПа
10. Способ по любому из предыдущих пунктов, при осуществлении которого, с целью изменения взаимной диффузии, обеспечиваемой в зоне соединения, контролируют один или более таких параметров соединения, как усилие, температуру и акустическую энергию.
11. Герметичная конструкция, содержащая первую и вторую пластины, соединенные посредством интерметаллида, которая изготовлена посредством способа соединения по любому из предыдущих пунктов и в которой интерметаллид содержит интерметаллическую зону соединения.
12. Конструкция по п.11, содержащая МЭМС-устройство, геттерный материал или химически чувствительный материал.
13. Конструкция по п.12, в которой МЭМС-устройство является химически чувствительным.
14. Сформированное на уровне пластины множество герметичных конструкций, выполненных по любому из пп.11-13.
RU2012141152/28A 2010-03-02 2011-03-01 Способ соединения, герметичная конструкция, изготовленная данным способом, и система герметичных конструкций RU2536076C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10155251A EP2363373A1 (en) 2010-03-02 2010-03-02 Bonding process for sensitive micro-and nano-systems
EP10155251.1 2010-03-02
PCT/EP2011/053047 WO2011107484A1 (en) 2010-03-02 2011-03-01 Bonding process for sensitive micro- and nano-systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012141152A true RU2012141152A (ru) 2014-04-10
RU2536076C2 RU2536076C2 (ru) 2014-12-20

Family

ID=42331043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012141152/28A RU2536076C2 (ru) 2010-03-02 2011-03-01 Способ соединения, герметичная конструкция, изготовленная данным способом, и система герметичных конструкций

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120321907A1 (ru)
EP (2) EP2363373A1 (ru)
CN (1) CN102883991B (ru)
CA (1) CA2791334A1 (ru)
RU (1) RU2536076C2 (ru)
WO (1) WO2011107484A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5588419B2 (ja) 2011-10-26 2014-09-10 株式会社東芝 パッケージ
NO2944700T3 (ru) * 2013-07-11 2018-03-17
FR3008690B1 (fr) * 2013-07-22 2016-12-23 Commissariat Energie Atomique Dispositif comportant un canal fluidique muni d'au moins un systeme micro ou nanoelectronique et procede de realisation d'un tel dispositif
CN103434998B (zh) * 2013-08-29 2016-04-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆级气密性的测试结构及测试方法
KR102306976B1 (ko) * 2013-09-13 2021-09-30 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 접합 레이어 도포 방법
CN105826243A (zh) * 2015-01-09 2016-08-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆键合方法以及晶圆键合结构
JP6451866B2 (ja) * 2015-11-16 2019-01-16 株式会社豊田中央研究所 接合構造体およびその製造方法
US9865565B2 (en) * 2015-12-08 2018-01-09 Amkor Technology, Inc. Transient interface gradient bonding for metal bonds
GB2569466B (en) * 2016-10-24 2021-06-30 Jaguar Land Rover Ltd Apparatus and method relating to electrochemical migration
US10037957B2 (en) 2016-11-14 2018-07-31 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and method of manufacturing thereof
RU2662061C1 (ru) * 2017-10-25 2018-07-23 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ герметизации мэмс устройств
CN111792621B (zh) * 2020-07-06 2024-04-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种圆片级薄膜封装方法及封装器件
CN116072521A (zh) * 2021-11-01 2023-05-05 上海新微技术研发中心有限公司 用于晶圆级封装的共晶键合方法
AT527542A3 (de) * 2022-12-22 2025-10-15 Ev Group E Thallner Gmbh Verfahren zum Aufbringen einer Bondschicht
AT527543A3 (de) * 2022-12-22 2025-10-15 Ev Group E Thallner Gmbh Verfahren zum Aufbringen einer Bondschicht

