AT527543A3 - Verfahren zum Aufbringen einer Bondschicht - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen einer Bondschicht

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AT527543A3
AT527543A3 ATA161/2024A AT1612024A AT527543A3 AT 527543 A3 AT527543 A3 AT 527543A3 AT 1612024 A AT1612024 A AT 1612024A AT 527543 A3 AT527543 A3 AT 527543A3
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer aus einer Grundschicht und einer Schutzschicht bestehenden Bondschicht auf ein Substrat mit folgenden Verfahrensschritten: - Aufbringen eines oxidierbaren Grundmaterials als Grundschicht auf eine Bondseite des Substrats, - zumindest teilweises Bedecken der Grundschicht mit einem in dem Grundmaterial zumindest teilweise lösbaren Schutzmaterial als Schutzschicht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Substrat.
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EP2363373A1 (de) * 2010-03-02 2011-09-07 SensoNor Technologies AS Procédé de collage pour systèmes micro et nano sensibles
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Title
PEREZ-QUINTANA ET AL: "An aluminum-germanium eutectic structure for silicon wafer bonding technology." In: Physica Status Solidi (C), Bd. 2, Nr. 10, 1. August 2005 (01.08.2005), Seiten 3706-3709, XP055209041, ISSN: 1610-1634. <doi:10.1002/pssc.200461755> *

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