SE431741B - Hart material och forfarande for dess framstellning - Google Patents
Hart material och forfarande for dess framstellningInfo
- Publication number
- SE431741B SE431741B SE7801762A SE7801762A SE431741B SE 431741 B SE431741 B SE 431741B SE 7801762 A SE7801762 A SE 7801762A SE 7801762 A SE7801762 A SE 7801762A SE 431741 B SE431741 B SE 431741B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- pressure
- temperature
- boron
- kbar
- hard material
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- KCZFLPPCFOHPNI-UHFFFAOYSA-N alumane;iron Chemical compound [AlH3].[Fe] KCZFLPPCFOHPNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 210000004197 pelvis Anatomy 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/563—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on boron carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/0828—Carbonitrides or oxycarbonitrides of metals, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/583—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
- C04B35/5831—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride based on cubic boron nitrides or Wurtzitic boron nitrides, including crystal structure transformation of powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/77—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Aiming, Guidance, Guns With A Light Source, Armor, Camouflage, And Targets (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
10
7801762-1
~2
och kol för tryck- och temperaturbetingelser, som är tillräck-
liga för framställning av materialet.
I en utföringsform innebär förfarandet att man utsätter
borkarbonitrid i hexagonal (grafitisk) eller amorf form i när-
varo av ett lösningsmedel för borkarbonitriden för betingelser
av höjt tryck och höjd temperatur, varvid trycket är över
50 kbar och temperaturen över 1300°C. Trycket är vanligen inte
över 100 kbar och temperaturen vanligen inte över 2000°C.Dessa
betingelser av höjd temperatur och höjt tryck bibehålles under
en tillräckligt lång tid för att materialet skall bildas. I
allmänhet är denna tid cirka 10 till 60 minuter.
Lösningsmedlet för borkarbonitriden måste kunna väta
och lösa substansen under de använda betingelserna av höjd
temperatur och höjt tryck. Ett lämpligt lösningsmedel är en
blandning eller legering av en metall i grupp 8 av periodiska
systemet och aluminium. Metallen i grupp 8 är företrädesvis
kobolt, nickel eller järn. Förhållandet mellan metallen i
grupp 8 och aluminium ligger typiskt i intervallet 15:1 till
1:15, med avseende på vikten.
Borkarbonitriden kan framställas med kända förfaranden,
t.ex. genom nitrering av bor och kimrök i kväveatmosfär vid
temperaturer av 1800 - 2000°C. Detta förfarande beskrivs exem-
pelvis i (1) Poroshkovaya Metallurgiya, nr. 1 (97), sid.27-33,
januari 1971, och (2) Proc. Int. Conf. Chemical Vapour Deposi-
1972. ”
Syntesen av det härda materialet genomföres i en lämp-
tion, 3rd,
lig högtemperatur- och högtryckapparat, t.ex. den så kallade
"gördel"-apparaten enligt amerikanska patentskriften 2 941 248.
Denna apparat består huvudsakligen av en ringformig gördel
eller pressform med en smalnande genomgående öppning och ett
par koncentriska, stympat koniska stämplar, som kan föras in
i öppningen för att däri avgränsa en reaktionskammare. Ett
lämpligt tätningsmaterial, t.ex. pyrofyllit, användes mellan
stämplarna och pressformen för tätning och över pressformens
mot reaktionszonen vettande yta för termisk isolering av denna
del av pressformen. Reaktionskammarens temperatur kan höjas
genom att man ansluter stämplarna till en elektrisk spännings-
källa, varvid man alstrar en krets med motståndsvärmningskrets
vid stämplarna och reaktionsmaterialet i reaktionskammaren.
7801762-1
3
Borkarbonitriden och lösningsmedlet sätts i allmänhet
till reaktionskammaren i form av en pulverblandning. Små
kristaller av det hårda materialet, vilka är dispergerade i
lösningsmedlet, erhålles. Kristallerna utvinns på ett sättlik-
nänäêdetsom användes för utvinning av diamant och kubisk bor-
nitrid genom upplösning av lösningsmedlet i en syra, t.ex.
svavelsyra.
I en annan utföringsform framställes det hårda mate-
rialet enligt uppfinningen genom att källan till bor, kväve
och kol omvandlas direkt till det hårda materialet genom att
man utsätter materialet för ett tryck över 120 kbar och sam-
tidigt en temperatur över 3000°C. Detta förfarande ger en poly-
kristallin massa av det hårda materialet. De mycket besvärliga
temperatur- och tryckbetingelserna upprätthålles endast under
mikrosekunder, men kan upprepas flera gånger för erhållande
av lämpliga utbyten.