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0365807B1 (en) * 1988-10-12 1993-12-22 International Business Machines Corporation Bonding of metallic surfaces
DE19531158A1 (de) * 1995-08-24 1997-02-27 Daimler Benz Ag Verfahren zur Erzeugung einer temperaturstabilen Verbindung
US5821161A (en) * 1997-05-01 1998-10-13 International Business Machines Corporation Cast metal seal for semiconductor substrates and process thereof
EP0951068A1 (en) * 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
US6853067B1 (en) * 1999-10-12 2005-02-08 Microassembly Technologies, Inc. Microelectromechanical systems using thermocompression bonding
WO2002020211A1 (de) 2000-09-07 2002-03-14 Infineon Techonologies Ag Lötmittel zur verwendung bei diffusionslötprozessen sowie verfahren zur herstellung von lötverbindungen unter verwendung des lötmittels
JP3735526B2 (ja) * 2000-10-04 2006-01-18 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6667225B2 (en) * 2001-12-17 2003-12-23 Intel Corporation Wafer-bonding using solder and method of making the same
RU2219027C2 (ru) * 2002-01-15 2003-12-20 Общество с ограниченной ответственностью "Амалгамэйтед Технологическая группа" Способ изготовления неразъемного соединения двух тел, выполненных из разнородных металлов, и неразъемное соединение, получаемое этим способом
US6793829B2 (en) 2002-02-27 2004-09-21 Honeywell International Inc. Bonding for a micro-electro-mechanical system (MEMS) and MEMS based devices
AU2003264717A1 (en) * 2002-08-16 2004-03-03 New Transducers Limited Method of bonding a piezoelectric material and a substrate
US7402509B2 (en) * 2005-03-16 2008-07-22 Intel Corporation Method of forming self-passivating interconnects and resulting devices
EP1732116B1 (en) * 2005-06-08 2017-02-01 Imec Methods for bonding and micro-electronic devices produced according to such methods
JP4961532B2 (ja) * 2006-07-25 2012-06-27 日産自動車株式会社 異種金属の接合方法及び装置
US8039305B2 (en) * 2007-04-27 2011-10-18 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. Method for bonding semiconductor wafers and method for manufacturing semiconductor device
FR2922202B1 (fr) * 2007-10-15 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Structure comportant une couche getter et une sous-couche d'ajustement et procede de fabrication.
US7943411B2 (en) * 2008-09-10 2011-05-17 Analog Devices, Inc. Apparatus and method of wafer bonding using compatible alloy
EP2340554B1 (en) * 2008-09-18 2017-05-10 Imec Methods and systems for material bonding
CN102104090B (zh) * 2009-12-22 2014-03-19 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN102883991A (zh) 2013-01-16
RU2536076C2 (ru) 2014-12-20
US20120321907A1 (en) 2012-12-20
EP2363373A1 (en) 2011-09-07
CA2791334A1 (en) 2011-09-09
WO2011107484A1 (en) 2011-09-09
EP2542500A1 (en) 2013-01-09
CN102883991B (zh) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012141152A (ru) Способ соединения, герметичная конструкция, изготовленная данным способом, и система герметичных конструкций
JP2012516055A5 (ru)
JP2013069808A5 (ru)
WO2012149514A3 (en) Thin film solder bond
JP2013069807A5 (ru)
WO2010100577A3 (en) Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure
JP2019530988A5 (ru)
JP2013522393A5 (ru)
EP2165970A3 (en) Substrate bonded mems sensor
WO2007150012A3 (en) Apparatus and method for semiconductor bonding
EP1998211A3 (en) Methods of fabricating mems with a shaped substrate and devices formed by same
JP2024009989A5 (ru)
WO2010100578A3 (en) Compliant bonding structures for semiconductor devices
EP2211383A3 (en) Metal bonded nanotube array
JP2012089724A5 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2008136276A1 (ja) 積層方法及び積層装置
EP2363374A3 (en) Manufacturing Method of MEMS Package, and Oscillator
EP2477244A3 (en) Wafer level light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP2018009049A5 (ru)
JP2014216632A5 (ru)
JP2016018813A (ja) 熱輸送シートおよびその製造方法
JP2014013795A5 (ru)
WO2008149818A1 (ja) 積層型放熱基体およびこれを用いた放熱ユニット並びに電子装置
JP2006047575A5 (ru)
EP2541593A3 (en) Laminated high melting point soldering layer and fabrication method for the same, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160302