AT527542A3 - Verfahren zum Aufbringen einer Bondschicht - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen einer Bondschicht

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AT527542A3
AT527542A3 ATA129/2024A AT1292024A AT527542A3 AT 527542 A3 AT527542 A3 AT 527542A3 AT 1292024 A AT1292024 A AT 1292024A AT 527542 A3 AT527542 A3 AT 527542A3
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Wimplinger Markus
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden und zum Aufbringen einer aus einer Grundschicht und einer Schutzschicht bestehenden Bondschicht auf ein Substrat mit folgenden Verfahrensschritten: - Aufbringen eines oxidierbaren Grundmaterials als Grundschicht auf eine Bondseite des Substrats, - zumindest teilweises Bedecken der Grundschicht mit einem in dem Grundmaterial zumindest teilweise lösbaren Schutzmaterial als Schutzschicht.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2363373A1 (de) * 2010-03-02 2011-09-07 SensoNor Technologies AS Procédé de collage pour systèmes micro et nano sensibles
US20130099355A1 (en) * 2011-10-24 2013-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS Structures and Methods for Forming the Same

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Non-Patent Citations (1)

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Title
PEREZ-QUINTANA ET AL: "An aluminum-germanium eutectic structure for silicon wafer bonding technology." In: Physica Status Solidi (C), Bd. 2, Nr. 10, 1. August 2005 (01.08.2005), Seiten 3706-3709, XP055209041, ISSN: 1610-1634. <doi:10.1002/pssc.200461755> *

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