En lämplig apparat för denna utföringsform är beskriven
i amerikanska patentskriften 3 488 153. Källan till bor, kväve
och kol kan vara hexagonal eller amorf borkarbonitrid eller en
blandning av hexagonal bornitrid och grafit.
Föreliggande uppfinning belyses med följande exempel.
Exempel 1
Individuella, diskreta partiklar av BCN i tetraedrisk
form, såsom visas på ritningen, framställdes med följande för-
farande. Kristallin borkarbonitrid framställes genom nitride-
ring av bor och kolsvart i kväveatmosfär vid en temperatur av
cirka 190000 enligt det i referens 1 angivna sättet. Detta
kristallina material blandades med en järn-aluminiumlegering i
pulverform (10 viktdelar järn och 1 viktdel aluminium). Pulver-
blandningen placerades i en järnskål, och skålen slogs in i
tantalfolie. Den inslagna skålen placerades i en högtrycks-
kapsel i en gördelapparat av den i amerikanska patentskriften
2 941 248 beskrivna typen. Kapselns innehåll utsattes därefter
för ett tryck av 75 kbar och samtidigt en temperatur av ca
1600°C. Dessa betingelser av höjd temperatur kvarhölls i
40 minuter. Temperaturen fick därefter återgå till omgivning-
ens, och trycket sänktes. Kapseln togs ut ur apparaten, och
dess innehåll löstes i utspädd svavelsyra. Kristaller av BCN
7so1?e2-1 f
4
föll till botten i svavelsyran. Individuella kristaller med
en storlek av upp till 100 um utvanns, och dessa identifiera-
des som BCN av den på ritningen visade typen.
Exempel 2
Borkarbonitrid som utgångsmaterial, såsom i exempel1,
placerades i reaktionskapseln till en temperatur- och tryck-
apparat av den i amerikanska patentskriften 3 488 153 beskrivna
typen. Detta material underkastades därefter ett tryck av ca
150 kbar. Kondensatorer urladdades genom kapseln och gav en
temperatur i kapseln, som var mycket högre än 3000°C, under
några mikrosekunder. Trycket sänktes, och från kapseln utvanns
ett mörkt mikrokristallint eller polykristallint material, som
vid analys visade sig vara BCN i tetraedrisk form. Detta mate-
rial repade diamant i den mjuka riktningen.
Claims (8)
1. Hårt material, k ä n n e t e c k n a t av att det huvudsakligen består av BCN i tetraedrisk form.
2. Förfarande för framställning av ett hårt material, k ä n n e t e c k n a t av att man utsätter borkarbonitrid 5 i hexagonal eller amorf form i närvaro av ett lösningsmedel för borkarbonitriden för betingelser av höjt tryck och höjd temperatur för framställning av materialet, varvid trycket är över 50 kbar och temperaturen över 1300°C.
3. Förfarande enligt patentkravet 2, k ä n n e - 10 t e c k n a t av att trycket är 50 - 100 kbar och temperatu- ren är 1300 - 2ooo°c.
4. Förfarande enligt patentkravet 2 eller 3, k ä n n e - t e c k n a t av att betingelserna av höjd temperatur och höjt tryck upprätthâlles under 10 - 60 minuter. 15
5. Förfarande enligt något av patentkraven 2 - 4, k ä n n e t e c k n a t av att lösningsmedlet är en bland- ning eller legering av en metall i grupp 8 av periodiska syste- met och aluminium.
6. Förfarande enligt patentkravet 5, k ä n n e - 20 t e c k n a t av att metallen i grupp 8 är kobolt, nickel eller järn.
7. Förfarande enligt patentkravet 1, k ä n n e - t e c k n a t av att man utsätter en källa till bor, kväve och kol för ett tryck över 120 kbar och samtidigt en tempera- 25 tur över 3000°C, för framställning av materialet.
8. Förfarande enligt patentkravet 7, k ä n n e - t e c k n a t av att källan till bor, kväve och kol är en blandning av hexagonal bornitrid och grafit eller hexagonal eller amorf borkarbonitrid.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ZA00770925A ZA77925B (en) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | Hard materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE7801762L SE7801762L (sv) | 1978-08-17 |
| SE431741B true SE431741B (sv) | 1984-02-27 |
Family
ID=25571242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE7801762A SE431741B (sv) | 1977-02-16 | 1978-02-15 | Hart material och forfarande for dess framstellning |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4187083A (sv) |
| JP (1) | JPS53101000A (sv) |
| AT (1) | AT364173B (sv) |
| AU (1) | AU514510B2 (sv) |
| BE (1) | BE864019A (sv) |
| BR (1) | BR7800911A (sv) |
| CA (1) | CA1091424A (sv) |
| CH (1) | CH632222A5 (sv) |
| DE (1) | DE2806070C2 (sv) |
| FR (1) | FR2380987A1 (sv) |
| GB (1) | GB1588948A (sv) |
| IE (1) | IE46406B1 (sv) |
| IL (1) | IL54047A (sv) |
| IT (1) | IT1095424B (sv) |
| NL (1) | NL7801706A (sv) |
| SE (1) | SE431741B (sv) |
| ZA (1) | ZA77925B (sv) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA77925B (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-27 | De Beers Ind Diamond | Hard materials |
| JPS56100170A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-11 | Mitsubishi Metal Corp | Cubic boron carbide nitride sintered body for cutting tool blade and its manufacture |
| DE3125484A1 (de) * | 1981-06-29 | 1983-03-17 | Belorusskij politechničeskij institut, Minsk | Verfahren zur herstellung von polykristallen eines aus dichten modifikationen bestehenden bornitrides |
| FR2649974B1 (fr) * | 1989-07-21 | 1991-09-27 | Aerospatiale | Materiau carbone protege contre l'oxydation par du carbonitrure de bore |
| JP3346496B2 (ja) | 1992-11-06 | 2002-11-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 多結晶性ｂｃｎ物質及びその製造方法 |
| US7938997B2 (en) * | 2002-07-05 | 2011-05-10 | Los Alamos National Security, Llc | Preparation of bulk superhard B-C-N nanocomposite compact |
| US6759128B1 (en) * | 2002-07-05 | 2004-07-06 | The Regents Of The University Of California | Bulk superhard B-C-N nanocomposite compact and method for preparing thereof |
| JP4925463B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-04-25 | 日本碍子株式会社 | 六方晶窒化ホウ素単結晶の製造方法 |
| US8449854B2 (en) * | 2007-01-29 | 2013-05-28 | William Marsh Rice University | Method for preparation of new superhard B-C-N material and material made therefrom |
| US10258959B2 (en) | 2010-08-11 | 2019-04-16 | Unit Cell Diamond Llc | Methods of producing heterodiamond and apparatus therefor |
| CN113184814A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-07-30 | 上海工程技术大学 | 硼碳氮化物纳米片及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1129508A (en) * | 1912-09-07 | 1915-02-23 | Int Agricultural Corp | Process of producing boron carbonitrid. |
| US2941252A (en) * | 1957-03-20 | 1960-06-21 | Gen Electric | Reaction vessel |
| US3488153A (en) * | 1966-12-01 | 1970-01-06 | Gen Electric | Non-catalytically produced cubic and hexagonal diamond |
| US3637320A (en) * | 1968-12-31 | 1972-01-25 | Texas Instruments Inc | Coating for assembly of parts |
| US3850591A (en) * | 1970-01-02 | 1974-11-26 | Gen Electric | Process for preparation of high pressure apparatus reaction vessel construction |
| JPS5126919B2 (sv) * | 1971-11-19 | 1976-08-09 | ||
| US3944398A (en) * | 1974-04-30 | 1976-03-16 | Frank Rutherford Bell | Method of forming an abrasive compact of cubic boron nitride |
| ZA77925B (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-27 | De Beers Ind Diamond | Hard materials |
-
1977
- 1977-02-16 ZA ZA00770925A patent/ZA77925B/xx unknown
-
1978
- 1978-02-14 DE DE2806070A patent/DE2806070C2/de not_active Expired
- 1978-02-14 IL IL54047A patent/IL54047A/xx unknown
- 1978-02-14 GB GB5852/78A patent/GB1588948A/en not_active Expired
- 1978-02-14 AT AT0104278A patent/AT364173B/de not_active IP Right Cessation
- 1978-02-15 CA CA296,973A patent/CA1091424A/en not_active Expired
- 1978-02-15 SE SE7801762A patent/SE431741B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-02-15 NL NL7801706A patent/NL7801706A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-02-15 BR BR7800911A patent/BR7800911A/pt unknown
- 1978-02-15 IE IE326/78A patent/IE46406B1/en unknown
- 1978-02-16 IT IT20339/78A patent/IT1095424B/it active
- 1978-02-16 BE BE185223A patent/BE864019A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-02-16 AU AU33346/78A patent/AU514510B2/en not_active Expired
- 1978-02-16 US US05/878,472 patent/US4187083A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-02-16 FR FR7804414A patent/FR2380987A1/fr active Granted
- 1978-02-16 CH CH168978A patent/CH632222A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-02-16 JP JP1598478A patent/JPS53101000A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA77925B (en) | 1978-09-27 |
| AU514510B2 (en) | 1981-02-12 |
| JPS6124328B2 (sv) | 1986-06-10 |
| DE2806070C2 (de) | 1986-11-27 |
| NL7801706A (nl) | 1978-08-18 |
| IE780326L (en) | 1978-08-16 |
| FR2380987B1 (sv) | 1984-12-07 |
| IE46406B1 (en) | 1983-06-01 |
| GB1588948A (en) | 1981-05-07 |
| FR2380987A1 (fr) | 1978-09-15 |
| DE2806070A1 (de) | 1978-08-17 |
| SE7801762L (sv) | 1978-08-17 |
| BR7800911A (pt) | 1978-10-24 |
| CH632222A5 (en) | 1982-09-30 |
| IL54047A0 (en) | 1978-04-30 |
| BE864019A (fr) | 1978-08-16 |
| AU3334678A (en) | 1979-08-23 |
| IT7820339A0 (it) | 1978-02-16 |
| US4187083A (en) | 1980-02-05 |
| CA1091424A (en) | 1980-12-16 |
| IT1095424B (it) | 1985-08-10 |
| IL54047A (en) | 1981-06-29 |
| AT364173B (de) | 1981-09-25 |
| ATA104278A (de) | 1981-02-15 |
| JPS53101000A (en) | 1978-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE431741B (sv) | Hart material och forfarande for dess framstellning | |
| US6270569B1 (en) | Method of fabricating nitride crystal, mixture, liquid phase growth method, nitride crystal, nitride crystal powders, and vapor phase growth method | |
| Mishra et al. | Production and purification of silicon by calcium reduction of rice-husk white ash | |
| GB840241A (en) | Improvements in or relating to the production of semi-conductor devices | |
| GB682105A (en) | Method of making surface-type and point-type rectifiers and crystal-amplifier layers from semiconductor material | |
| KR830002648A (ko) | 촉매가 없는 상태에서 제분된 육방형 질화붕소로부터 입방형 질화붕소의 제조법 | |
| JPS5238500A (en) | Production of alpha-silicon nitride powder | |
| GB949799A (en) | Process for the production of crystalline semi-conductor material | |
| EP2284122B1 (en) | Low nitrogen concentration carbonaceous material | |
| US2800559A (en) | Electrical semi-conductors comprising organo metallic compounds and process of producing same | |
| US3607046A (en) | Preparation of aluminum nitride | |
| US3094387A (en) | Process for preparing boron phosphide | |
| US3705825A (en) | Growth layer of semiconductor compounds produced by melt epitaxy | |
| US3770422A (en) | Process for purifying eu and yb and forming refractory compounds therefrom | |
| US2929678A (en) | Method of producing zinc selenide | |
| US3341296A (en) | Orthorhombic boron arsenides and their preparation | |
| Rodley et al. | A new phosphorus sulphide phase | |
| US2926071A (en) | Preparation of titanium nitride of high purity | |
| US2850688A (en) | Semiconductor circuit elements | |
| US20020071803A1 (en) | Method of producing silicon carbide power | |
| SU1152513A3 (ru) | Способ получени кубического нитрида бора | |
| US3409400A (en) | Binary, ternary and quaternary compounds composed of silicon, nickel, arsenic, and phosphorus | |
| US3404959A (en) | B20h16 and its preparation | |
| JPS5645897A (en) | Manufacture of silicon carbide crystal | |
| JPS59162199A (ja) | 窒化シリコンを用いる結晶成長方法及びそれに使用する部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7801762-1 Effective date: 19920904 Format of ref document f/p: F |